键盘的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种键盘包括按压元件、导光板、光源及触发基板。按压元件具有透光区。导光板与按压元件相对配置且具有出光区、光萃取区及复数个光萃取点，其中出光区与透光区相对设置，光萃取区为光萃取点所围成的区域。光萃取区的复数个光萃取点彼此接触，且光萃取区与出光区重叠，或者完全不重叠。光源设置导光板的一侧。触发基板设置于按压元件下方。
【专利说明】
键盘
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种键盘，且特别是有关于一种具有光萃取点的键盘。
【背景技术】
[0002]传统发光键盘包括导光板及光源。导光板具有数个光萃取点，使光源发射的光线入射至光萃取点后，扩散地出光。然而，光线的行经路径愈远，其光强度愈弱，如此使得光线入射至离光源较远的光萃取点后，扩光效果相对较低，反而导致整体的出光不均匀。
【发明内容】
[0003]本发明关于一种键盘，旨在进一步改善现有技术中发光键盘整体出光不均匀的问题。
[0004]本发明公开了一种键盘，该键盘包括:按压元件，具有透光区；导光板，与该按压元件相对配置，且该导光板具有出光区、光萃取区及复数个光萃取点，其中该出光区与该透光区相对设置，该光萃取区为该复数个光萃取点所围成的区域，该光萃取区的该复数个光萃取点彼此接触，该光萃取区与该出光区重叠，或者该光萃取区与该出光区完全不重叠；光源，设置导光板的一侧；以及触发基板，设置于该按压元件下方。
[0005]作为优选的方案，该光萃取区的面积大于或等于该出光区的面积。
[0006]作为优选的方案，该导光板具有出光面，该光萃取区形成于该导光板的该出光面。
[0007]作为优选的方案，该导光板具有下表面，该光萃取区形成于该导光板的该下表面。
[0008]作为优选的方案，该导光板具有出光面及与该出光面相对的下表面，该光萃取区中的一些该光萃取点形成于该导光板的该出光面，而该光萃取区中的另一些该光萃取点形成于该导光板的该下表面。
[0009]作为优选的方案，形成于该导光板的该出光面的该些光萃取点与形成于该导光板之该下表面的该些光萃取点交错排列。
[0010]作为优选的方案，该按压元件为挠性膜。
[0011]作为优选的方案，该按压元件包括复数个按压区及复数个该透光区，各个该按压区具有对应的该透光区。
[0012]作为优选的方案，该触发基板位触控面板。
[0013]作为优选的方案，该触发基板为薄膜开关层。
[0014]作为优选的方案，该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区及第二光萃取区，其中，该第一萃取区与对应的该出光区完全不重叠；该第二光萃取区与对应的该出光区完全重叠。
[0015]作为优选的方案，该导光板具有相对的出光面与下表面，该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区，其中，该第一光萃取区与对应的该出光区完全不重叠；该第二光萃取区形成于该导光板的该出光面与该下表面；该第三光萃取区与对应的该出光区完全重叠。
[0016]作为优选的方案，该导光板具有相对的出光面与下表面，该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区，其中，该第一光萃取区与对应的该出光区完全不重叠且形成于该导光板的该出光面；该第二光萃取区与对应的该出光区完全重叠且形成于该导光板的该出光面；该第三光萃取区与对应的该出光区完全重叠且形成于该导光板的该下表面。
[0017]作为优选的方案，该导光板具有相对的出光面与下表面，包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区，其中，该第一光萃取区形成于该导光板的该出光面；该第二光萃取区形成于该导光板的该出光面及该下表面；该第三光萃取区形成于该导光板的该下表面。
[0018]作为优选的方案，该按压元件包括:键帽；底板，设置于该键帽下方；升降机构，设置于该触发基板与该键帽之间，该升降机构用以辅助该键帽相对于该底板升降；以及弹性件，设置于该触发基板与该键帽之间，该弹性件用以提供回复力使该键帽复位。
[0019]本发明还公开了一种键盘，该键盘包括:按压元件，具有透光区；导光板，设置于该按压元件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区，该出光区具有第一外周缘；
[0020]其中，该复数个光萃取点紧密排列而使该复数个萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区，该光萃取区具有第二外周缘；
[0021]其中该光萃取区中心点正对该出光区中心点，该光萃取区与该出光区重叠，且该光萃取区的该第二外周缘至少部分切齐该出光区的该第一外周缘。
[0022]本发明还公开了一种键盘，该键盘包括:按压元件，具有透光区；导光板，设置于该按压元件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区，该出光区具有第一外周缘；
[0023]其中，该些光萃取点排列紧密而使该些萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区，该光萃取区具有第二外周缘；
[0024]其中，该光萃取区的中心点正对该出光区的中心点，该光萃取区与该出光区重叠，该光萃取区的该第二外周缘至少部分超出该出光区的该第一外周缘外。
[0025]本发明还公开了一种键盘，该键盘包括:按压元件，具有透光区；导光板，设置于该按压元件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区，该出光区具有第一外周缘；
[0026]其中，该复数个光萃取点排列紧密而使该复数个萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区，该光萃取区具有第二外周缘；
[0027]其中，该光萃取区的中心点正对该出光区的中心点，该光萃取区与该出光区完全未重叠，该光萃取区的该第二外周缘围绕在该出光区的该第一外周缘外。
[0028]本发明还公开了一种键盘，该键盘包括:按压元件，具有第一透光区及第二透光区；导光板，设置于该按压兀件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该复数个光萃取点包含复数个第一光萃取点和复数个第二光萃取点，该第一透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出第一出光区，该第一出光区具有第一外周缘，该第二透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出第二出光区，该第二出光区具有第二外周缘；
[0029]光源，设置于邻近该导光板处，该第二透光区及该第一透光区沿着远离该光源方向依序排列；
[0030]其中，位于该第一出光区中的该复数个第一光萃取点排列紧密而使该复数个第一萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个第一光萃取点所占据的全部区域定义为第一光萃取区，该第一光萃取区具有第三外周缘；
[0031]其中，位于该第二出光区中的该复数个第二光萃取点排列紧密而使该复数个第二萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个第二光萃取点所占据的全部区域定义为第二光萃取区，该第二光萃取区具有第四外周缘；
[0032]其中，该第一光萃取区的中心点正对该出第一出光区的中心点，该第一光萃取区与该第一出光区重叠；
[0033]其中，该第二光萃取区的中心点正对该第二出光区的中心点，该第二光萃取区与该第二出光区完全未重叠，该第二光萃取区的该第四外周缘围绕在该第二出光区的该第二外周缘外。
[0034]作为可选的方案，该复数个光萃取点包含第一组光萃取点及第一组光萃取点，该第一组光萃取点排列在该导光板上表面，该第二组光萃取点排列在该导光板下表面，于垂直投影方向上，该第一组光萃取点的萃取点外缘切齐或部分重叠于该第二组光萃取点萃取点外缘。
[0035]作为可选的方案，每一光萃取点为圆形印刷网点，且每一萃取点外缘为圆形。
[0036]作为可选的方案，每一光萃取点为菱形凹陷缺口，且每一萃取点外缘为四边形。
[0037]作为可选的方案，每一光萃取点为圆形凹陷缺口，且每一萃取点外缘为圆形。
[0038]与现有技术相比，本发明的键盘根据光萃取点相对于透光区的位置以及其在导光板出光面或者下表面的位置设置差异，使得离光源远近不同位置的光萃取点对入射光的扩光效果产生差异，从而有效解决了导光板上不同位置离光源远近而引起的出光不均匀的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0039]图1绘示本发明一实施例的键盘的分解图。
[0040]图2A绘示图1中导光板于第一实施例中的局部俯视图。
[0041]图2B绘示图2A中导光板沿方向2B-2B’的剖视图。
[0042]图3绘示图2B中光萃取点的另一种设置示意图。
[0043]图4绘示图2B中光萃取点的又一种设置示意图。
[0044]图5A绘示图1中导光板于第二实施例中的局部俯视图。
[0045]图5B绘示图5A中导光板沿方向5B-5B’的剖视图。
[0046]图6绘不图5B中光萃取点的另一种设置不意图。
[0047]图7绘示本发明第三实施例中光萃取点的设置示意图。
[0048]图8绘示本发明数个光萃取区的一种配置图。
[0049]图9绘示本发明数个光萃取区的另一种配置图。
[0050]图10绘示本发明数个光萃取区的又一种配置图。
[0051]图11绘示依照本发明另一实施例中键盘的局部剖视图。
[0052]【符号说明】
[0053]100:键盘
[0054]110、210:按压元件
[0055]lll、110a、110b、110c、110d、110e、110f、110g、110h、1101:透光区
[0056]112:遮光层
[0057]113:按压区
[0058]120:光源
[0059]130,230:触发基板
[0060]140:导光板[0061 ]140b:下表面
[0062]140s:入光侧面
[0063]140u:出光面
[0064]141、141a、141b、141c、141d、141e、141f、141g、141h、1411:出光区
[0065]142、142a、142b、142c、142d、142e、142f、142g、142h、1421:光萃取区
[0066]1421、1421， 、1421 " 、1421a、1421b、1421c、1421d、1421e、1421f、1421g、1421h、1421?:光萃取点
[0067]150:反射片
[0068]211:键帽
[0069]212:底板
[0070]213:升降机构
[0071]214:弹性件
[0072]231:第一薄膜
[0073]232:第二薄膜
[0074]233:间隔层
[0075]233a:开孔
[0076]234:第一导电体
[0077]235:弹性件
[0078]L:光线
【具体实施方式】
[0079]为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。
[0080]图1绘示本发明一实施例的键盘的分解图。键盘100包括按压元件110、光源120、触发基板130、导光板140及反射片150。
[0081]按压元件110例如是挠性膜。按压元件110具有数个透光区111。此些透光区111定义不同或相同的图案，此处的图案指的是符号、文字、数字或几何图形，以提供对应的按键功能识别。本实施例中，按压元件110包括图案化遮光层112，图案化遮光层112的镂空部定义此些透光区111。此外，按压元件110更包括数个按压区113，各按压区113具有对应的透光区111。按压区113提供适当或足够面积供手指或触控笔按压，如图1所示，按压区113包括透光区111以及透光区111周围图案化遮光层112的部分遮光区域，以使得该按压区113在光源120点亮时呈现出一部分透光、另一部分不透光的状态，从而提高较好的按键功能识别度。
[0082]光源120设置于导光板140的一侧，例如，光源120邻近导光板140的入光侧面140s设置。光源120发射光线L从导光板140的入光侧面140s进入导光板140内部,并受到导光板140的引导而从导光板140的出光面140u出光。出光后的光线L照射至图案化遮光层112而从透光区111射出。反射片150设于导光板140的下表面140b,可将入射至反射片150的光线L反射回导光板140内，避免光线L从导光板140的下表面140b漏光，同时也提高了光线的整体利用率。其中，导光板140的出光面140u与导光板140的下表面140b相对,且按照常规习惯，出光面140u也可称之为导光板140的上表面，以与下表面的140b相对应。
[0083]触发基板130设置于按压元件110下方。当手指或触控笔按压或轻触按压元件110，触发基板130据以产生对应的触控信号。本实施例中，触发基板130为触控面板，例如是电阻式触控面板、电容式触控面板、投射电容式触控面板(Projected CapacitanceTouch Panel, PCT)、声波感应触控面板、光学感应式触控面板、红外线感应式触控面板或电磁感应式触控面板。
[0084]导光板140与按压元件110相对配置，例如，导光板140设于按压元件110下方。导光板140具有数个出光区141及光萃取区142 (绘示于图2A)，其中出光区141为透光区111垂直向下投影至导光板140上的区域，此处的垂直投影方向指的是沿导光板140的厚度方向(即对应图1的上下方向)。出光区141具有第一外周缘(如图示标号141的虚线)。
[0085]图2A绘示图1中导光板于第一实施例中的局部俯视图。光萃取区142为数个光萃取点1421的分布区域。于一实施例中，光萃取点1421可以为圆形印刷网点，在此设计下，萃取点外缘为圆形。另一实施例中，光萃取点1421为导光板上菱形凹陷缺口，在此设计下，萃取点外缘为四边形。于其它实施例中，光萃取点1421还可以为导光板上圆形凹陷缺口，在此设计下，萃取点外缘为圆形。
[0086]进一步地说,各光萃取点1421具有萃取点外缘(未标示)，此些光萃取点1421排列紧密而使此些萃取点外缘相互切齐或部分重叠，此些光萃取点1421所占据的全部区域定义为光萃取区142，光萃取区142具有第二外周缘(如图示标号142的虚线)。在一实施例中，光萃取区142的中心点正对出光区141的中心点，光萃取区142与出光区141重叠，且光萃取区142的第二外周缘至少部分切齐出光区141的第一外周缘；或者，光萃取区142的中心点正对出光区141的中心点，光萃取区142与出光区141重叠，光萃取区142的第二外周缘至少部分超出出光区141的第一外周缘外，亦即光萃取区142至少部分延伸到出光区141外；或者，光萃取区142的中心点正对出光区141的中心点，光萃取区142与出光区141完全未重叠，光萃取区142的第二外周缘围绕在出光区141的第一外周缘之外。
[0087]本实施例中，光萃取区142内的光萃取点1421彼此接触，以增加光萃取点1421的分布密度，进而增加通过光萃取区142的光线经过光萃取点1421的机率。于实施例中，光萃取区142与出光区141重叠，其中光萃取区142的面积大于出光区141的面积，在此设计下，光萃取点1421超过出光区141的第一外周缘，然本发明实施例不受此限制。另一实施例中，光萃取区142的面积大致上等于出光区141的面积，在此设计下，光萃取点1421刚好接触出光区141的第一外周缘。另一实施例中，光萃取区142的面积可略小于出光区141的面积，也就是说，光萃取点1421不超过出光区141的第一外周缘。另一实施例中，光萃取区142的一部分可超过出光区141，而另一部分不超过出光区141，也就是说，至少一光萃取点1421超过出光区141的第一外周缘，而另一光萃取点1421可位于出光区141的第一外周缘内。
[0088]图2B绘示图2A中导光板沿方向2B-2B’的剖视图。导光板40内的光线L入射至光萃取点1421后往出光区141的方向扩光(漫射)，然后经由按压元件110的透光区111出光，使透光区111的图案透过光线L显示出来。本实施例中，对应一个出光区141的所有光萃取点1421与出光区141重叠。此外，本实施例中，对应一个出光区141的所有光萃取点1421皆设于导光板140的下表面140b，然本发明实施例不受此限。
[0089]图3绘示图2B中光萃取点的另一种设置示意图。本实施例中，与图2B相似的，对应一个出光区141的所有光萃取点1421与出光区141重叠，但所有光萃取点1421皆设于导光板140的出光面140u。
[0090]图4绘不图2B中光萃取点的另一种设置不意图。本实施例中，对应一个出光区141的所有光萃取点1421与出光区141重叠，其中一些光萃取点1421设于导光板140的出光面140u，而另一些光萃取点1421可设于导光板140的下表面140b。具体而言，对应一个出光区141的此些光萃取点1421包括数个第一光萃取点1421’及数个第二光萃取点1421”，其中第一光萃取点1421’形成于导光板140的出光面140u,而第二光萃取点1421”形成于导光板140的下表面140b,第一光萃取点1421’与第二光萃取点1421”彼此交错排列，即第一光萃取点1421’与第二光萃取点1421”彼此不重叠。本实施例中,此些第一光萃取点1421’区分成二个分离的光萃取点群；另一实施例中，此些第一光萃取点1421’可区分成二个以上彼此分离的光萃取点群，或是只有一个光萃取点群。相似地，于实际设计中，此些第二光萃取点1421”亦可区分成二个或二个以上彼此分离的光萃取点群。
[0091]图5A绘示图1中导光板于第二实施例中的局部俯视图。本实施例中，光萃取区142与出光区141完全不重叠。本实施例中，对应一个出光区141的此些光萃取点1421的至少二者直接或间接接触。另一实施例中，对应一个出光区141的此些光萃取点1421的至少二者可彼此分离。
[0092]图5B绘示图5A中导光板沿方向5B-5B’的剖视图。由图可知，对应一个出光区141的所有光萃取点1421与出光区141完全不重叠，且皆设于导光板140的下表面140b，然本发明实施例不受此限。
[0093]图6绘示图5B中光萃取点的另一种设置示意图。本实施例中，对应一个出光区141的所有光萃取点1421与出光区141完全不重叠,且设于导光板140的出光面140u。
[0094]图7绘示本发明第三实施例中光萃取点的设置示意图。本实施例中，对应一个出光区141的此些光萃取点1421包括数个第一光萃取点1421’及数个第二光萃取点1421”，其中第一光萃取点1421’形成于导光板140的出光面140u,而第二光萃取点1421”形成于导光板140的下表面140b。于此实施例中，所有第一光萃取点1421’与出光区141重叠,而所有第二光萃取点1421”与出光区141不重叠。另一实施例中，此些第一光萃取点1421’的至少一部分可与出光区141不重叠，或者此些第二光萃取点1422”的至少一部分可与出光区141重叠，亦或，此些第一光萃取点1421’的至少一部分可与出光区141不重叠且此些第二光萃取点1422”的至少一部分可与出光区141重叠。
[0095]综上可知，对应一个出光区141的所有光萃取点1421可以与出光区141重叠，或与出光区141不重叠；或者，对应一个出光区141的所有光萃取点1421的一些可与出光区141重叠，而另一些出光区141不重叠。此外，对应一个出光区141的所有光萃取点1421可以皆设于导光板140的出光面140u或下表面140b ;或者，对应一个出光区141的所有光萃取点1421的一些设于导光板140的出光面140u，而另一些设于导光板140的下表面140b。
[0096]当光萃取点1421的配置位置不同时，其对光线扩光效果也不同。例如，相较于光萃取区142设于导光板140的出光面140u的设计而言,于光萃取区142设于导光板140的下表面140b的设计中，光萃取点1421对光线L的扩光效果更佳。相较于光萃取区142与出光区141不重叠的设计而言，在光萃取区142与出光区141重叠的设计中，光萃取点1421对光线L的扩光效果更佳。藉此，通过对不同位置的光萃取区142的光萃取点1421进行设计，让光萃取区142的扩光效果正比于其相距光源120的距离(S卩，愈远离光源120的光萃取区，其扩光效果愈好)，使得从按压元件110的各透光区111出光的光线L的光强度接近一致，进而使整体出光均匀。
[0097]图8绘示本发明数个光萃取区的一种配置图。按压元件110具有数个光萃取区142及数个出光区141，其中，光萃取区142例如是光萃取区142a、142b及142c，而出光区141例如是出光区141a、141b及141c。于一种配置中，此些光萃取区142从光源120往远离光源120方向的变化关系依序为:(I)此些光萃取区142其中之一者与对应的出光区141完全不重叠；(2)此些光萃取区142其中之另一者与对应的出光区141完全重叠。举例来说，光萃取区142a比光萃取区142c靠近光源120，故(I)较接近光源120的光萃取区142a与对应的出光区141a完全不重叠；而(2)较远离光源120的光萃取区142c与对应之出光区141c完全重叠。相较于设于出光面140u的光萃取区142a的光萃取点1421a，设于下表面140b的光萃取区142c的光萃取点1421c对光线L的扩光效果较强。由于光萃取区142c的光萃取点1421c对光线L的扩光效果较强，即使入射到光萃取点1421c的光线L弱于入射到光萃取点1421a的光线L，透过光萃取点1421c较强的扩光效果，仍可使从透光区Illa及透光区Illc出光的光强度接近，其中透光区Illa比透光区Illc更靠近光源120。
[0098]如图8所示，另一实施例中，此些光萃取区142从光源120往远离光源120方向的变化关系依序为:(I)此些光萃取区142其中之一者与对应的出光区141完全不重叠；(2)此些光萃取区142其中之另一者形成于导光板140的出光面140u与下表面140b ;以及(3)此些光萃取区142其中之又一者与对应的出光区141完全重叠。举例来说，光萃取区142a比光萃取区142b靠近光源120，而光萃取区142b比光萃取区142c靠近光源120，其中:(I)最接近光源120的光萃取区142a与对应的出光区141a完全不重叠；(2)次接近光源120的光萃取区142b的光萃取点1421b的一些形成于导光板140的出光面140u且另一些形成于导光板140的下表面140b ;而(3)离光源120最远的光萃取区142c与对应的出光区141c完全重叠。
[0099]光萃取点1421a、1421b与1421c对光线L的扩光效果由弱至强的顺序为光萃取点1421a、1421b与1421c。如此，即使入射到光萃取点1421c的光线L弱于入射到光萃取点1421b的光线L，透过光萃取点1421c较强的扩光效果，仍可使得从透光区Illb及透光区Illc出光的光强度接近，其中透光区Illb比透光区Illc更靠近光源120。相似地，即使入射到光萃取点1421b的光线L虽弱于入射到光萃取点1421a的光线L，然透过光萃取点1421b较强的扩光效果，仍可使得从透光区Illb及透光区Illa出光的光强度接近，其中透光区Illa比透光区Illb更靠近光源120。
[0100]图9绘示本发明数个光萃取区的另一种配置图。按压元件110具有数个光萃取区142及数个出光区141，其中例如是光萃取区142d、142e及142f，而出光区141例如是出光区141d、141e及141f。此些光萃取区142从光源120往远离光源120方向的变化关系依序为:(1)此些光萃取区142其中之一者与对应的出光区141完全不重叠且形成于导光板140的出光面140u ； (2)此些光萃取区142其中之另一者与对应的出光区141完全重叠且形成于导光板140的出光面140u ;及(3)此些光萃取区142其中之又一者与对应的出光区141完全重叠且形成于导光板140的下表面140b。举例来说，光萃取区142d比光萃取区142e靠近光源120，而光萃取区142e比光萃取区142f靠近光源120，其中:(I)最接近光源120的光萃取区142d的所有光萃取点1421d与对应的出光区141d完全不重叠且形成于导光板140的出光面140u ； (2)次接近光源120的光萃取区142e的所有光萃取点1421e与对应的出光区141e完全重叠且形成于导光板140的出光面140u ;而(3)离光源120最远的光萃取区142f的所有光萃取点1421f与对应的出光区141f完全重叠且形成于导光板140的下表面140b。
[0101]光萃取点1421d、1421e与1421f对光线L的扩光效果由弱至强的顺序为光萃取点1421d、1421e与1421f。如此，即使入射到光萃取点1421f的光线L弱于入射到光萃取点1421e的光线L，然透过光萃取点1421f较强的扩光效果，仍可使得从透光区Illf及透光区Ille出光的光线强度接近，其中透光区Ille比透光区Illf更靠近光源120。相似地，即使入射到光萃取点1421e的光线L弱于入射到光萃取点1421d的光线L，透过光萃取点1421e较强的扩光效果，仍可使得从透光区Ille及透光区Illd出光的光线强度接近，其中透光区Illd比透光区Ille更靠近光源120。
[0102]图10绘示本发明数个光萃取区的又一种配置图。按压元件110具有数个光萃取区142及数个出光区141，其中光萃取区142例如是光萃取区142g、142h及142i，而出光区141例如是出光区141g、141h及141i。此些光萃取区142从光源120往远离光源120方向的变化关系依序为:(I)此些光萃取区其中之一者整个形成于导光板140的出光面140u ；
(2)此些光萃取区其中之另一者形成于导光板140的出光面140u及下表面140b ;及(3)此些光萃取区其中之又一者整个形成于导光板140的下表面140b。举例来说，光萃取区142i比光萃取区142h远离光源120，而光萃取区142h比光萃取区142g远离光源120，其中:(I)最接近光源120的光萃取区142g的所有光萃取点1421g形成于导光板140的出光面140u ；
(2)次接近光源120的光萃取区142h的所有光萃取点1421h的一些形成于导光板140的出光面140u，而另一些形成于下表面140b ;及(3)离光源120最远的光萃取区142i的所有光萃取点1421i形成于导光板140的下表面140b。
[0103]光萃取点1421g、1421h及1421i对光线L的扩光效果由弱至强的顺序为光萃取点1421g、1421h及1421i。如此，即使入射到光萃取点1421i的光线L弱于入射到光萃取点1421h的光线L，透过光萃取点1421i较强的扩光效果，仍可使从透光区Illi及透光区Illh出光的光强度接近，其中，透光区Illh比透光区Illi更靠近光源120。相似地，即使入射到光萃取点1421h的光线L弱于入射到光萃取点1421g的光线L,透过光萃取点1421h较强的扩光效果，仍可使从透光区Illh及透光区Illg出光的光强度接近，其中透光区Illg比透光区Illh更靠近光源120。
[0104]图11绘示依照本发明另一实施例中键盘的局部剖视图。键盘200包括数个按压元件210 (图11仅绘示一个)、光源120 (未绘示)、触发基板230及导光板140。
[0105]按压元件210包括键帽211、底板212、升降机构213、弹性件214及图案化遮光层112。底板212设置于键帽211下方，升降机构213设置于触发基板230与键帽211之间，用以辅助键帽211相对于底板212升降。弹性件214设置于触发基板230与键帽211之间，用以提供回复力使键帽211复位。图案化遮光层112设于键帽211上，且具有透光区111。透光区111定义一图案，以提供对应的按键功能识别。
[0106]本实施例中，触发基板230为薄膜开关层，其设于底板212与键帽211之间。触发基板230包括第一薄膜231、第二薄膜232、间隔层233、第一导电体234及第二导电体235。间隔层233位于第一薄膜231与第二薄膜232之间，且具有开孔233a。第一导电体234形成于第一薄膜231上,而第二导电体235形成于第二薄膜232上,且第一导电体234与第二导电体235相对配置。第一导电体234与第二导电体235的位置对应开孔233a。当键帽211受到按压时会带动弹性件214形变，形变的弹性件214施压于触发基板230，使第一导电体234与第二导电体235透过开孔233a电性连接，并透过所连接的电路输出按键信号。升降机构213设置于键帽211与触发基板230之间，可活动地连接键帽211与触发基板230，使键帽211相对于触发基板230可上下活动。
[0107]本实施例中，导光板140设于按压元件210下方。导光板140具有数个出光区141 (图11仅绘示一个)及数个光萃取区142 (图11仅绘示一个)，其中出光区141为透光区111垂直投影至导光板140的区域。光萃取区142为数个光萃取点1421的分布区域。本实施例中，光萃取区142内的光萃取点1421的分布型态相似于上述图1至图10所述的实施例的光萃取点，容此不再赘述。
[0108]此外，光萃取区141的设置位置决定扩光效果。以(I)光萃取区142与出光区141完全重叠且位于导光板140的出光面140u(2)光萃取区142与出光区141完全重叠且位于导光板140的下表面140b (3)光萃取区142与出光区141完全重叠且同时位于导光板140的出光面140u与下表面140b ； (4)光萃取区142与出光区141完全不重叠且位于导光板140的出光面140u ； (5)光萃取区142与出光区141完全不重叠且位于导光板140的下表面140b ;以及(6)光萃取区142与出光区141完全不重叠且同时位于导光板140的出光面140u与下表面140b来说，扩光效果由优至劣分别是(2) > (3) > (I) > (5) > (6) > (4)。如此一来，光萃取区142离光源越远者，扩光效果越佳；反之则愈差，以与导光板140的光强离光源越远越弱的变化趋势相匹配，从而达到离光源远或者近的导光板出光面出光效果一致，即实现导光板的均勻出光。
[0109]综合上述，此些光萃取点1421可包含第一组光萃取点及第二组光萃取点。第一组光萃取点可排列在导光板140的上表面或第二组光萃取点可排列在导光板140的下表面，或者第一组光萃取点可排列在导光板140的上表面及下表面。从垂直投影方向观看，第一组光萃取点的萃取点外缘切齐或部分重叠于第二组光萃取点的萃取点外缘。
[0110]相比于现有技术，本发明的键盘根据光萃取点相对于透光区的位置以及其在导光板出光面或者下表面的位置设置差异，使得离光源远近不同位置的光萃取点对入射光的扩光效果产生差异，从而有效解决了导光板上不同位置离光源远近而引起的出光不均匀的问题。
[0111]本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已揭露的实施例并未限制本发明的范围。相反地，在不脱离本发明的精神和范围内所作的更动与润饰，均属本发明的专利保护范围。
【权利要求】
1.一种键盘，其特征在于，该键盘包括: 按压元件，具有透光区； 导光板，与该按压元件相对配置，且该导光板具有出光区、光萃取区及复数个光萃取点，其中该出光区与该透光区相对设置，该光萃取区为该复数个光萃取点所围成的区域，该光萃取区的该复数个光萃取点彼此接触，该光萃取区与该出光区重叠，或者该光萃取区与该出光区完全不重叠； 光源，设置导光板的一侧；以及 触发基板，设置于该按压元件下方。
2.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该光萃取区的面积大于或等于该出光区的面积。
3.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该导光板具有出光面，该光萃取区形成于该导光板的该出光面。
4.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该导光板具有下表面，该光萃取区形成于该导光板的该下表面，该下表面与该导光板设有该出光区的一面相对。
5.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该导光板具有出光面及与该出光面相对的下表面，该光萃取区中的一些该光萃取点形成于该导光板的该出光面，而该光萃取区中的另一些该光萃取点形成于该导光板的该下表面。
6.如权利要求5所述的键盘，其特征在于，形成于该导光板的该出光面的该些光萃取点与形成于该导光板的该下表面的该些光萃取点交错排列。
7.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该按压元件为挠性膜。
8.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该按压元件包括复数个按压区及复数个该透光区，各个该按压区具有对应的该透光区。
9.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该触发基板为触控面板。
10.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该触发基板为薄膜开关层。
11.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区及第二光萃取区，其中，该第一萃取区与对应的该出光区完全不重叠；该第二光萃取区与对应的该出光区完全重叠。
12.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该导光板具有相对的出光面与下表面，该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区，其中，该第一光萃取区与对应的该出光区完全不重叠；该第二光萃取区形成于该导光板的该出光面与该下表面；该第三光萃取区与对应的该出光区完全重叠。
13.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该导光板具有相对的出光面与下表面，该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区，其中，该第一光萃取区与对应的该出光区完全不重叠且形成于该导光板的该出光面；该第二光萃取区与对应的该出光区完全重叠且形成于该导光板的该出光面；该第三光萃取区与对应的该出光区完全重叠且形成于该导光板的该下表面。
14.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该导光板具有相对的出光面与下表面，包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区，其中，该第一光萃取区形成于该导光板的该出光面；该第二光萃取区形成于该导光板的该出光面及该下表面；该第三光萃取区形成于该导光板的该下表面。
15.如权利要求1所述的键盘，其特征在于，该按压元件包括: 键帽； 底板，设置于该键帽下方； 升降机构，设置于该触发基板与该键帽之间，该升降机构用以辅助该键帽相对于该底板升降；以及 弹性件，设置于该触发基板与该键帽之间，该弹性件用以提供回复力使该键帽复位。
16.一种键盘，其特征在于，该键盘包括: 按压元件，具有透光区； 导光板，设置于该按压兀件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区，该出光区具有第一外周缘； 其中，该复数个光萃取点紧密排列而使该复数个萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区，该光萃取区具有第二外周缘； 其中该光萃取区中心点正对该出光区中心点，该光萃取区与该出光区重叠，且该光萃取区的该第二外周缘至少部分切齐该出光区的该第一外周缘。
17.一种键盘，其特征在于，该键盘包括: 按压元件，具有透光区； 导光板，设置于该按压兀件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区，该出光区具有第一外周缘； 其中，该些光萃取点排列紧密而使该些萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区，该光萃取区具有第二外周缘； 其中，该光萃取区的中心点正对该出光区的中心点，该光萃取区与该出光区重叠，该光萃取区的该第二外周缘至少部分超出该出光区的该第一外周缘外。
18.一种键盘，其特征在于，该键盘包括: 按压元件，具有透光区； 导光板，设置于该按压兀件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区，该出光区具有第一外周缘； 其中，该复数个光萃取点排列紧密而使该复数个萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区，该光萃取区具有第二外周缘； 其中，该光萃取区的中心点正对该出光区的中心点，该光萃取区与该出光区完全未重叠，该光萃取区的该第二外周缘围绕在该出光区的该第一外周缘外。
19.一种键盘，其特征在于，该键盘包括: 按压元件，具有第一透光区及第二透光区； 导光板，设置于该按压兀件下方，该导光板具有复数个光萃取点，每一光萃取点具有萃取点外缘，该复数个光萃取点包含复数个第一光萃取点和复数个第二光萃取点，该第一透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出第一出光区，该第一出光区具有第一外周缘，该第二透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出第二出光区，该第二出光区具有第二外周缘； 光源，设置于邻近该导光板处，该第二透光区及该第一透光区沿着远离该光源方向依序排列； 其中，位于该第一出光区中的该复数个第一光萃取点排列紧密而使该复数个第一萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个第一光萃取点所占据的全部区域定义为第一光萃取区，该第一光萃取区具有第三外周缘； 其中，位于该第二出光区中的该复数个第二光萃取点排列紧密而使该复数个第二萃取点外缘相互切齐或部分重叠，该复数个第二光萃取点所占据的全部区域定义为第二光萃取区，该第二光萃取区具有第四外周缘； 其中，该第一光萃取区的中心点正对该出第一出光区的中心点，该第一光萃取区与该第一出光区重叠； 其中，该第二光萃取区的中心点正对该第二出光区的中心点，该第二光萃取区与该第二出光区完全未重叠，该第二光萃取区的该第四外周缘围绕在该第二出光区的该第二外周缘外。
20.如权利要求16至19项中任何一项所述的键盘，其特征在于，该复数个光萃取点包含第一组光萃取点及第一组光萃取点，该第一组光萃取点排列在该导光板上表面,该第二组光萃取点排列在该导光板下表面，于垂直投影方向上，该第一组光萃取点的萃取点外缘切齐或部分重叠于该第二组光萃取点的萃取点外缘，其中该导光板上表面为出光面。
21.如权利要求16至19项中任何一项所述的键盘,其特征在于,每一光萃取点为圆形印刷网点，且每一萃取点外缘为圆形。
22.如权利要求16至19项中任何一项所述的键盘，其特征在于，每一光萃取点为菱形凹陷缺口，且每一萃取点外缘为四边形。
23.如权利要求16至19项中任何一项所述的键盘,其特征在于,每一光萃取点为圆形凹陷缺口，且每一萃取点外缘为圆形。
【文档编号】H01H13/83GK104319143SQ201410522661
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】江英德, 支劭祺, 赵令溪 申请人:苏州达方电子有限公司, 达方电子股份有限公司