高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片，是一种能量损耗性射频/微波元件，其包括一高导热氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线,所述导线间印刷有5个膜状电阻，所述5个膜状电阻有两个电阻值相同,所述膜状电阻通过串并联电路对电信号起到衰减作用,通过控制所述膜状电阻的电阻值,得到需要的衰减值。该衰减片体积小，成本低，低插损，驻波比小，衰减精度高，频率使用范围广，与大规模集成电路生产工艺兼容，适合大批量生产。
【专利说明】高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种氧化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片。
【背景技术】
[0002]衰减片为使输出端口提供的功率小于输入端口的入射功率而设计的双端口器件，是一种能量损耗性射频/微波元件，衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定
[0003]目前集成了五个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。
[0004]由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
【发明内容】
[0005]针对上述现有技术的不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种阻抗满足83.5±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为6±0.5dB，驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案:
[0007]1.一种高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片，其包括一高导热氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线，所述导线间印刷有5个膜状电阻，所述5个膜状电阻有两个电阻值相同，所述膜状电阻通过串并联电路对电信号起到衰减作用，通过控制所述膜状电阻的电阻值，得到需要的衰减值。
[0008]优选的，所述衰减电路由低温银浆接地导通。
[0009]优选的，所述电路的5个膜状电阻均印有一层高温玻璃保护膜。
[0010]上述技术方案具有如下有益效果:该高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片体积小，成本低，低插损，驻波比小，衰减精度高，频率使用范围广，与大规模集成电路生产工艺兼容，适合大批量生产可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
[0011]上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细介绍。
[0014]如图1所示，该高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片包括一高导热氧化铝基板1，高导热氧化铝基板I的背面印刷有导体层，导体层由印刷银浆印刷而成。高导热氧化铝基板I的正面印刷有电阻Rl、R2、R3、R4、R5及银浆导线2，银浆导线2将电阻Rl、R2、R3、R4、R5连接起来形成一 Ji型结构的衰减电路，电阻町、1?2、1?3、1?4、1?5上均印刷有玻璃保护膜3，玻璃保护膜3用于保护电阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5。在整个电路即银浆导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，黑色保护膜4可对整个电路进行包护。
[0015]该高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为83.5±3%Ω，输出端和接地端的阻抗为83.5±3% Ω。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0016]该高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片体积小，成本低，低插损，驻波比小，衰减精度高，频率使用范围广，与大规模集成电路生产工艺兼容，适合大批量生产可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
[0017]以上对本实用新型实施例所提供的一种高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制，凡依本实用新型设计思想所做的任何改变都在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片，其特征在于:其包括一高导热氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线，所述导线间印刷有5个膜状电阻，所述5个膜状电阻有两个电阻值相同，所述膜状电阻通过串并联电路对电信号起到衰减作用，通过控制所述膜状电阻的电阻值，得到需要的衰减值。
2.根据权利要求1所述的高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片，其特征在于:所述衰减电路由低温银浆接地导通。
3.根据权利要求1所述的高热导氧化铝陶瓷基板2瓦6dB衰减片，其特征在于:所述电路的5个膜状电阻均印有一层高温玻璃保护膜。
【文档编号】H01P1/22GK203950892SQ201420279337
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司