半导体器件的导线焊接点强化结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种半导体器件的导线焊接点强化结构，包括框架内引线，框架内引线的表面具有焊接区，焊接区焊接有导线，所述导线与所述框架内引线的焊接点处跨设有压固件，所述压固件的中部向所述框架内引线的一侧紧压所述导线，所述压固件位于所述导线两侧的部分与所述框架内引线焊接固定。通过在导线的焊接点处设置压固件，来将导线向框架内引线的一侧压紧。此结构可以缓解和阻挡框架内引线边缘分层向导线焊接点方向扩展，在分层向导线焊接点延伸过程中，只有压固件的焊点因分层延伸而彻底剥离后才会继续向导线的焊接点延伸，故采用此结构可以预防和改善导线焊接点剥离。
【专利说明】半导体器件的导线焊接点强化结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件封装【技术领域】，尤其涉及一种半导体器件的导线焊接点强化结构。
【背景技术】
[0002]在半导体功率器件封装过程中，主要使用铝线、铝带等导线将芯片和引线框架的框架内引线之间实现有效焊接，以满足功率器件工作时的大电压、大电流等高电性能要求。铝线键合后如图1、图2所示，包括:用以散热和承载芯片2的框架载片台I ;用以电连结的框架内引线3 ;用以连结芯片2与框架内引线3的铝线4，用以将芯片2粘接在框架载片台I的装片胶6。
[0003]由于功率产品在工作时器件内部温度较高、有时外部工作环境也比较恶劣，要求铝线4跟框架内引线3之间的焊接可靠性比较高，但是在功率产品可靠性中、实际应用时还是会因为热应力、湿气、过程质量控制的波动等使铝线4跟框架内引线3之间产生剥离，导致产品的电参数、功能失效。针对此失效，业内虽然通过键合参数、钢嘴结构、材料、过程分层控制等方面改善焊接可靠性，但是有时候还会出现铝线4跟框架内引线之间的失效，后继再改善的工艺条件比较有限。
实用新型内容
[0004]在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0005]本实用新型提供一种半导体器件的导线焊接点强化结构，包括框架内引线，所述框架内引线的表面具有焊接区，所述焊接区焊接有导线，
[0006]所述导线与所述框架内引线的焊接点处跨设有压固件，所述压固件的中部向所述框架内引线的一侧紧压所述导线，所述压固件位于所述导线两侧的部分与所述框架内引线焊接固定。
[0007]本实用新型提供的上述方案，通过在导线的焊接点处设置压固件，来将导线向框架内引线的一侧压紧。采用此结构改善了框架内引线正面跟包封塑封料之间的界面结合，这种界面结合因为压固件的较好延展性偏向柔性，可以缓解和阻挡框架内引线边缘分层向导线与框架内引线3的焊接点方向扩展，在分层向导线与框架内引线3的焊接点延伸过程中，压固件与框架内引线的焊点首先阻挡分层的进一步向内延伸，只有压固件的焊点因分层延伸而彻底剥离后才会继续向导线的焊接点延伸，故采用此结构可以预防和改善导线焊接点剥离。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]参照下面结合附图对本实用新型实施例的说明，会更加容易地理解本实用新型的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本实用新型的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。
[0009]图1为现有技术的结构示意图；
[0010]图2是图1的A-A剖面图；
[0011]图3为本实用新型实施例提供的半导体器件的导线焊接点强化结构的示意图；
[0012]图4为图3的B-B剖面图；
[0013]图5为本实用新型实施例提供的焊接区一导线两并排压固件的结构示意图；
[0014]图6为本实用新型实施例提供的焊接区一导线两交叉压固件的结构示意图；
[0015]图7为本实用新型实施例提供的焊接区两并排导线两并排压固件的结构示意图；
[0016]图8为本实用新型实施例提供的焊接区两并排导线两交叉压固件的结构示意图；
[0017]图9为本实用新型实施例提供的焊接区两并排导线一铝带固件的结构示意图；
[0018]图10为本实用新型实施例提供的焊接区两并排导线两并排铝带压固件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面参照附图来说明本实用新型的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。
[0020]图3为本实用新型实施例提供的半导体器件的导线焊接点强化结构的示意图；图4为图3的A-A剖面图。如图3、图4所示，本实用新型实施例提供的半导体器件的导线焊接点强化结构，包括框架内引线3，框架内引线3的表面具有焊接区，焊接区焊接有导线4，导线4与框架内引线3的焊接点处跨设有压固件5，压固件5的中部向框架内引线3的一侧紧压导线4，压固件5位于导线4两侧的部分与框架内引线3焊接固定。
[0021]在本实用新型技术方案中，根据需要，压固件5可以设置一个或多个，导线4可以是一根或多根，在导线为多根时，各导线优选为并排设置。
[0022]本实用新型提供的上述方案，通过在导线4的焊接点处设置压固件5，来将导线4向框架内引线3的一侧压紧。采用此结构改善了框架内引线3正面跟包封塑封料之间的界面结合，这种界面结合因为压固件5的较好延展性偏向柔性，可以缓解和阻挡框架内引线3边缘分层向导线4与框架内引线3的焊接点方向扩展，在分层向导线4与框架内引线3的焊接点延伸过程中，压固件5与框架内引线3的焊点首先阻挡分层的进一步向内延伸，只有压固件5的焊点因分层延伸而彻底剥离后才会继续向导线4的焊接点延伸，故采用此结构可以预防和改善导线焊接点剥离。
[0023]实际使用中，该半导体器件的导线焊接点强化结构应用于，例如但不限于功率器件，功率器件包括框架载片台I，框架载片台I上固定连接有芯片2，可以采用装片胶6将芯片2粘接在框架载片台I上，导线4远离框架内引线3的一端与芯片2焊接。导线4另一端通过上述结构连接在焊接区。
[0024]另外，需要指出的是，本文所指的焊接点处，可以是指一个焊点，也可以是多个焊点构成的区域，焊接点为自导线端部算起的由焊接工具通过超声、挤压等方式产生形变而粘结在框架内引线3表面的部分。
[0025]实际使用中，压固件位于导线两侧的部分均至少通过一个焊点，与框架内引线进行焊接固定。该焊点的数量可以根据框架内引线的空间大小而定。
[0026]另外，压固件的焊点形状为挤压形成的梯形。压固件的焊点采用挤压形成的梯形形状，与压固件的线径相比，梯形能够增加接触面积，进而使焊接更牢固。
[0027]进一步地，焊接点处跨设有两个压固件5，两个压固件5并排设置或交叉设置。
[0028]焊接点处跨设有至少两个压固件。作为其中一种实现方式，如图5所示，框架内引线3上焊接点处跨设了两个并排设置的压固件5。作为另外一种实现方式，图6所示，框架内引线3上焊接点处跨设了两个交叉设置的压固件5。此外，需要说明的是，除了上述列举的两种实现方式外，被压固的导线和压固件之间还可以采用其它形式。例如，可以是单跟单组合(一根导线与一个压固件的组合)、多跟多组合(多根导线与多个压固件的组合)，单跟多组合(一根导线与多个压固件的组合)、多跟单组合(多根导线与一个压固件的组合)，组合方式根据框架内引线空间大小、导线尺寸、压固件尺寸等确定组合数量的匹配。
[0029]通过设置两个压固件5来对导线4实施下压，连接的可靠性高，有利于提升抗剥离能力。
[0030]进一步地，框架内引线3的同一焊接区焊接有两条导线4，两条导线4并排设置，同一压固件5跨设在两条导线之上。
[0031]如图7所述，框架内引线3的同一焊接区焊接有两条导线4，两条导线4并排设置，焊接点处跨设两个并排的压固件5，且同一压固件5跨设在两条导线4之上。
[0032]如图8所示，框架内引线3的同一焊接区焊接有两条导线4，两条导线4并排设置，焊接点处跨设两个交叉的压固件5，且同一压固件5跨设在两条导线4之上。当然，在框架内引线3的同一焊接区焊接有多条导线时，同一压固件5可以同时跨设在多条导线4之上。
[0033]进一步地，压固件5为铝线或铝带。如图4-图7所示，压固件5均采用的是铝线。
[0034]另外，压固件5还可以采用铝带。
[0035]如图9所示，框架内引线3的同一焊接区焊接有两条导线4，两条导线4并排设置，焊接点处跨设一条压固件(该压固件为铝带)7，该压固件7跨设在两条导线4之上。
[0036]如图10所示，框架内引线3的同一焊接区焊接有两条导线4，两条导线4并排设置，焊接点处跨设两个并排的压固件(该压固件为铝带)7，且同一压固件7跨设在两条导线4之上。当然，框架内引线3的同一焊接区还可以焊接有多条导线4，多条导线4并排设置，焊接点处跨设三个以上并排设置的压固件7，且同一压固件7同时跨设在多条导线4之上。在设置的压固件7的数量大于三个时，压固件7优选并排设置，当然也可以采用交叉的方式设置。
[0037]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种半导体器件的导线焊接点强化结构，包括框架内引线，所述框架内引线的表面具有焊接区，所述焊接区焊接有导线，其特征在于， 所述导线与所述框架内引线的焊接点处跨设有压固件，所述压固件的中部向所述框架内引线的一侧紧压所述导线，所述压固件位于所述导线两侧的部分与所述框架内引线焊接固定。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的导线焊接点强化结构，其特征在于，所述焊接点处跨设有至少两个压固件，所述压固件并排设置或交叉设置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的导线焊接点强化结构，其特征在于， 所述框架内引线的同一所述焊接区焊接有至少两条所述导线，所述导线并排设置，同一所述压固件跨设在两条或以上所述导线之上。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件的导线焊接点强化结构，其特征在于，所述压固件为铝线或铝带。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件的导线焊接点强化结构，其特征在于，所述压固件位于所述导线两侧的部分均至少通过一个焊点，与所述框架内引线进行焊接固定。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的导线焊接点强化结构，其特征在于，所述压固件的所述焊点形状为挤压形成的梯形。
【文档编号】H01L23/488GK204011404SQ201420359552
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年6月30日 优先权日:2014年6月30日
【发明者】石海忠, 陈小雷, 施清云, 郇林香, 蒋伟 申请人:南通富士通微电子股份有限公司