显示面板及制造该显示面板的方法
【专利摘要】本发明提供一种显示面板包括基板、薄膜晶体管、公共电极、公共电极线、连接电极及像素电极。所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极及连接所述源极与漏极的沟道层。所述栅极、公共电极及公共电极线均直接设置在基板上且相互断开并不直接相连。所述像素电极与漏极相连并与所述公共电极相对。所述公共电极与公共电极线通过连接电极相互连接。本发明还提供了一种制造所述显示面板的方法。
【专利说明】显示面板及制造该显示面板的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种显示面板及制造该显示面板的方法。
【背景技术】
[0002] 现有平面转动型（In-Plane Switching, IPS)液晶显示面板在形成不同电路图案 时往往需要借助对应的不同光罩来完成。因此，导致IPS液晶显示面板所需要的光罩数量 较多，成本较高。
【发明内容】
[0003] 鉴于此，有必要提供一种简化制程的显示面板及制造该显示面板的方法。
[0004] -种显示面板包括基板、薄膜晶体管、公共电极、公共电极线、连接电极及像素电 极。所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极及连接所述源极与漏极的沟道层。所述栅极、公 共电极及公共电极线均直接设置在基板上且相互断开并不直接相连。所述像素电极与漏极 相连并与所述公共电极相对。所述公共电极与公共电极线通过连接电极相互连接。
[0005] -种显示面板制造方法，所述显示面板划分为用于显示图像的显示区域及位于显 示区域外侧用于走线的非显示区域，该方法包括如下步骤： 提供一基板； 在所述基板上依次形成一金属层及覆盖在金属层上的光阻层； 利用一金属层光罩对所述光阻层进行曝光及显影以在所述金属层上形成与一薄膜晶 体管的栅极及一公共电极线对应的光阻图案； 对形成有光阻图案的基板进行蚀刻，以将所述金属层蚀刻成薄膜晶体管的栅极及公共 电极线； 在蚀刻后的基板上镀上透明导电薄膜作为一公共电极； 在所述基板上形成一栅极绝缘层以覆盖所述栅极、公共电极及公共电极线； 在所述栅极绝缘层上与所述栅极对应的位置处形成薄膜晶体管的沟道层； 在所述栅极绝缘层上对应沟道层的相对两侧分别形成薄膜晶体管的源极及漏极； 在所述栅极绝缘层上形成平坦层以覆盖所述沟道层、源极及漏极； 在所述平坦层上分别对应与漏极及公共电极线与公共电极相对应一侧的位置处开设 所述第一接触通孔及第二接触通孔； 在所述第一接触通孔内及所述平坦层上形成与漏极相连接的所述像素电极，在所述第 二接触通孔内及所述平坦层上形成与连接所述公共电极与公共电极线的连接电极。
[0006] 相对于现有需分别采用不同光罩来形成栅极及公共电极的方法，本发明实施方式 所提供的IPS显示面板只需要采用一个金属层光罩即可以在基板上形成栅极及公共电极， 可有效地减少光罩数量，降低液晶面板的制作成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0007] 图1为本发明实施方式所提供的显示面板的局部结构示意图。
[0008] 图2为图1所示的显示面板沿II-II方向的局部剖视图。
[0009] 图3为本发明实施方式所提供的显示面板的制造方法流程图。
[0010] 图4至图12为图3中步骤S801至步骤S808的显示面板结构示意图。
[0011] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种显示面板包括基板、薄膜晶体管、公共电极、公共电极线、连接电极及像素电极， 所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极及连接所述源极与漏极的沟道层，所述栅极、公共电 极及公共电极线均直接设置在基板上且相互断开并不直接相连，所述像素电极与漏极相连 并与所述公共电极相对，所述公共电极与公共电极线通过连接电极相互连接。
2. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述公共电极为透明导电膜。
3. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述公共电极与所述像素电极相对设 置，所述像素电极上开设有多条狭缝以与相对的公共电极形成平行电场。
4. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板划分为用于显示图像的 显示区域及位于显示区域外侧用于走线的非显示区域，所述公共电极仅设置在显示区域 内。
5. 如权利要求4所述的显示面板，其特征在于：进一步包括相互平行的扫描线及相互 平行的数据线，所述扫描线与数据线相互垂直绝缘相交以在显示面板的显示区域内定义多 个像素单元，所述薄膜晶体管设置在每个像素单元内的扫描线与数据线相交处，所述源极 与对应的扫描线相连接，所述漏极与对应的数据线相连接。
6. 如权利要求5所述的显示面板，其特征在于：每个像素单元内设置有至少一与数据 线相互平行的公共电极线。
7. -种显示面板制造方法，所述显示面板划分为用于显示图像的显示区域及位于显示 区域外侧用于走线的非显示区域，该方法包括如下步骤： 提供一基板； 在所述基板上依次形成一金属层及覆盖在金属层上的光阻层； 利用一金属层光罩对所述光阻层进行曝光及显影以在所述金属层上形成与一薄膜晶 体管的栅极及一公共电极线对应的光阻图案； 对形成有光阻图案的基板进行蚀刻，以将所述金属层蚀刻成薄膜晶体管的栅极及公共 电极线； 在蚀刻后的基板上镀上透明导电薄膜作为一公共电极； 在所述基板上形成一栅极绝缘层以覆盖所述栅极、公共电极及公共电极线； 在所述栅极绝缘层上与所述栅极对应的位置处形成薄膜晶体管的沟道层； 在沟道层上形成薄膜晶体管的源极及漏极； 在所述栅极绝缘层上形成平坦层； 在所述平坦层上形成与漏极相连接的所述像素电极及连接所述公共电极与公共电极 线的连接电极。
8. 如权利要求7所述的显示面板制造方法，其特征在于：在形成公共电极之后及形成 栅极绝缘层之前还包括如下步骤： 在所述基板上形成覆盖所述栅极、公共电极及公共电极线的光阻层； 在所述基板与栅极、公共电极及公共电极线相对的背侧采用紫外线光罩对位于非显示 区域上的光阻进行曝光显影以将非显示区域上的光阻层去除； 对所述基板进行蚀刻以将形成在非显示区域上的透明导电膜去除。
9. 如权利要求8所述的显示面板制造方法，其特征在于：在对所述金属层进行蚀刻的 过程中控制蚀刻的程度以使得蚀刻后的栅极及公共电极线的外边缘相对于上方的光阻图 案外边缘向内凹进一预定距离。
10.如权利要求7所述的显示面板制造方法，其特征在于：所述公共电极及像素电极的 材料为氧化铟锡。
【文档编号】H01L21/77GK104377207SQ201410434066
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年8月29日 优先权日:2014年8月29日
【发明者】王明宗, 柳智忠, 齐国杰, 刘建欣 申请人:深超光电（深圳）有限公司