一种双面太阳电池结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种双面太阳电池结构，包括P型基体，自P型基体上表面依序堆叠配置的PN结、第一吸光面钝化层、第一吸光面电极，所述双面太阳电池结构还包括自P型基体下表面依序依次向上堆叠配置的P+层、第二吸收面钝化层、第二吸光面电极，所述第一吸光面钝化层包括依次向下堆叠的第一折射层和第二折射层和第三折射层，所述第一折射层靠近P型基体，所述第二吸收面钝化层包括第四折射层和第五折射层，所述第四折射层靠近P型基体；本实用新型有利于提高电池的转换率。
【专利说明】一种双面太阳电池结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及制造晶体硅太阳电池【技术领域】，具体涉及一种双面太阳电池结构。
【背景技术】
[0002]随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到了世界各国的广泛重视，国际上众多大公司均投入太阳能电池研发和生产行业。硅太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化为电的半导体电子器件，现已广泛应用于各种照明及发电系统中。目前商业化的太阳能电池产品中，晶体硅(单晶和多晶)太阳能电池的市场份额最大，一直保持85%以上的市场占有率。因此，研发高性价比的晶体硅太阳能电池还是各国研究员的研发方向之一。
[0003]光伏发电中常用的是单面受光太阳电池，为获得较高的输出功率，这种电池一般都朝阳倾斜设置。而两面受光电池没有这种限制，因其可垂直放置的特性，而被使用在纵向的围墙等上。两面受光太阳电池的出现，使利用太阳能发电进入到一个前所未有的领域。两面受光太阳电池的特性是:太阳电池片正面和反面都可受光，年发电量是一般单面受光电池的1.2?1.5倍；太阳电池组件的正面和反面都使用钢化玻璃作为保护材料，采光性可靠性高；可垂直放置，产生了许多新的利用方式，如使用在路灯或围栏等上。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是提供一种高转化率的双面太阳电池结构，使得硅片两面吸光效果大大增强，提高电池片的功率输出。
[0005]为达上述目的，本实用新型提一种双面太阳电池结构，包括P型基体，自P型基体上表面向上依次设有PN结、第一吸光面钝化层、以及第一吸光面电极，所述P型基体下表面向下依次设有P+层、第二吸收面钝化层和第二吸光面电极，所述第一吸光面钝化层从下至上依次为第一折射层、第二折射层和第三折射层，所述第一折射层贴合所述PN结，所述第二吸收面钝化层从上至下依次为第四折射层和第五折射层，所述第四折射层贴合所述P+层。
[0006]进一步的，前述第一折射层为二氧化硅薄膜，厚度为l_5nm ;前述第二折射层为折射率2.05-2.15%的氮化硅薄膜，厚度为30-40nm ;前述第三折射层为折射率2.2-2.3%的氮化硅薄膜，厚度为20-50nm。
[0007]进一步的，前述第四折射层为二氧化硅薄膜，厚度为10_30nm ;前述第五折射层为非晶硅薄膜，厚度为30-70nm。
[0008]本实用新型的有益效果是:通过设置第一钝化成和第二钝化层，并且第一钝化层分别设置多个折射层包括二氧化硅薄膜、高折射率氮化硅薄膜，低折射率氮化硅薄膜，第二钝化层也设置多个折射层包括使得硅片、非晶硅薄膜，使得太阳能电池能够两面吸光效果大大增强，提高电池片的功率输出。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型双面太阳电池结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]如图1所示，本实用新型双面太阳电池结构，双面太阳电池结构包括P型基体6，自P型基体6上表面向上依次设有的PN结5、第一吸光面钝化层、以及第一吸光面电极1，和自P型基体6下表面向下依次设有P+层7、第二吸收面钝化层、以及第二吸光面电极10。
[0011]第一吸光面钝化层从下至上依次为的第一折射层4和第二折射层3和第三折射层2，第一折射层4靠近PN结5，第一折射层4和第二折射层3和第三折射层2的折射率不同；第一折射层为二氧化硅薄膜，厚度为3nm ;第二折射层的为折射率为2.2%的高折射率氮化硅薄膜，厚度为30nm ;第三折射层为折射率为2.1%氮化硅薄膜，厚度为50nm。
[0012]第二吸收面钝化层包括第四折射层8和第五折射层9，第四折射层8靠近P+层7，所述第四和第五折射层8、9的折射率不同，第四折射层8的为二氧化硅薄膜，厚度为15nm第五折射层9为非晶娃薄膜,厚度为65nm。
[0013]P+层7是由硼酸旋涂表面烘干形成。第一吸光面电极I和第二吸光面电极10配合将电池产生的电能传送到外部。
[0014]除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种双面太阳电池结构，包括P型基体，P型基体上表面向上依次设有PN结、第一吸光面钝化层、以及第一吸光面电极，其特征在于:所述P型基体下表面向下依次设有P+层、第二吸收面钝化层和第二吸光面电极，所述第一吸光面钝化层从下至上依次为第一折射层、第二折射层和第三折射层，所述第一折射层贴合所述PN结，所述第二吸收面钝化层从上至下依次为第四折射层和第五折射层，所述第四折射层贴合所述P+层。
2.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构，其特征在于:所述第一折射层为二氧化硅薄膜，厚度为l_5nm。
3.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构，其特征在于:所述第二折射层为折射率2.05-2.15%的氮化硅薄膜，厚度为30-40nm。
4.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构，其特征在于:所述第三折射层为折射率2.2-2.3%的氮化硅薄膜，厚度为20-50nm。
5.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构，其特征在于:所述第四折射层为二氧化硅薄膜，厚度为10-30nm。
6.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构，其特征在于:所述第五折射层为非晶硅薄膜，厚度为30-70nm.。
【文档编号】H01L31/068GK204230255SQ201420736362
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月27日 优先权日:2014年11月27日
【发明者】王立建 申请人:浙江昱辉阳光能源江苏有限公司