半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，涉及半导体【技术领域】。包括陶瓷外壳、金属引线、金属环、金属光耦合接口和封口盖板，所述陶瓷外壳的腔体内设有台阶，台阶面为键合台面，陶瓷外壳的腔体外侧无台阶，在外侧面设有引线焊接平面，引线焊接平面上设有金属化区域，所述金属化区域上焊接垂直向下的扁平状金属引线。本实用新型减小了半导体激光器的外壳及整个封装的体积，能将引线焊接区域设计的尺寸更大，增加引线的焊接面，使结构更牢固，提高了引线强度。
【专利说明】半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体【技术领域】。
【背景技术】
[0002]半导体激光器陶瓷外壳通常为引线平面焊接的结构，如图1所示，包括陶瓷外壳
4、金属引线7、金属环2、金属光耦合接口和封口盖板。陶瓷外壳4为陶瓷构成的盒体，上部焊接金属环2，金属环2上焊接封口盖板，前面设有通孔，与金属光耦合接口连接。陶瓷外壳4内部为腔体，腔体内设有凸形台阶，内部凸形台阶上表面为键合台面3。陶瓷外壳4侧面也设有凸形台阶，外部凸形台阶上表面形成引线焊接台面I。内部键合台面3和外部引线焊接台面I上有金属化，内外的金属化通过陶瓷内部的金属化连接，内部凸形台阶的金属化为键合金丝的区域，外部台阶上的金属化焊接扁平形状的金属引线7，引线焊接台面I与键合台面3平行。金属引线7的平面部分与外部的电路板接触，实现电连接。引线平面焊接的结构由于金属引线7在陶瓷外壳4外延伸比较长，为保证金属引线7与相连接的电路板接触良好，需要电路板有一定的宽度，导致整体结构尺寸比较大，不利于外壳与外部电路的小型化。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，减小了半导体激光器的外壳及整个封装的体积，能将引线焊接区域设计的尺寸更大，增加引线的焊接面，使结构更牢固，提高了引线强度。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是:
[0005]一种半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，包括陶瓷外壳、金属引线、金属环、金属光耦合接口和封口盖板，所述陶瓷外壳的腔体内设有台阶，台阶面为键合台面，陶瓷外壳的腔体外侧无台阶，在外侧面设有引线焊接平面，引线焊接平面上设有金属化区域，所述金属化区域上焊接垂直向下的扁平状金属引线。
[0006]进一步的技术方案，所述陶瓷外壳、金属引线、金属环、金属光稱合接口和封口盖板采用金属焊料焊接。
[0007]进一步的技术方案，所述陶瓷外壳为氧化铝陶瓷，成分为90%?96%。
[0008]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本实用新型的结构为引线垂直向下结构，使得陶瓷外壳的整体宽度变小，减小了陶瓷外壳的体积；引线向下可以插装在外部电路板上，电路板上的插孔在陶瓷外壳下面，不占用陶瓷外壳以外的空间，能够减小封装的整体体积；在陶瓷外壳侧面排布引线焊盘相比平面上的引线焊盘有更大的空间，可以把引线焊接区域设计的尺寸更大，增加引线的焊接面，使结构更牢固，提高陶瓷外壳的引线强度。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是现有的引线平面焊接结构；
[0010]图2是本实用新型的主视图；
[0011]图3是本实用新型的右视图；
[0012]在附图中:1、引线焊接台面，2、金属环，3、键合台面，4、陶瓷外壳，5、引线焊接平面、6、金属光耦合接口，7、金属引线。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0014]如图2所示，半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，包括陶瓷外壳4、金属引线7、金属环2、金属光耦合接口 6和封口盖板，所述陶瓷外壳4的腔体内设有台阶，台阶面为键合台面3，陶瓷外壳4的腔体外侧无台阶，在外侧面设有引线焊接平面5，引线焊接平面5上设有金属化区域，所述金属化区域上焊接垂直向下的扁平状金属引线7。封口盖板与金属环2的封口方式为平行缝焊。陶瓷外壳4、金属引线7、金属光耦合接口 6和封口盖板构成密封墙体，为内部的半导体激光器芯片和电路提供气密环境保护和机械支撑。
[0015]陶瓷外壳4、金属引线7、金属环2、金属光稱合接口 6和封口盖板米用金属焊料焊接。陶瓷外壳4为氧化铝陶瓷，成分为90%?96%。陶瓷外壳4采用多层陶瓷工艺方法制作。
[0016]采用流延工艺制作氧化铝生瓷片。生瓷片用模具和打孔设备加工成型，在生瓷片上用钨浆料或钥浆料制作金属化图形，多层生瓷片通过层压工艺加工成整体的生瓷阵列，陶瓷侧面的金属化采用两种方法制作。一是把生瓷阵列切割成单个生瓷件，在生瓷件侧面用钨浆料或钥浆料制作金属化图形，再进行高温烧结而成。另一种方法是先把生瓷阵列通过高温烧结成熟瓷件阵列，把熟瓷阵列切割成单个熟瓷件，在熟瓷件上侧面用钨浆料或钥浆料制作金属化图形，再进行一次高温烧结而成。
[0017]具体流程为:一种经流延、制网、落料冲孔、金属化印刷、热切、层压、烧结、熟瓷热切、侧面金属化、烧结和镀镍加工工艺后制成陶瓷件；另一种经流延、制网、落料冲孔、金属化印刷、热切、层压、侧面金属化、烧结和镀镍加工工艺后制成陶瓷件。陶瓷件经镀镍，与金属引线7、金属环2、光耦合接口焊接，再进行表面镀金，制成成品。
【权利要求】
1.一种半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，其特征在于包括陶瓷外壳(4)、金属引线(7 )、金属环(2 )、金属光耦合接口( 6 )和封口盖板，所述陶瓷外壳(4)的腔体内设有台阶，台阶面为键合台面(3)，陶瓷外壳(4)的腔体外侧无台阶，在外侧面设有引线焊接平面(5)，引线焊接平面(5)上设有金属化区域，所述金属化区域上焊接垂直向下的扁平状金属引线(7)。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，其特征在于所述陶瓷外壳(4)、金属引线(7)、金属环(2)、金属光稱合接口(6)和封口盖板米用金属焊料焊接。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，其特征在于所述陶瓷外壳(4)为氧化铝陶瓷，成分为90%?96%。
【文档编号】H01S5/022GK204030267SQ201420501701
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年9月2日 优先权日:2014年9月2日
【发明者】李玮, 张文娟, 张磊, 李晓兵, 李军, 田晋军 申请人:河北中瓷电子科技有限公司