一种抗静电的led的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种抗静电的LED，所述的一种抗静电的LED包括芯片、电极、封装、下层环氧树脂和掺有抗静电剂的上层环氧树脂，所述的封装为中部设有凹槽的六面体，此封装掺有抗静电剂，所述的芯片安装在凹槽的底部中心，所述的电极连接在芯片正负极两端，伸出封装外，所述的下层环氧树脂直接接触凹槽底部的芯片，所述的掺有抗静电剂的上层环氧树脂在下层环氧树脂之上。本实用新型通过在封装和上层环氧树脂中掺入抗静电剂，从而使得LED具有抗静电的特性。
【专利说明】—种抗静电的LED
【技术领域】
[0001]本实用新型公开了一种LED，特别是一种抗静电的LED。
【背景技术】
[0002]随着社会的发展，LED已广泛地被应用在各行各业之中。LED的主要结构为芯片、连接在在芯片上的正负极管脚以及密封包覆晶片的封装。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电荷。若电荷得不到及时释放，将在两个电极上形成的较高电位差，当电荷能量达到LED的承受极限值，电荷将会在瞬间释放。在极短的瞬间对LED芯片的两个电极之间进行放电，瞬间将在两个电极之间的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温，温度高达1400°C，这种极端高温下将两电极之间的材料层熔融，熔成一个小洞，从而造成各类漏电、死灯、变暗的异常现象。
实用新型内容
[0003]针对以上问题，本发明公开了一种抗静电的LED，将抗静电剂分别掺入凹槽底部上层环氧树脂中和封装内，在保证LED显示质量的同时，降低摩擦系数、抑制和减少静电荷产生，增加导电性，提高了 LED的可靠性。
[0004]本实用新型公开了一种抗静电的LED，所述的一种抗静电的LED包括芯片、电极、封装、下层环氧树脂和掺有抗静电剂的上层环氧树脂，所述的封装为中部设有凹槽的六面体，此封装掺有抗静电剂，所述的芯片安装在凹槽的底部中心，所述的电极连接在芯片正负极两端，伸出封装外，所述的下层环氧树脂直接接触凹槽底部的芯片，所述的掺有抗静电剂的上层环氧树脂在下层环氧树脂之上。
[0005]本实用新型公开的一种抗静电的LED，在封装内掺入抗静电剂。
[0006]本实用新型公开的一种抗静电的LED，在凹槽底部上层环氧树脂中掺入抗静电剂。
[0007]本实用新型公开的一种抗静电的LED，直接接触凹槽底部芯片的下层环氧树脂不添加或可添加微量抗静电剂。
[0008]本实用新型公开的一种抗静电的LED，在凹槽底部上层环氧树脂中掺入的抗静电剂质量百分比为0.1-20%。
[0009]本实用新型公开的一种抗静电的LED，掺入的抗静电剂可以为高分子永久型、阳离子型，阴离子型，两性型或非离子型。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1.本实用新型公开的一种抗静电的LED结构示意图
[0011]1.芯片2.电极3.封装
[0012]4.下层环氧树脂 5.掺有抗静电剂的上层环氧树脂【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和【具体实施方式】，进一步阐明本实用新型，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0014]如图一所示，本实用新型公开了一种抗静电的LED，所述的一种抗静电的LED包括芯片1、电极2、封装3、下层环氧树脂4和掺有抗静电剂的上层环氧树脂5，所述的封装3为中部设有凹槽6的六面体，此封装3掺有抗静电剂，所述的芯片I安装在凹槽6的底部中心，所述的电极2连接在芯片I正负极两端，伸出封装外，所述的下层环氧树脂4直接接触凹槽6底部的芯片1，所述的掺有抗静电剂的上层环氧树脂5在下层环氧树脂4之上。
[0015]作为一种优选，在封装内掺入抗静电剂。
[0016]作为一种优选，在凹槽底部上层环氧树脂中掺入抗静电剂。
[0017]作为一种优选，直接接触凹槽底部芯片的下层环氧树脂不添加或可添加微量抗静电剂。
[0018]作为一种优选，在凹槽底部上层环氧树脂中掺入的抗静电剂质量百分比为
0.1-20%O
[0019]作为一种优选，掺入的抗静电剂可以为高分子永久型、阳离子型，阴离子型，两性型或非离子型。
【权利要求】
1.一种抗静电的LED,其特征在于:所述的一种抗静电的LED包括芯片、电极、封装、下层环氧树脂和掺有抗静电剂的上层环氧树脂，所述的封装为中部设有凹槽的六面体，此封装掺有抗静电剂，所述的芯片安装在凹槽的底部中心，所述的电极连接在芯片正负极两端，伸出封装外，所述的下层环氧树脂直接接触凹槽底部的芯片，所述的掺有抗静电剂的上层环氧树脂在下层环氧树脂之上。
2.根据权利要求1所述的抗静电的LED，其特征在于:直接接触凹槽底部芯片的下层环氧树脂不含有抗静电剂。
3.根据权利要求1所述的抗静电的LED，其特征在于:在凹槽底部上层环氧树脂中掺入的抗静电剂质量百分比为0.1-20%。
4.根据权利要求1所述的抗静电的LED，其特征在于:掺入的抗静电剂可以为高分子永久型、阳离子型，阴离子型，两性型或非离子型。
【文档编号】H01L23/60GK203826432SQ201420060215
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年2月10日 优先权日:2014年2月10日
【发明者】朱长进, 于振波, 周梦雅 申请人:南京菱亚汽车技术研究院