一种芯片密封环结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种芯片密封环结构，所述芯片密封环结构至少包括：第一密封环；第二密封环，所述第二密封环环绕于所述第一密封环，且与所述第一密封环具有预设间距；多个稳固支撑件，固定连接于所述第一密封环与第二密封环之间；介质层，填充于所述第一密封环、第二密封环及所述多个稳固支撑件之间的空隙。本实用新型具有以下有益效果：本实用新型通过于第一密封环及第二密封环之间固定连接多个稳固支撑件，大大地加强了芯片密封环的抗破裂强度，而且本实用新型的芯片密封环结构简单，成本较低，适用于工业生产。
【专利说明】一种芯片密封环结构
【技术领域】
[0001]本实用新型半导体领域，特别是涉及一种芯片密封环结构。
【背景技术】
[0002]集成电路通常都是在硅片或其它半导体材料基板上制造，然后进行封装与测试。当封装时，必须先对集成电路进行切割(saw)。切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处。所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域毁坏。为了保护集成电路中心的电路区域，一般会在集成电路芯片上介于电路区域以及其切割道之间，配置芯片密封环(seal ring)。芯片密封环可以防止任何裂痕侵入集成电路内部的电路区域，例如，因切割集成电路时的应力(stress)所导致的裂痕等。
[0003]芯片密封环通常形成于晶圆的每一个芯片的切割道(scribe line)和集成电路的周围区域(periphery reg1n)之间。现有的一种芯片密封环结构如图1所示，其由两个相间设置的金属层101及102组成，两个金属层101及102之间填充有介电层103。然而，这种结构的芯片密封环结构，在切割应力较大时，比较容易破裂，如图2所示。由于芯片密封环破裂后，会导致芯片内部器件的损伤，如芯片内部破裂等。
[0004]另外，现有的一种能提高芯片密封环强度的抗破裂结构CAS (Crack ArrestStructure),其结构十分复杂，操作也相对繁琐，会大大地增加成本。
[0005]鉴于以上原因，提供一种结构简单、低成本且抗破裂强度较高的芯片密封环结构实属必要。
实用新型内容
[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种芯片密封环结构，用于解决现有技术中芯片密封环结构抗破裂强度低或结构过于复杂的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种芯片密封环结构，所述芯片密封环结构至少包括:
[0008]第一密封环；
[0009]第二密封环，所述第二密封环环绕于所述第一密封环，且与所述第一密封环具有预设间距；
[0010]多个稳固支撑件，固定连接于所述第一密封环与第二密封环之间；
[0011]介质层，填充于所述第一密封环、第二密封环及所述多个稳固支撑件之间的空隙。
[0012]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，所述第一密封环及第二密封环的截面形状为矩形。
[0013]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，所述第一密封环与第二密封环之间的距离为10nm?lOOOnm。
[0014]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件均为刚性金属板，厚度均为10nm?lOOOnm。
[0015]进一步地，所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件为铜板。
[0016]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件为一体成型。
[0017]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件的高度相等。
[0018]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，相邻的两个稳固支撑件与所述第一密封环所形成的截面形状为三角形、梯形或矩形。
[0019]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，相邻的两个稳固支撑件与所述第二密封环所形成的截面形状为三角形、梯形或矩形。
[0020]作为本实用新型的芯片密封环结构的一种优选方案，所述介质层的材料为二氧化硅。
[0021]如上所述，本实用新型提供一种芯片密封环结构，所述芯片密封环结构至少包括:第一密封环；第二密封环，所述第二密封环环绕于所述第一密封环，且与所述第一密封环具有预设间距；多个稳固支撑件，固定连接于所述第一密封环与第二密封环之间；介质层，填充于所述第一密封环、第二密封环及所述多个稳固支撑件之间的空隙。本实用新型具有以下有益效果:本实用新型通过于第一密封环及第二密封环之间固定连接多个稳固支撑件，大大地加强了芯片密封环的抗破裂强度，而且本实用新型的芯片密封环结构简单，成本较低，适用于工业生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1显示为现有技术中的一种芯片密封环结构的结构示意图。
[0023]图2显示为现有技术中的芯片密封环结构的结构破裂时的结构示意图。
[0024]图3显示为本实用新型的芯片密封环结构的结构示意图。
[0025]元件标号说明
[0026]201第一密封环
[0027]202第二密封环
[0028]203稳固支撑件
[0029]204介质层
【具体实施方式】
[0030]以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0031]请参阅图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0032]如图3所示，本实施例提供一种芯片密封环结构，所述芯片密封环结构至少包括:
[0033]第一密封环201 ；
[0034]第二密封环202，所述第二密封环202环绕于所述第一密封环201，且与所述第一密封环201具有预设间距；
[0035]多个稳固支撑件203，固定连接于所述第一密封环201与第二密封环202之间；
[0036]介质层204，填充于所述第一密封环201、第二密封环202及所述多个稳固支撑件203之间的空隙。
[0037]作为示例，所述第一密封环201及第二密封环202的截面形状为矩形，具体地，所述第一密封环201及第二密封环202的截面形状可以为长方形或正方形，当然，对于形状特殊的半导体芯片，所述密封环的形状可以随之改变，并不限定于此处所列举的几种。
[0038]作为示例，所述第一密封环201与第二密封环202之间的距离为10nm?lOOOnm。在本实施例中，所述第一密封环201与第二密封环202之间的距离为500nm。
[0039]作为示例，所述第一密封环201、第二密封环202及所述稳固支撑件203均为刚性金属板，厚度均为10nm?lOOOnm。在本实施例中，所述第一密封环201、第二密封环202及所述稳固支撑件203为铜板，厚度均为500nm。当然，其它的刚性金属材料也可以用于本实用新型，如铝合金等，并不限定于此处所列举的示例。
[0040]为了进一步增强本实用新型的芯片密封环结构的抗破裂强度，所述第一密封环201、第二密封环202及所述稳固支撑件203为一体成型。当然，也可以采用如焊接等方式实现所述稳固支撑件203与所述第一密封环201、第二密封环202的固定连接。
[0041]作为示例，所述第一密封环201、第二密封环202及所述稳固支撑件203的高度相等，可以进一步增强所述芯片密封环结构的强度。
[0042]作为示例，相邻的两个稳固支撑件203与所述第一密封环201所形成的截面形状为三角形、梯形或矩形。在本实施例中，相邻的两个稳固支撑件203与所述第一密封环201所形成的截面形状为梯形，如图3所示。另外，相邻的两个稳固支撑件203与所述第二密封环202所形成的截面形状为三角形、梯形或矩形。在本实施例中，相邻的两个稳固支撑件203与所述第一密封环201所形成的截面形状为三角形，如图3所示。当然，所述支撑稳固件与所述第一密封环201、第二密封环202之间可以形成其它形状，并不限定于此。
[0043]作为示例，所述介质层204的材料为二氧化硅。当然，所述介质层204的材料也可以为如氮化硅等其它的介质材料。
[0044]如上所述，本实用新型提供一种芯片密封环结构，所述芯片密封环结构至少包括:第一密封环201 ;第二密封环202，所述第二密封环202环绕于所述第一密封环201，且与所述第一密封环201具有预设间距；多个稳固支撑件203，固定连接于所述第一密封环201与第二密封环202之间；介质层204，填充于所述第一密封环201、第二密封环202及所述多个稳固支撑件203之间的空隙。本实用新型具有以下有益效果:本实用新型通过于第一密封环201及第二密封环202之间固定连接多个稳固支撑件203，大大地加强了芯片密封环的抗破裂强度，而且本实用新型的芯片密封环结构简单，成本较低，适用于工业生产。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0045]上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种芯片密封环结构，其特征在于，所述芯片密封环结构至少包括: 第一密封环； 第二密封环，所述第二密封环环绕于所述第一密封环，且与所述第一密封环具有预设间距； 多个稳固支撑件，固定连接于所述第一密封环与第二密封环之间； 介质层，填充于所述第一密封环、第二密封环及所述多个稳固支撑件之间的空隙。
2.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:所述第一密封环及第二密封环的截面形状为矩形。
3.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:所述第一密封环与第二密封环之间的距离为10nm?lOOOnm。
4.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件均为刚性金属板，厚度均为10nm?lOOOnm。
5.根据权利要求4所述的芯片密封环结构，其特征在于:所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件为铜板。
6.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件为一体成型。
7.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:所述第一密封环、第二密封环及所述稳固支撑件的高度相等。
8.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:相邻的两个稳固支撑件与所述第一密封环所形成的截面形状为三角形、梯形或矩形。
9.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:相邻的两个稳固支撑件与所述第二密封环所形成的截面形状为三角形、梯形或矩形。
10.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于:所述介质层的材料为二氧化硅。
【文档编号】H01L23/31GK203941897SQ201420359846
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月1日 优先权日:2014年7月1日
【发明者】张贺丰, 钱进 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司