一种改善muf工艺基板外围溢料的基板及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法，由基板和基板凹槽组成，所述基板凹槽在基板的外沿面的内侧。所述基板凹槽深度大于20um，宽度大于20um。所述制造方法：在基板的外沿面的内侧制作基板凹槽。本发明能显著改善MUF工艺基板外围溢料的问题。
【专利说明】一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子封装【技术领域】，具体是一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着FlipChip封装技术的日渐成熟，塑封采用MUF工艺对bump区域进行填充，由于MUF工艺采用填充颗粒很小的塑封料，一般小于20um，这样不可避免的造成塑封过程中基板外围产生溢料，影响塑封自动出料及后面工序的自动上下料，导致UPH低下。虽然现有一种通过改变模具设计，在垂直于外围排气槽设计一排缓冲区域来减少溢料，但不可避免的要投资新模具，并且模具设计的这个凹槽清模困难，很容易造成塑封料残留，影响排气效果，造成排气不畅。在产品外形上模具的凹槽位置对应的基板位置形成了一个条状凸起，后面工序的进出料系统必须改造，需要资金投入。
【发明内容】
[0003]本发明是基于基板设计来改善MUF工艺溢料问题，通过在基板外围排气槽位置设计一条垂直于排气槽的凹槽，使得溢料部分留在基板凹槽内，不扩散到基板外围，并且凹槽内的溢料与基板向平，从而不影响自动上下料，本发明无需投资，可以在基板设计之初设计这个凹槽，也可以利用激光对来料的基板进行凹槽处理。
[0004]一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，由基板和基板凹槽组成，所述基板凹槽在基板的外沿面的内侧。
[0005]所述凹槽深度大于20um，宽度大于20um。
[0006]一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板的制造方法，在基板的外沿面的内侧制作基板凹槽。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为基板上带有凹槽的主视图；
[0008]图2为基板上带有凹槽的右视图。
[0009]图中，I为基板，2为基板凹槽。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本发明做进一步的描述。
[0011]如图1和图2所示，一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，由基板I和基板凹槽2组成，所述基板凹槽2在基板I的外沿面的内侧。
[0012]所述基板凹槽2深度大于20um，宽度大于20um。
[0013]一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板的制造方法，在基板I的外沿面的内侧制作基板凹槽2。
【权利要求】
1.一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，其特征在于，由基板⑴和基板凹槽⑵组成，所述基板凹槽(2)在基板(I)的外沿面的内侧。
2.根据权利要求1所述的一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，其特征在于，所述基板凹槽⑵深度大于20um，宽度大于20um。
3.一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板的制造方法，其特征在于，在基板(I)的外沿面的内侧制作基板凹槽(2)。
【文档编号】H01L23/13GK104485312SQ201410843756
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年12月30日 优先权日:2014年12月30日
【发明者】陈文钊, 于大全, 谌世广, 刘卫东 申请人:华天科技（西安）有限公司