Pdm制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器的制造方法
【专利摘要】PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，其特征在于，包括有两个功放模块，两个功放模块的输出端分别连接第一级合成变压器T1、第一级合成变压器T2的初级，第一级合成变压器T1、第一级合成变压器T2的次级串联；串联后的第一级合成变压器的次级的两个输出端接第二级合成变压器T3的初级；第二级合成变压器T3的初级作为整机合成器的出处连接发射机的匹配网络；改变原有两级变压器合成器的匝比，使原有功放的输出阻抗不变，通过改变合成器的匝比来降低合成器的最终输出阻抗，使得合成器的输出阻抗有效降低到5Ω以下，能使雷电对功放模块的损害大大减少。
【专利说明】PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器
【技术领域】
[0001]本实用新型属于广播发射机合成器【技术领域】，具体涉及PDM制式中波广播发射机防雷、防电击传输线合成变压器。
【背景技术】
[0002]雷电是一种自然放电现象其主要成分为直流和低频分量(40kHz以下)，其能量巨大容易对地面人和物造成损害。广播发射机的发射天线高大，很容易受到落地雷的袭击，如果雷电的能量得不到有效的泄防和衰减，会对广播发射机造成伤害，轻者造成元器件损坏，功放模块的损坏最为严重，重者造成发射机大面积损毁直至停机。
[0003]目前国内生产的PDM制式中波广播发射机，PDM是脉冲宽度调制的英文缩写，由于合成器的输出阻抗较高，致使从天馈线通过匹配网络进入发射机的雷电电压较高，雷电不能有效泄放。功放模块受到雷电袭击容易损坏，就必须停机检修，会造成广播播音中断或广播播音的停机。
【发明内容】
[0004]为了克服上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，对PDM机的合成变压器的阻抗加以调整，将从馈线进入的雷电残余分量经输出网络进一步有效衰减，能使雷电对功放模块的损害大大减少。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，包括有两个功放模块，两个功放模块的输出端分别连接第一级合成变压器Tl、第一级合成变压器T2的初级，第一级合成变压器Tl、第一级合成变压器T2的次级串联；串联后的第一级合成变压器的次级的两个输出端接第二级合成变压器T3的初级；第二级合成变压器T3的初级作为整机合成器的出处连接发射机的匹配网络。
[0006]所述的第一级合成变压器Tl与第一级合成变压器T2的匝比为1:3。
[0007]所述的第二级合成变压器T3的匝比为4:1。
[0008]所述的第二级合成变压器T3的输出阻抗为3.5?4.7 Ω。
[0009]本实用新型具有以下优点:
[0010]I)由于合成变压器的输入阻抗有效降低，所以对来自发射机外部的雷电以及电击信号可以有效衰减，将雷电以及电击对发射机的影响降到最低。
[0011]2)将从馈线进入的雷电残余分量经输出网络进一步有效衰减，能使雷电对功放模块的损害大大减少。
[0012]3)使PDM机的防雷电能力达到或接近DAM数字机。有效降低PDM机因雷电影响带来的事故，确保机器安全运行，不停机播出。
[0013]本实用新型可保证发射机的正常工作，根据电路分析的结论DAM数字机与PDM机比较，DAM数字机输出网络的输入阻抗小于5 Ω，而PDM机输出网络的输入阻抗大于20 Ω，DAM数字机合成变压器次级小于2匝，而PDM机合成变压器次级大于2匝。从对雷电低频分量的衰减分析DAM数字机优于PDM机。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型原理示意图。
[0015]图2为本实用新型实施例的结构示意图。
[0016]图3为本实用新型另一实施例的原理图。
[0017]图4为本实用新型另一实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作进一步详细说明。
[0019]参见图1，PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，包括有两个功放模块，两个功放模块的输出端分别连接第一级合成变压器Tl、第一级合成变压器T2的初级，第一级合成变压器Tl、第一级合成变压器T2的次级串联；串联后的第一级合成变压器的次级的两个输出端接第二级合成变压器T3的初级；第二级合成变压器T3的次级作为整机合成器的出处连接发射机的匹配网络。
[0020]所述的第一级合成变压器Tl与第一级合成变压器T2的匝比为1:3。
[0021]所述的第二级合成变压器T3的匝比为4:1。
[0022]所述的本实用新型合成变压器的输出阻抗为3.5?5 Ω。
[0023]改变原有两级变压器合成器的匝比，使原有功放的输出阻抗不变，通过改变合成器的匝比来降低合成器的最终输出阻抗，使得合成器的输出阻抗有效降低到5Ω以下。参考后面附图1 (IkWPDM发射机的合成器原理图)，Tl和T2分别为两个功放的第一级合成变压器，T3为合成器的第二级合成变压器。两个功放模块的输出分别接第一级合成变压器的初级，两个第一级合成变压器的次级串联，即Tl的反相端连接T2的同相端，串联后第一级合成变压器的次级的两个输出端接第二级合成变压器的初级，次级作为整机合成器的出处连接发射机的匹配网络。T1、T2的匝比为1:3，Τ3的匝比为4:1，合成器的输出阻抗为大约4.2Ω。将发射机匹配网络的输入阻抗设计并调整到与合成器Τ3的输出阻抗匹配。
[0024]对PDM机的变压器阻抗变换加以调整使得合成变压器次级为一匝，输出网络、输入网络阻抗调整为小于5 Ω，将从馈线进入的雷电残余分量经输出网络进一步有效衰减，能使雷电对功放模块的损害大大减少。
[0025]参见图2，图2是本实用新型的一个实施例，它是用于IkW PDM发射机合成变压器的具体实施方法。该实例中，两个功放的输出接合成器的第一级合成变压器的两个初级，每个功放有两个输出端，分别接合成器第一级的两个变压器的两个输入端，所有附图中功放模块均未画出。Τ1，Τ2，Τ3均为合成器的组成部分。第一级合成变压器的次级串联，即Tl的反相端连接Τ2的同相端，串联后第一级合成变压器的次级的两个输出端连接第二级合成变压器的初级，初级作为整机合成器的出处连接发射机的匹配网络。第一级合成变压器用两排单孔磁环(每排4-6个磁环，两排8-12个磁环)绕制，初级为I圈，次级为3圈，初级电流较大，用2.5mm2以上导线绕制，次级电流较小但电压较高，用1.5mm2以上耐压在500V以上导线绕制。合成器的第二级合成变压器用直径较大的磁环绕制(可采用一个以上磁环叠加的方法，增大磁通量)，初级为4圈，次级为I圈。与第一级合成变压器相反，初级电流较次级电流小，但电压高，次级电压较低但电流较大。初级用1.5mm2以上耐压在500V以上导线绕制，次级用2.5mm2以上导线绕制。
[0026]参见图3、4，图3是本实用新型的另一个实施例，它是用于3kW PDM发射机合成变压器的原理图，附图4是具体实施例结构示意图。该实例中，合成器同样采用两级合成，第一级合成为六个功放分为三组，每一组连接两个功放，连接以及实施方法同实例1，第二级合成器的三组初级线圈分别绕制6圈与第一级合成器的次级对应连接，第二级合成器的次级绕制I圈，第二级合成器的初级线材选取同实例1，次级可以4_2以上导线绕制。第二级合成器的磁环可以采用两个以上磁环叠加的方法，增大磁通量。
[0027]依照上面的方法类推，本实用新型可以将多个功放合成级联，以实现大功率合成。
【权利要求】
1.PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，其特征在于，包括有两个功放模块，两个功放模块的输出端分别连接第一级合成变压器Tl、第一级合成变压器T2的初级，第一级合成变压器Tl、第一级合成变压器T2的次级串联；串联后的第一级合成变压器的次级的两个输出端接第二级合成变压器T3的初级；第二级合成变压器T3的初级作为整机合成器的出处连接发射机的匹配网络。
2.根据权利要求1所述的PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，其特征在于，所述的第一级合成变压器Tl与第一级合成变压器T2的匝比为1:3。
3.根据权利要求1所述的PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，其特征在于，所述的第二级合成变压器T3的匝比为4:1。
4.根据权利要求1所述的PDM制式中波广播发射机防雷、防电击合成变压器，其特征在于，所述的第二级合成变压器T3的输出阻抗为3.5?4.7 Ω。
【文档编号】H01F27/28GK204119215SQ201420586624
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年10月12日 优先权日:2014年10月12日
【发明者】章杰, 蔡凯, 白建军, 冯川, 李芳芳, 穆景明, 叶小鹏, 王吉成 申请人:咸阳直标机电设备有限公司, 北京北广科技有限公司