一种新型硅导体激光器的制造方法
【专利摘要】一种新型硅导体激光器，至少包括底座、硅导体、外壳、激光芯片、外帽、激光孔、电极、帽片、电流阻挡片、有源片和缓冲片；所述底座设置在激光器的最下面，并且底座上表面与外壳直接相连；所述外壳上面与外帽紧密连接；所述激光芯片设置在硅导体的正上方；所述激光孔设置于激光芯片上方；所述硅导体设置在底座正上面，并且在外壳内部；所述有缘片设置在电流阻挡片与缓冲片正中间；所述缓冲片设置在硅导体的下表面电极和有源片正中间；所述硅导体具有压缩性高、气体渗透性高，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐腐蚀等优点使硅导体激光器输出更稳定、应用范围更广、使用寿命更长。
【专利说明】
一种新型硅导体激光器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及激光器应用【技术领域】，尤其是一种新型硅导体激光器。
【背景技术】
[0002]目前激光器在工业、军事、医疗、科研等方面都得到了广泛的应用。半导体激光器是指以半导体材料为工作物质的激光器，又称半导体激光二极管，是20世纪60年代发展起来的一种激光器。半导体激光器的工作物质有几十种，例如砷化镓、硫化镉等，激励方式主要有电注入式、光泵式和高能电子束激励式三种。半导体激光器从最初的低温下运转发展到室温下连续工作；从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱(单、多量子阱)等多种形式。半导体激光器因其波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的光纤导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展。半导体激光器的体积小、重量轻、成本低、波长可选择，其应用遍布临床、加工制造、军事，其中尤以大功率半导体激光器方面取得的进展最为突出。但是，但半导体激光器对温度敏感，环境温度的变化和注入电流的热效应都会是激光器的都会使激光器的输出功率下降，甚至损坏；改变现有技术的不足就要在半导体激光器输出功率做一些调整和改进。
实用新型内容
[0003]现有技术不能满足人们的需要，针对上述问题，本实用新型旨在提供一种新型硅导体激光器。
[0004]为实现该技术目的，本实用新型的方案是:一种新型硅导体激光器，至少包括底座、硅导体、外壳、激光芯片、外帽、激光孔、电极、帽片、电流阻挡片、有源片和缓冲片；所述底座设置在激光器的最下面，并且底座上表面与外壳直接相连；所述外壳上面与外帽紧密连接；所述激光芯片设置在硅导体的正上方；所述激光孔设置于激光芯片上方；所述硅导体设置在底座正上面，并且在外壳内部；所述电极设置在硅导体内部上下表面，并且上电极的下表面与帽片相连；所述电流阻挡片设置在帽片和有源片正中间；所述有源片设置在电流阻挡片与缓冲片正中间；所述缓冲片设置在硅导体的下表面电极和有源片正中间；所述硅导体具有压缩性高、气体渗透性高，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐腐蚀等优点使硅导体激光器输出更稳定、应用范围更广、使用寿命更长。
[0005]作为本实用新型的优化技术方案:所述硅导体设置在激光芯片和底座I的正中间；所述外壳设置在底座正上方，属于可拆卸结构。
[0006]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:由于硅导体单独设置在底座上面，因此有源层侧向尺寸减少，轴向尺寸增加使光场对称性加强，因而能提高光源与光纤的耦合效率，由于硅导体具有良好的耐高低温减少了激光器的热阻，有利于提高激光器的热稳定性以及更稳定的输出；单独设置硅导体可以使硅导体对环境的适应性更强，使激光器输出功率更加稳定，使用时间更长不易损坏；再者整体结构较简单新颖，实用性强，适合推广使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的整体结构示意图；
[0008]图2为本实用新型A处的剖视放大图；
[0009]其中:1、底座，2、硅导体，3、外壳，4、激光芯片，5、外帽，6、激光孔，7、电极，8、帽片，
9、电流阻挡片，10、有源片，11、缓冲片。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0011]请参阅图广2，本实用新型实施例中，一种新型硅导体激光器，至少包括底座1、硅导体2、外壳3、激光芯片4、外帽5、激光孔6、电极7、帽片8、电流阻挡片9、有源片10和缓冲片11 ;所述底座I设置在激光器的最下面，并且底座I上表面与外壳3直接相连；所述外壳3上面与外帽5紧密连接；所述激光芯片4设置在硅导体2的正上方；所述激光孔6设置于激光芯片4上方；所述娃导体2设置在底座I正上面，并且在外壳3内部；所述电极7设置在硅导体2内部上下表面，并且上电极7的下表面与帽片8相连；所述电流阻挡片9设置在帽8和有源片10正中间；所述有源片10设置在电流阻挡片9与缓冲片11正中间；所述缓冲片11设置在硅导体2的下表面电极7和有源片10正中间；所述硅导体2具有压缩性高、气体渗透性高，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐腐蚀等优点使硅导体激光器输出更稳定、应用范围更广、使用寿命更长；进一步，所述硅导体2设置在激光芯片4和底座I的正中间；所述外壳3设置在底座I正上方,属于可拆卸结构。
[0012]本实用新型功能原理为:硅导体为晶体结构。当大量硅原子规则而紧密地结合成晶体时，晶体中那些价电子都处在晶体能带上。当加外电场时，价带中电子跃迁到导带中去，在导带中可以自由运动而起导电作用。同时，价带中失掉一个电子，则相当于出现一个带正电的空穴，这种空穴在外电场的作用下，也能起导电作用。因此，价带中空穴和导带中的电子都有导电作用，统称为载流子。通入电流足够大(如30000A/cm2)时产生激光，硅导体在结构内形成粒子反转分布状态，硅导体内就能形成导带中的电子多于价带中空穴数的反转分布状态，从而产生受激复合辐射而发出激光，发射出的激光从激光孔射出。
[0013]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0014]以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种新型娃导体激光器，至少包括底座(1)、娃导体(2)、外壳(3)、激光芯片(4)、外帽(5)、激光孔(6)、电极(7)、帽片(8)、电流阻挡片(9)、有源片(10)和缓冲片(11);其特征在于:所述底座(1)设置在激光器的最下面，并且底座(1)上表面与外壳(3)直接相连；所述外壳(3)上面与外帽(5)紧密连接；所述激光芯片(4)设置在硅导体(2)的正上方；所述激光孔(6)设置于激光芯片(4)上方；所述硅导体(2)设置在底座(1)正上面，并且在外壳(3)内部；所述电极(7)设置在硅导体(2)内部上下表面，并且上电极(7)的下表面与帽片(8)相连；所述电流阻挡片(9)设置在帽片(8)和有源片(10)正中间；所述有源片(10)设置在电流阻挡片(9)与缓冲片(11)正中间；所述缓冲片(11)设置在硅导体(2)的下表面电极(7)和有源片(10)正中间。
2.根据权利要求1所述的一种新型硅导体激光器，其特征在于:所述硅导体(2)设置在激光芯片(4)和底座(1)的正中间。
3.根据权利要求1所述的一种新型硅导体激光器，其特征在于:所述外壳(3)设置在底座(1)正上方，并且为拆卸结构。
【文档编号】H01S5/068GK204067848SQ201420626887
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】孔妍 申请人:孔妍