一种恒流jfet器件及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件，其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+表面栅极区5的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+背面栅极区2的结深也逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于恒流JFET器件及其制造。
【专利说明】一种恒流JFET器件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着LED灯的广泛使用，LED恒流驱动也迅速占领市场，恒流JFET器件是专为小功率LED设计的恒流驱动器，它能在4V?150V的宽电压范围内实现恒定电流输出，而且可以实现±15%的恒流精度，可与LED灯珠搭配，广泛应用于室内照明。图1是恒流驱动LED的一种方案，由于输出电压较高，该方案特别适合电流值为5mA?500mA的LED应用，尤其适合高压LED。该方案总共包括6个元器件，简单实用，且低成本。图1中，交流市电通过Dl-D4和Cl构成的全波整流电路后直接驱动恒流器件和LED灯串。图2是恒流驱动LED的另外一种方案，新加入的电阻Radj可根据不同的LED适当调节电流。其驱动电路结构简单，成本极低，而提供恒流的核心就是一个常开通的η沟道JFET器件，但是目前的JFET器件恒流精度较差，不能很好的满足恒流源电路的应用。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的，就是针对上述JFET器件存在的精度问题，提出一种恒流JFET器件及其制造方法。
[0004]本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种JFET器件，其元胞结构包括P型衬底I和设置在P型衬底I上层的N-沟道外延层3 ;所述N-沟道外延层3的两端设置有P+隔离区4，所述N-沟道外延层3低端设置有P+埋层背面栅极区2，所述P+埋层背面栅极区2与P型衬底I上表面连接；所述N-沟道外延层3中设置有相互独立的P+表面栅极区5、Ν+漏极区6和N+源极区7，其中P+表面栅极区5位于N+漏极区6和N+源极区7之间；所述N-沟道外延层3的上端面设置有介质层8，所述P+表面栅极区5的上端面设置有栅极金属10，所述N+漏极区6的上端面设置有漏极金属9，所述N+源极区7的上端面设置有源极金属11 ;其特征在于，所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+表面栅极区5的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+背面栅极区2的结深逐渐增加。
[0005]本发明总的技术方案，提出不均匀结深的双栅极区JFET(DV-JFET)结构，利用P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深的变化来减弱沟道长度调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电流的变化率小的目的。
[0006]具体的，P+表面栅极区5的结深从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端呈现为3次递增，所述P+背面栅极区2的结深从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端呈现为3次递增。
[0007]一种恒流JFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤:
[0008]第一步:选择单晶片，制备P型衬底I ;
[0009]第二步:采用光刻和离子注入工艺，将P型杂质注入P型衬底I上表面形成结深不均匀的P+埋层背面栅极区2，具体为采用多次光刻、多次不同注入能量的方式或者多次光亥IJ、多次相同注入能量和多次推结的方式；
[0010]第三步:在P型衬底I上表面生长N-沟道外延层3 ；
[0011]第四步:采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层3的两端生成P型隔离区4 ；
[0012]第五步:在N-沟道外延层3上表面生长场氧化层，所述场氧化层的厚度为300(Γ5000Α;
[0013]第六步:采用光刻工艺，在N型外延层3上表面进行有源区刻蚀，为后续有源区内的源漏栅区注入刻蚀出有源区；
[0014]第七步:采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层3上表面形成P+表面栅极区5，所述P+表面栅极区5的结深为不均匀的，具体为采用多次光刻、多次不同注入能量的方式或者采用多次光刻、多次相同能量注入和多次推结的方式；
[0015]第八步:采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层3上表面形成N+漏极区6和N+源极区7注入，其中P+表面栅极区5位于N+漏极区6和N+源极区7之间；
[0016]第九步:采用光刻工艺刻蚀出接触孔；
[0017]第十步:在P+表面栅极区5的上端面淀积栅极金属10，在N+漏极区6的上端面淀积漏极金属9，在N+源极区7的上端面淀积源极金属11。
[0018]具体的，所述第二步中P+埋层背面栅极区2的注入方式为采用3次光刻和3次不同的注入能量的方式，具体为:
[0019]一次光刻后进行P+埋层背面栅极区2的第一次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?40KeV ；
[0020]二次光刻后进行P+埋层背面栅极区2的第二次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?60KeV ；
[0021]三次光刻后进行P+埋层背面栅极区2的第三次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?80KeV ；。
[0022]具体的，所述第二步中P+埋层背面栅极区2注入方式为采用3次光刻、3次相同能量注入和3次推结的方式，具体为:
[0023]一次光刻后进行P+埋层背面栅极区2第一次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度 950 ?1000°C、时间 25min ?30min ；
[0024]二次光刻后进行P+埋层背面栅极区2的第二次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度 950 ?1000°C、时间 25min ?50min ；
[0025]三次光刻后进行P+埋层背面栅极区2第三次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度 950 ?100(TC、时间 25min ?10min。
[0026]具体的，所述第七步中P+表面栅极区5的注入方式为采用3次光刻和3次不同的注入能量的方式，具体为:
[0027]—次光刻后进行P+表面栅极区5的第一次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:lel5 ?8el8cm-2、能量 20 ?40KeV ；
[0028]二次光刻后进行P+表面栅极区5的第二次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?60KeV ；
[0029]三次光刻后进行P+表面栅极区5的第三次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV。
[0030]具体的，所述第七步中P+表面栅极区5注入方式为采用3次光刻、3次相同能量注入和3次推结，具体为:
[0031]一次光刻后进行P+表面栅极区5第一次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950 ?1000°C、时间 25min ?30min ；
[0032]二次光刻后进行P+表面栅极区5的第二次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?100CTC、时间25min?50min ；
[0033]三次光刻后进行P+表面栅极区5第三次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950 ?1000。。、时间 25min ?10min。。
[0034]本发明的有益效果为，在制作工艺并不复杂的基础上，器件恒流特性较好，在宽电压输入范围内，输出电流的变化率很小，恒流性能相比于传统JFET结构有大幅度的提升，能够满足更小恒流精度的需求，特别适合小功率LED灯恒流驱动。
【专利附图】
【附图说明】
[0035]图1是LED驱动及应用电路示意图；
[0036]图2是另一种LED驱动及应用电路不意图；
[0037]图3是本发明的DV-JFET器件结构示意图；
[0038]图4是本发明的DV-JFET与传统JFET以及SV-JFET的恒流特性对比示意图；
[0039]图5是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中P衬底结构示意图；
[0040]图6是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中P+埋层背面栅极区第一次光刻注入推结的结构示意图；
[0041]图7是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中P+埋层背面栅极区第二次光刻注入推结的结构示意图；
[0042]图8是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中P+埋层背面栅极区第三次光刻注入推结的结构示意图；
[0043]图9是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中N-沟道外延层的结构图；
[0044]图10是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中隔离区P+注入结构示意图；
[0045]图11是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中P+表面栅极区的第一次光刻注入推结后的结构示意图；
[0046]图12是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中P+表面栅极区的第二次光刻注入推结后的结构示意图；
[0047]图13是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中P+表面栅极区的第三次光刻注入推结后的结构示意图；
[0048]图14是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中源漏N+注入结构示意图；
[0049]图15是本发明的恒流器件制造方法工艺步骤中刻蚀AL之后结构示意图。
【具体实施方式】
[0050]下面结合附图和实施例，详细描述本发明的技术方案:
[0051]如图3所示，本发明的一种JFET器件，其元胞结构包括P型衬底I和设置在P型衬底I上的N-沟道外延层3，所述N-沟道外延层3的两端设置有P+隔离区4，所述N-沟道外延层3底端设置有P+埋层背面栅极区2，所述N-沟道外延层3中设置有相互独立的P+表面栅极区5、N+漏极区6和N+源极区7，其中P+表面栅极区5位于N+漏极区6和N+源极区7之间，所述N-沟道外延层3的上端面设置有介质层8，所述P+表面栅极区5的上端面设置有栅极金属10，所述N+漏极区6的上端面设置有漏极金属9，所述N+源极区7的上端面设置有源极金属11。其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+表面栅极区5的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+背面栅极区2的结深也逐渐增加。
[0052]本发明的工作原理为:该不均匀结深的双栅JFET(DV-JFET)器件属于常开器件，在漏源之间加上正向电压，当沟道出现夹断后，随着漏源电压的增大，电流趋向于恒定。本发明采用P+埋层背面栅极区2和P+表面栅极区5的多次光刻、多次注入或者采用多次光刻-多次注入-多次推结，形成了图3所示的从漏区到源区，栅区的结深是逐渐增加的双栅JFET，其优点在于使器件恒流特性变得更好，原因是在漏端加上正电压，当沟道出现夹断后，由于斜坡栅的作用，会使夹断点更慢的向源端靠近，所以可以说是沟道长度调制效应减小，也就使得恒流特性变的更好，从而利用结深的变化来减弱沟道长度调制效应，在宽电压输入范围内，输出电流的变化率小。如图4所示，为传统的JFET (CT-JFET)器件、单缓变结深栅JFET (SV-JFET)和本发明的双缓变结深栅(DV-JFET)器件在相同条件下的恒流特性对比示意图，线型为正方形的代表传统的JFET器件，线型为圆形的代表SV-JFET、线型为正三角形的代表本发明的DV-JFET。当输入电压从20V到80V(栅极零偏置的条件下)，CT-JFET、SV-JFET和本发明的DV-JFET的电流变化率依次为18.24%,9.85%和1.20%。通过对比可得出，本发明DV-JFET的恒流率远远高于CT-JFET和SV-JFET器件。
[0053]本发明的器件主要通过硅片制备一P+埋层背栅第一次注入和推结一P+埋层背栅第二次注入和推结一P+埋层背栅第三次注入和推结一N-外延生长一P+型隔离区注入一P+表面栅极区第一次注入和推结一P+表面栅极第二次注入和推结一P+表面栅极第三次注入和推结——N+源区和漏区注入——接触孔刻蚀——金属淀积、刻蚀——合金一钝化一退火等工艺步骤制备。
[0054]实施例1:
[0055]本例中的两个栅极区均采用三次光刻-三次不同的注入能量形成，具体为:
[0056]第一步:选择缺陷较少的NTD〈111>单晶片，单晶片的片厚范围为400?700 μ m，电阻率范围为0.01?0.5 Ω.Cm,打标清洗、烘干待用，如图5所示；
[0057]第二步:第一次光刻，首先在晶片上生长一层薄氧化层，接着进行P+埋层背面栅极区2第一次注入，具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?SelScm'能量20?40KeV，如图6所示；
[0058]第三步；第二次光刻，P+埋层背面栅极区2的第二次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?60KeV，如图7所示；
[0059]第四步；第三次光刻，P+埋层背面栅极区2的第三次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?80KeV，如图8所示；
[0060]第五步:硅片表面生长N型沟道外延层3，温度在1100°C?1150°C，厚度为3?25 μ m,电阻率为0.1?1Ω.cm，如图9所示；
[0061]第六步:四次光刻，光刻后在N-型外延层3的两端进行P+型隔离区4注入，具体为采用去胶注入，在注入之前生长40?10nm厚的氧化层，离子注入条件为:剂量lel6?8el8cnT2、能量40?10KeV,再分布条件为:无氧条件，温度1100?115CTC、时间10min?120min，如图10所示；
[0062]第七步:场氧化层生长，厚度在300(Γ5000Α;
[0063]第八步:五次光刻，有源区刻蚀，为后续有源区内的源漏栅区注入刻蚀出有源区；
[0064]第九步:六次光刻，P+表面栅极区5的第一次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:lel5?8el8cnT2、能量20?40KeV，如图11所示；
[0065]第九步:七次光刻，P+表面栅极区5的第二次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm_2、能量20?60KeV，如图12所示；
[0066]第九步:八次光刻，P+表面栅极区5的第三次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?80KeV，如图13所示；
[0067]第十步:九次光刻，N+漏极区6和N+源极区7注入，具体采用带胶注入，在注入之前生长40?10nm厚的氧化层,离子注入条件为剂量lel6?8el8cnT2、能量60?80KeV,,再分布条件为:无氧条件，温度1100?1150°C、时间230min?250min，如图14所示；
[0068]第^^一步:十次光刻，刻蚀出接触孔；
[0069]第十二步:金属淀积，在P+表面栅极区5的上端面淀积栅极金属10，在N+漏极区6的上端面淀积漏极金属9，在N+源极区7的上端面淀积源极金属11，十一次光刻、反刻铝，合金钝化，如图15所示。
[0070]实施例2:
[0071]本例中的两个栅极区均采用三次光刻-三次相同的注入能量-不同推结形成，具体为:
[0072]第一步:选择缺陷较少的NTD〈111>单晶片，片厚范围为400?700 μ m，电阻率范围为0.01?0.5 Ω.Cm，打标和清洗、烘干待用，如图5所示；
[0073]第二步:第一次光刻，首先在晶片上生长一层薄氧化层，接着进行P+埋层背面栅极区2第一次注入，具体采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?SelScnT2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?1000°C、时间25min?30min，如图6所示；
[0074]第三步；第二次光刻，P+埋层背面栅极区2的第二次注入；具体采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?1000。。、时间25min?50min，如图7所示；
[0075]第四步；第三次光刻，P+埋层背面栅极区2的第三次注入；具体采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?1000。。、时间25min?lOOmin，如图8所示；
[0076]第五步:硅片表面生长N型外延层3，温度在1100°C?1150°C，厚度为3?25 μ m，电阻率为0.1?I Ω.cm,如图9所示；
[0077]第六步:四次光刻，光刻后在N-型外延层3的两端进行P+型隔离区4注入，具体为采用去胶注入，在注入之前生长40?10nm厚的氧化层，离子注入条件为:剂量lel6?8el8cnT2、能量40?10KeV,再分布条件为:无氧条件，温度1100?115CTC、时间10min?120min ;，如图10所示；
[0078]第七步:场氧化层生长，厚度在300(Γ5000Α;
[0079]第八步:五次光刻，有源区刻蚀，为后续有源区内的源漏栅区注入刻蚀出有源区；
[0080]第九步:六次光刻，P+表面栅极区5的第一次注入；具体采用带胶注入，离子注入条件为::剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?1000。。、时间25min?30min，如图11所示；
[0081]第九步:七次光刻，P+表面栅极区5的第二次注入；具体采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?1000。。、时间25min?50min，如图12所示；
[0082]第九步:八次光刻，P+表面栅极区5的第三次注入；具体采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?1000。。、时间 25min ?10min ;如图 13 所示；
[0083]第十步:九次光刻，N+漏极区6和N+源极区7注入，具体采用带胶注入，在注入之前生长40?10nm厚的氧化层,离子注入条件为:剂量lel6?8el8cnT2、能量60?80KeV,再分布条件为:无氧条件，温度1100?1150°C、时间230min?250min，如图14所示；
[0084]第^^一步:十次光刻，刻蚀出接触孔；
[0085]第十二步:金属淀积，在P+表面栅极区5的上端面淀积栅极金属10，在N+漏极区6的上端面淀积漏极金属9，在N+源极区7的上端面淀积源极金属11，十一次光刻、反刻铝，合金钝化，如图15所示。
【权利要求】
1.一种恒流JFET器件，其元胞结构包括P型衬底(I)和设置在P型衬底(I)上层的N-沟道外延层(3);所述N-沟道外延层(3)的两端设置有P+隔离区(4)，所述N-沟道外延层(3)低端设置有P+埋层背面栅极区(2)，所述P+埋层背面栅极区(2)与P型衬底(I)上表面连接；所述N-沟道外延层(3)中设置有相互独立的P+表面栅极区(5)、N+漏极区(6)和N+源极区(7)，其中P+表面栅极区(5)位于N+漏极区(6)和N+源极区(7)之间；所述N-沟道外延层(3)的上端面设置有介质层(8)，所述P+表面栅极区(5)的上端面设置有栅极金属(10)，所述N+漏极区(6)的上端面设置有漏极金属(9)，所述N+源极区(7)的上端面设置有源极金属(11);其特征在于，所述P+表面栅极区(5)和P+背面栅极区(2)的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区(6)的一端到靠近N+源极区(7)的一端P+表面栅极区(5)的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区(6)的一端到靠近N+源极区(7)的一端P+背面栅极区(2)的结深逐渐增加。
2.一种恒流JFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 第一步:选择单晶片，制备P型衬底(I)； 第二步:采用光刻和离子注入工艺，将P型杂质注入P型衬底(I)上表面形成结深不均匀的P+埋层背面栅极区(2)，具体为采用多次光刻、多次不同注入能量的方式或者多次光亥IJ、多次相同注入能量和多次推结的方式； 第三步:在P型衬底(I)上表面生长N-沟道外延层(3)； 第四步:采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层(3)的两端生成P型隔离区(4)；第五步:在N-沟道外延层(3)上表面生长场氧化层，所述场氧化层的厚度为300(Γ5000Α; 第六步:采用光刻工艺，在N型外延层(3)上表面进行有源区刻蚀，为后续有源区内的源漏栅区注入刻蚀出有源区； 第七步:采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层(3)上表面形成P+表面栅极区(5)，所述P+表面栅极区(5)的结深为不均匀的，具体为采用多次光刻、多次不同注入能量的方式或者采用多次光刻、多次相同能量注入和多次推结的方式； 第八步:采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层(3)上表面形成N+漏极区(6)和N+源极区(7)注入，其中P+表面栅极区(5)位于N+漏极区(6)和N+源极区(7)之间；第九步:采用光刻工艺刻蚀出接触孔； 第十步:在P+表面栅极区(5)的上端面淀积栅极金属(10)，在N+漏极区(6)的上端面淀积漏极金属(9)，在N+源极区(7)的上端面淀积源极金属(11)。
3.根据权利要求2所述的一种JFET器件的制造方法，其特征在于，所述第二步中P+埋层背面栅极区(2)的注入方式为采用3次光刻和3次不同的注入能量的方式，具体为: 一次光刻后进行P+埋层背面栅极区(2)的第一次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?40KeV ； 二次光刻后进行P+埋层背面栅极区(2)的第二次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?60KeV ； 三次光刻后进行P+埋层背面栅极区(2)的第三次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cnT2、能量20?80KeV。
4.根据权利要求2所述的一种JFET器件的制造方法，其特征在于，所述第二步中P+埋层背面栅极区(2)注入方式为采用3次光刻、3次相同能量注入和3次推结的方式，具体为: 一次光刻后进行P+埋层背面栅极区(2)第一次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950 ?1000°C、时间 25min ?30min ； 二次光刻后进行P+埋层背面栅极区(2)的第二次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度 950 ?1000°C、时间 25min ?50min ； 三次光刻后进行P+埋层背面栅极区(2)第三次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8Cm_2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温950 ?1000。。、时间 25min ?10min。
5.根据权利要求2至4任意一项所述的一种JFET器件的制造方法，其特征在于，所述第七步中P+表面栅极区(5)的注入方式为采用3次光刻和3次不同的注入能量的方式，具体为: 一次光刻后进行P+表面栅极区(5)的第一次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:lel5 ?8el8cm-2、能量 20 ?40KeV ； 二次光刻后进行P+表面栅极区(5)的第二次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?60KeV ； 三次光刻后进行P+表面栅极区(5)的第三次注入；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV。
6.根据权利要求2至4任意一项所述的一种JFET器件的制造方法，其特征在于，所述第七步中P+表面栅极区(5)注入方式为采用3次光刻、3次相同能量注入和3次推结，具体为: 一次光刻后进行P+表面栅极区(5)第一次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950 ?1000°C、时间 25min ?30min ； 二次光刻后进行P+表面栅极区(5)的第二次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950?100CTC、时间25min?50min ； 三次光刻后进行P+表面栅极区(5)第三次注入推阱；具体为采用带胶注入，离子注入条件为:剂量lel5?8el8cm-2、能量20?80KeV，推阱再分布条件为:无氧条件，温度950 ?1000。。、时间 25min ?10min。
【文档编号】H01L29/808GK104201208SQ201410425842
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月26日 优先权日:2014年8月26日
【发明者】李泽宏, 赖亚明, 刘建, 张建刚, 刘永, 伍济 申请人:电子科技大学