接触孔偏移量测结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的阱区；位于所述阱区内相互平行的第一有源区和第二有源区；位于所述第一有源区和所述第二有源区上的等间距排布的栅桥；位于所述第一有源区上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以等间距排布的第一接触孔组；以及位于所述第二有源区上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形包括以等间距排布的第二接触孔组；其中，各第二接触孔组之间的间距大于各栅桥之间的间距，所述第二接触孔组与所述栅桥交错间隔分布，且每个第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间具有不同的预设偏移量。本实用新型能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。
【专利说明】接触孔偏移量测结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体【技术领域】，特别是涉及一种接触孔偏移量测结构。
【背景技术】
[0002]在半导体制造工艺中，晶圆形成半导体器件后，制作接触孔，是进行金属互连的重要步骤。需要对应有源区的位置，形成相应的掩模版用于接触孔的刻蚀。其中，接触孔是否对准有源区以及接触孔是否与前层光刻得到的多晶硅层(Poly)接触将直接影响接触孔的质量，假如形成的接触孔不能准确地对准底部有源区或者形成的接触孔与Poly接触，将导致该接触孔失效(开路/短路)。由于光刻工艺的精度限制等多方面原因，在进行接触孔的形成工艺时，会发生接触孔相对于前制程图形的对准偏移现象，不能正常对准底部的有源区或者可能与前层光刻得到的Poly接触，导致接触孔的失效，进而导致器件中的部分区域短路。通常生产过程中在光刻后使用光学方法取样量测接触孔是否偏移，但是如果光学量测设定错误，有时无法在生产过程中侦测到问题。于是需要在电路制作完成后，使用电学量测方法作为接触孔是否失效的保护量测(a fail safe protective measurement);也可以做全检或作为电路特性调整用的一个参数。
[0003]传统的电阻接触孔链(Re contact chain)量测结构可以用来侦测接触孔偏移,但是只能检测偏移量在较大的接触孔偏移(例如50nm以上偏移量)。在接触孔偏移量较小时，该量测结构的电阻值无明显变化，即使有接触孔德偏移，但是量测数据无法表现出来，容易误判接触孔无偏移问题；而在接触孔偏移量较大时，该量测结构的电阻值会发生明显变化，才能侦测到接触孔偏移过大。由于传统的电阻接触孔链量测结构通常用于器件的质量控制，并不是特意设计来检测接触孔偏移，因此其在接触孔偏移量较大时才能检测出来，很多偏移量较小的接触孔的失效并不能有效检测出来，进而导致当光学量测出问题时，无有效方法做接触孔是否失效的质量保护，侦测接触孔偏移，来避免有制作问题的产品出货。
[0004]因此，现在亟需一种能够有效检测具有较小偏移量的接触孔的量测结构。
【发明内容】
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种接触孔偏移量测结构，能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高，用于解决现有技术中无法检测具有较小偏移量的接触孔的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其中，所述接触孔偏移量测结构至少包括:
[0007]半导体衬底；
[0008]位于所述半导体衬底内的阱区；
[0009]位于所述阱区内相互平行的第一有源区和第二有源区；
[0010]位于所述第一有源区和所述第二有源区上的等间距排布的栅桥；
[0011]位于所述第一有源区上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以等间距排布的第一接触孔组，所述第一接触孔组与所述栅桥交错间隔分布，且每个第一接触孔组和与其相邻的两个栅桥之间具有相同的距离；
[0012]以及位于所述第二有源区上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形包括以等间距排布的第二接触孔组；其中，各第二接触孔组之间的间距大于各栅桥之间的间距，所述第二接触孔组与所述栅桥交错间隔分布，且每个第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间具有不同的预设偏移量。
[0013]优选地，所述接触孔偏移量测结构还包括:
[0014]位于所述第一接触孔图形和所述第二接触孔图形上的源极金属连线，以及位于所述第一接触孔图形上的对称分布的第一漏极金属连线和第二漏极金属连线；其中:
[0015]所述源极金属连线与所述第二接触孔图形中的所有第二接触孔组相连；
[0016]所述源极金属连线与所述第一漏极金属连线以叉指形式交错连接所述第一接触孔图形中位于一侧的第一接触孔组，以形成第一量测区域；
[0017]所述源极金属连线与所述第二漏极金属连线以叉指形式交错连接所述第一接触孔图形中位于另一侧的第一接触孔组，以形成第二量测区域。
[0018]优选地，所述接触孔偏移量测结构还包括:
[0019]位于所述半导体衬底上的栅连接图形，所述栅连接图形与每个栅桥相连；
[0020]位于所述栅连接图形上的第三接触孔图形，所述第三接触孔组与所述栅桥交错间隔分布；
[0021]以及位于所述第三接触孔图形上的栅极金属连线，所述栅极金属连线与所述第三接触孔图形中的所有第三接触孔组相连。
[0022]优选地，所述接触孔偏移量测结构还包括:
[0023]位于所述半导体衬底内的阱接触区；
[0024]位于所述阱接触区上的第四接触孔图形；
[0025]以及位于所述第四接触孔图形上的阱接触金属连线，所述阱接触金属连线与所述第四接触孔图形中的所有第四接触孔组相连。
[0026]优选地，所述第二接触孔图形中，各第二接触孔组之间的间距大于各栅桥之间的间距，且由两侧向中间排布的第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间的预设偏移量，相较于沿同一方向排布的前一第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间的前一预设偏移量，以预设增量增大。
[0027]优选地，所述预设偏移量大于Onm，所述预设增量为各第二接触孔组之间的间距与各栅桥之间的间距的差值。
[0028]优选地，所述第一接触孔组和所述第二接触孔组内的每个接触孔中均设有互连金属。
[0029]如上所述，本实用新型的接触孔偏移量测结构，具有以下有益效果:本实用新型采用在接触孔组和前层光刻得到的多晶硅栅桥之间设定预设偏移量的量测结构，能够通过电学量测检测到接触孔相对于预设偏移量的实际偏移方向和偏移量，简单实用，量测精度高；当光学量测出问题时，能够有效做接触孔是否失效的质量保护，侦测接触孔偏移，来避免有制作问题的产品出货；与现有技术相比，对于50nm以下的接触孔偏移也能够快速、准确的量测得到。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1显示为本实用新型实施例的接触孔偏移量测结构的示意图。
[0031]图2显示为本实用新型实施例的接触孔偏移量测结构中各金属连线的示意图。
[0032]图3显示为本实用新型实施例的接触孔偏移量测结构中第一接触孔图形的局部排布示意图。
[0033]图4显示为本实用新型实施例的接触孔偏移量测结构中第二接触孔图形的局部排布示意图。
[0034]图5显示为图1中A-A方向的局部剖视图。
[0035]图6显示为图1中B-B方向的局部剖视图。
[0036]图7显示为在接触孔未发生偏移时的图1中A-A方向的示例性局部剖视图。
[0037]图8显示为在接触孔未发生偏移时的图1中B-B方向的示例性局部剖视图。
[0038]图9显示为在接触孔发生偏移时的图1中A-A方向的示例性局部剖视图。
[0039]图10显示为在接触孔发生偏移时的图1中B-B方向的示例性局部剖视图。
[0040]元件标号说明
[0041]I半导体衬底
[0042]2 阱区
[0043]3第一有源区
[0044]4第二有源区
[0045]5 栅桥
[0046]6第一接触孔组
[0047]7第二接触孔组
[0048]8源极金属连线
[0049]9第一漏极金属连线
[0050]10第二漏极金属连线
[0051]11栅连接图形
[0052]12第三接触孔组
[0053]13栅极金属连线
[0054]14阱接触区
[0055]15第四接触孔组
[0056]16阱接触金属连线
【具体实施方式】
[0057]以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
[0058]请参阅图1至图10。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
[0059]如图1所示，本实用新型的实施例涉及一种接触孔偏移量测结构，其中，本实施例的接触孔偏移量测结构至少包括:
[0060]半导体衬底I。该半导体衬底I可以采用Si衬底、SiGe衬底或者GaN、AlN、AlGaN、HEMT等II1-V族化合物衬底。其形状可以为长方形或者圆形。
[0061]位于半导体衬底I内的阱区2。该阱区2为在半导体衬底I内进行离子掺杂形成的，可以为P阱区2或者N阱区2。在本实施例中，以形成NMOS晶体管的工艺为例，阱区2为P阱区2。
[0062]位于阱区2内相互平行的第一有源区3和第二有源区4。在本实施例中，第一有源区3和第二有源区4为在P阱区2内进行重掺杂形成的N+型有源区，即NMOS晶体管的源
/漏极。
[0063]位于第一有源区3和第二有源区4上的等间距排布的栅桥5。在本实施例中，栅桥5为多晶硅栅桥，其至少为N个，N为自然数。N+型有源区形成在相邻栅桥5之间的P阱区2内。在其他的实施例中，从28nm技术节点开始，栅桥5也可以为金属栅桥。
[0064]位于第一有源区3上的第一接触孔图形，第一接触孔图形包括以等间距排布的第一接触孔组6，第一接触孔组6与栅桥5交错间隔分布，且每个第一接触孔组6和与其相邻的两个栅桥5之间具有相同的距离。在本实施例中，第一接触孔组6至少为M个，M为自然数。请参阅图3和图5，每个第一接触孔组6和与其相邻的两个栅桥5之间的距离均为a。此外，每个第一接触孔组6包括至少一个接触孔，每个接触孔中均设有互连金属；在本实施例中，如图1所示，每个第一接触孔组6包括以相同间距沿垂直坐标轴(Y轴)正方向或负方向排布的四个接触孔。
[0065]以及位于第二有源区4上的第二接触孔图形，第二接触孔图形包括以等间距排布的第二接触孔组7 ;其中，各第二接触孔组7之间的间距大于各栅桥5之间的间距，第二接触孔组7与栅桥5交错间隔分布，且每个第二接触孔组7和与其邻近的栅桥5之间具有不同的预设偏移量。在本实施例中，第二接触孔组7至少为S个，S为自然数。此外，每个第二接触孔组7包括至少一个接触孔，每个接触孔中均设有互连金属，从而将所有第二接触孔组7连通到第一有源区3中所有MOS管的源极；在本实施例中，如图1所示，每个第二接触孔组7包括以相同间距沿垂直坐标轴(Y轴)正方向或负方向排布的五个接触孔。
[0066]优选地，第二接触孔图形中，由两侧向中间排布的第二接触孔组7和与其邻近的栅桥5之间的预设偏移量，相较于沿同一方向排布的前一第二接触孔组7和与其邻近的栅桥5之间的前一预设偏移量，以预设增量增大。其中，预设偏移量大于Onm，预设增量为各第二接触孔组之间的间距与各栅桥之间的间距的差值。
[0067]例如，S个第二接触孔组7之间的间距为P1，N个栅桥5之间的间距为P2，且P1-P2=k。那么，请参阅图4和图6，后一预设偏移量相较于前一预设偏移量增大的预设增量就为k。以由左侧向中间排布的第二接触孔组7为例，定义第二接触孔图形的最左侧(第一个第二接触孔组7)为起始端，第二接触孔图形的中间位置(第T个第二接触孔组7，T = S/2，S为偶数，或T = (S-1)/2, S为奇数)为终止端。从起始端开始，第一个第二接触孔组7和与其邻近的第一个栅桥5之间的预设偏移量为第一预设偏移量，第二个第二接触孔组7和与其邻近的第二个栅桥5之间的预设偏移量为第二预设偏移量，以此类推，到终止端结束，第T个第二接触孔组7和与其邻近的第T个栅桥5之间的预设偏移量为第T预设偏移量。优选地，第T预设偏移量相较于第T-1预设偏移量，以预设增量增大。设定第一预设偏移量为k nm，那么第二预设偏移量为2k nm，第三预设偏移量为3k nm,以此类推，那么第T预设偏移量为T*k nm。其中，S的取值根据各第二接触孔组7之间的间距P1、接触孔的宽度以及预设增量k来确定；设定接触孔的宽度为W，那么最大预设偏移量为(Pl-W)/2，且最大预设偏移量等于第T预设偏移量，也就是(Pl-W)/2 = T*k = S*k/2，从而得到S = (Pl-W)/k ;或者(Pl-W)/2 = T*k = (S - l)*k/2，从而得到 S = [(Pl-ff) /k]+l0 例如，Pl = 380nm，W = 160nm, k = 5nm,得到S = 44或者45。此夕卜，由右侧向中间排布的第二接触孔组7与由左侧向中间排布的第二接触孔组7呈镜像对称分布，它们之间的预设偏移量也呈镜像对称，在此不作赘述。
[0068]除了上述组成部分之外，如图1和图2所示，本实施例的接触孔偏移量测结构还包括:
[0069]位于第一接触孔图形和第二接触孔图形上的源极金属连线8，以及位于第一接触孔图形上的对称分布的第一漏极金属连线9和第二漏极金属连线10。第一有源区3、各栅桥5、第一接触孔图形以及各金属连线等构成了本实施例量测结构的第一有源区3中的MOS管器件阵列。其中:
[0070]源极金属连线8与第二接触孔图形中的所有第二接触孔组7相连。
[0071]源极金属连线8与第一漏极金属连线9以叉指形式交错连接第一接触孔图形中位于一侧的第一接触孔组6(也即等间距排布在第一有源区3左侧部分的第一接触孔组6)，以形成第一量测区域。
[0072]所述源极金属连线与第二漏极金属连线10以叉指形式交错连接第一接触孔图形中位于另一侧的第一接触孔组6 (也即等间距排布在第一有源区3右侧部分的第一接触孔组6)，以形成第二量测区域。
[0073]也就是说，相邻的两个第一接触孔组6，如果其中一个与源极金属连线8相连，那么另一个就与第一漏极金属连线9或第二漏极金属连线10相连，使得源极金属连线8和第一漏极金属连线9、第二漏极金属连线10分别形成如图1和图2所示的叉指结构，从而形成包括第一有源区3、栅桥5、第一接触孔组6、源极金属连线8和第一漏极金属连线9的位于第一有源区3左侧部分的第一量测区域，以及包括第一有源区3、栅桥5、第一接触孔组6、源极金属连线8和第二漏极金属连线10的位于第一有源区3右侧部分的第二量测区域。
[0074]除了上述组成部分之外，本实施例的接触孔偏移量测结构还包括:
[0075]位于半导体衬底I上的栅连接图形11，栅连接图形11与每个栅桥5相连。该栅连接图形11为长方形结构，能够与N个栅桥5相连，并采用与栅桥5相同的材料制作而成。
[0076]位于栅连接图形11上的第三接触孔图形，第三接触孔图形包括以等间距排布的第三接触孔组12，第三接触孔组12与栅桥5交错间隔分布。在本实施例中，参见图1，第三接触孔组12至少为X个，X为自然数。此外，每个第三接触孔组12包括至少一个接触孔，每个接触孔中均设有互连金属；在本实施例中，如图1所示，每个第三接触孔组12包括以相同间距沿垂直坐标轴(Y轴)正方向或负方向排布的两个接触孔。
[0077]以及位于第三接触孔图形上的栅极金属连线，栅极金属连线与第三接触孔图形中的所有第三接触孔组12相连。
[0078]除了上述组成部分之外，本实施例的接触孔偏移量测结构还包括:
[0079]位于半导体衬底I内的阱接触区14。该阱接触区14分布在半导体衬底I的四周，将阱区2围绕在中间位置。
[0080]位于阱接触区14上的第四接触孔图形，第四接触孔图形包括第四接触孔组15。在本实施例中，第四接触孔组15至少为Y个，Y为自然数，用于使本实施例的接触孔偏移量测结构获得良好的接地和偏置效果。此外，每个第四接触孔组15包括至少一个接触孔，每个接触孔中均设有互连金属；在本实施例中，如图1所示，每个第四接触孔组15包括以相同间距沿水平坐标轴(X轴)或垂直坐标轴(Y轴)的正方向或负方向排布的若干个接触孔。
[0081]以及位于第四接触孔图形上的阱接触金属连线16，阱接触金属连线16与第四接触孔图形中的所有第四接触孔组15相连。
[0082]请参阅图7-图10，现举例说明本实施例的接触孔偏移量测结构的量测原理。预先将栅极金属连线接入一个电源电压Vcc，同时将第一漏极金属连线9和第二漏极金属连线10分别接入一个电源电压Vcc，并将源极金属连线8接地。
[0083]在光刻工艺中，如果接触孔未发生偏移时，如图7所示，每个第一接触孔组6和与其相邻的两个栅桥5之间的距尚a = 0.1lum ;如图8所不,第一预设偏移量为0.005um,第二预设偏移量为0.0lum，第三预设偏移量为0.015um,……，也就是说，由两侧向中间排布的第二接触孔组7和与其邻近的栅桥5之间的最小预设偏移量0.005um,即沿同一方向的后一预设偏移量相较于前一预设偏移量增大的预设增量k为0.005um。那么对本实施例的接触孔偏移量测结构进行电学量测时，能够分别测得位于第一有源区3左侧部分的第一量测区域和位于第一有源区3右侧部分的第二量测区域中的电流值均为I。
[0084]在光刻工艺中，如果接触孔发生向左偏移7nm时，如图9所示，每个第一接触孔组6和与其相邻的两个栅桥5之间的距离分别变为0.117um和0.103nm。因此，当接触孔的实际偏移量小于0.1lum时，第一接触孔组6均不会与栅桥5相互接触。也就是说，第一接触孔组6的偏移量小于0.1lum时，不会对本实施例的接触孔偏移量测结构进行电学量测得到的电流值造成影响。然而，如果接触孔发生向左偏移7nm时，如图10所示，第一个第二接触孔组7和与其邻近的第一个栅桥5相互接触，第一预设偏移量变为Oum，第二预设偏移量变为0.003um，第三预设偏移量为0.015um，……。那么对本实施例的接触孔偏移量测结构进行电学量测时，第一个第二接触孔组7和与其邻近的第一个栅桥5导通，使得第一个栅桥5通过第一个第二接触孔组7与源极金属连线8导通，进而使得第一个栅桥5接地。由于第一个栅桥5、第一个第二接触孔组7以及源极金属连线8均接地，导致了第一有源区3左侧部分的第一量测区域中与该第一个栅桥5对应的器件截止，从而导致位于第一有源区3左侧部分的第一量测区域中的电阻值变大，最终测得位于第一有源区3左侧部分的第一量测区域中的电流值减小；而测得位于第一有源区3右侧部分的第二量测区域中的电流值不变。
[0085]也就是说，由于源极金属连线8与第二接触孔图形中的所有第二接触孔组7相连，如此一来，当第二接触孔组7因偏移而与栅桥5接触时，与第二接触孔组7接触的栅桥5就接到源极，从而使得在第一量测区域的MOS管不工作而没有电流；当第二接触孔组7偏移量越大，越多的栅桥5与第二接触孔组7接触，于是在第一量测区域中的MOS管阵列中就有越多的MOS管不工作，因而从第一量测区域检测到的电流也就越小。
[0086]因此，在光刻工艺中接触孔发生的实际偏移的大小和方向不同，对本实施例的接触孔偏移量测结构进行电学量测时，分别测得位于第一有源区3左侧部分的第一量测区域和位于第一有源区3右侧部分的第二量测区域中的电流值也不同。例如，如果接触孔向左偏移的实际偏移量越大，相互接触的第二接触孔组7和与其邻近的栅桥5越多，那么位于第一有源区3左侧部分的第一量测区域中的电流值越小。相应的，如果接触孔向右偏移的实际偏移量越大，相互接触的第二接触孔组7和栅桥5越多，那么位于第一有源区3右侧部分的第二量测区域中的电流值越小。而根据不同的电流值就能够判断相应的接触孔组的实际偏移量，这时，k就成为偏移孔实际偏移量的误差，k的取值越小，采用本实施例的接触孔偏移量测结构测得的接触孔实际偏移量的误差就越小
[0087]值得一提到是，本实施例的接触孔偏移量测结构，可以根据不同的技术节点选择所需要的最小预设偏移量k，k为不同技术节点的光刻工艺制程所能侦测的最小极限值。因此，采用本实施例的接触孔偏移量测结构得到的接触孔组的实际偏移量范围精确度高，且量测简单，实用性好，误差仅为knm;当光学量测出问题时，能够有效做接触孔是否失效的质量保护，侦测接触孔偏移，来避免有制作问题的产品出货。
[0088]综上所述，本实用新型的接触孔偏移量测结构，采用在接触孔组和前层光刻得到的多晶硅栅桥之间设定预设偏移量的设计，能够通过电学量测检测到接触孔相对于预设偏移量的实际偏移方向和偏移量，简单实用，量测精度高；当光学量测出问题时，能够有效做接触孔是否失效的质量保护，侦测接触孔偏移，来避免有制作问题的产品出货；与现有技术相比，对于50nm以下的接触孔偏移也能够快速、准确的量测得到。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0089]上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构至少包括: 半导体衬底； 位于所述半导体衬底内的阱区； 位于所述阱区内相互平行的第一有源区和第二有源区； 位于所述第一有源区和所述第二有源区上的等间距排布的栅桥； 位于所述第一有源区上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以等间距排布的第一接触孔组，所述第一接触孔组与所述栅桥交错间隔分布，且每个第一接触孔组和与其相邻的两个栅桥之间具有相同的距离； 以及位于所述第二有源区上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形包括以等间距排布的第二接触孔组；其中，各第二接触孔组之间的间距大于各栅桥之间的间距，所述第二接触孔组与所述栅桥交错间隔分布，且每个第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间具有不同的预设偏移量。
2.根据权利要求1所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构还包括: 位于所述第一接触孔图形和所述第二接触孔图形上的源极金属连线，以及位于所述第一接触孔图形上的对称分布的第一漏极金属连线和第二漏极金属连线；其中: 所述源极金属连线与所述第二接触孔图形中的所有第二接触孔组相连； 所述源极金属连线与所述第一漏极金属连线以叉指形式交错连接所述第一接触孔图形中位于一侧的第一接触孔组，以形成第一量测区域； 所述源极金属连线与所述第二漏极金属连线以叉指形式交错连接所述第一接触孔图形中位于另一侧的第一接触孔组，以形成第二量测区域。
3.根据权利要求2所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构还包括: 位于所述半导体衬底上的栅连接图形，所述栅连接图形与每个栅桥相连； 位于所述栅连接图形上的第三接触孔图形，所述第三接触孔图形包括第三接触孔组；以及位于所述第三接触孔图形上的栅极金属连线，所述栅极金属连线与所述第三接触孔图形中的所有第三接触孔组相连。
4.根据权利要求3所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构还包括: 位于所述半导体衬底内的阱接触区； 位于所述阱接触区上的第四接触孔图形，所述第四接触孔图形包括第四接触孔组； 以及位于所述第四接触孔图形上的阱接触金属连线，所述阱接触金属连线与所述第四接触孔图形中的所有第四接触孔组相连。
5.根据权利要求1所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述第二接触孔图形中，由两侧向中间排布的第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间的预设偏移量，相较于沿同一方向排布的前一第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间的前一预设偏移量，以预设增量增大。
6.根据权利要求5所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述预设偏移量大于Onm,所述预设增量为各第二接触孔组之间的间距与各栅桥之间的间距的差值。
7.根据权利要求1所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述第一接触孔组和所述第二接触孔组内的每个接触孔中均设有互连金属。
【文档编号】H01L21/66GK204045551SQ201420508924
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月4日 优先权日:2014年9月4日
【发明者】蔡孟峰, 黄晨 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司