磁阀式可控电抗器铁心柱的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种磁阀式可控电抗器铁心柱，包括n段磁阀，每段磁阀之间填充有硅钢片，磁阀的高度从铁心柱两端往中间对称地增加，每个磁阀的导磁面积相同；所述磁阀包括若干个导磁片，所述导磁片的长度由中间向两边对称地依次减短，每个导磁片中间设有磁阻片；所述导磁片采用硅钢片制作而成，所述磁阻片采用环氧树脂制作而成。本实用新型能够大大降低绕组端部的涡流损耗，还能够吸收漏磁，使因漏磁引起的铁心杂散损耗和振动减小。
【专利说明】磁阀式可控电抗器铁心柱
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及磁阀式可控电抗器，具体地指一种磁阀式可控电抗器铁心柱。
【背景技术】
[0002]磁阀式可控电抗器具有功率连续平滑调节和响应速度快的特点，可以灵活地实现电压控制和无功补偿等功能，目前我国已成功开发多种容量的磁阀式可控电抗器，在电力系统中得到广泛的应用。随着我国电力系统的快速发展，近年来，可控电抗器已经成为学术界和工程界的研宄热点。
[0003]随着磁阀式可控电抗器的容量不断增大，铁心内部磁场以及漏磁场对电抗器的输出电流、损耗、噪声等都产生了明显的影响。尤其是绕组的涡流损耗，它导致绕组绝缘的温升过大，降低绝缘寿命，并已经造成了安全隐患。
[0004]绕组的涡流损耗是由漏磁场引起的，漏磁场越大，涡流损耗越大。在绕组的端部(上端和下端)，磁场方向以一定的角度穿入绕组，不再是垂直穿入。该磁场可以分为轴向分量和横向分量。轴向分量引起的绕组涡流损耗要比横向分量大的多。而在绕组端部还存在较大的横向分量，因此，绕组端部的涡流损耗很大，最热点往往出现在绕组端部。所以，为了尽量减小绕组的涡流损耗，要尽量减小绕组端部的漏磁。
[0005]铁心磁阀的结构对电抗器的磁场分布影响显著，现有的磁阀式可控电抗器，其磁阀分布一般是均匀的，也就是说每一段磁阀的长度都是相等，每一段磁阀的漏磁几乎都相等。
【发明内容】
[0006]本实用新型目的在于克服上述现有技术的不足而提供一种磁阀式可控电抗器铁心柱，该铁心柱能够减小绕组端部的漏磁，进而减小绕组的涡流损耗。
[0007]实现本实用新型目的采用的技术方案是:一种磁阀式可控电抗器铁心柱，包括η段磁阀，每段磁阀之间填充有硅钢片，磁阀的高度从铁心柱两端往中间对称地增加，每个磁阀的导磁面积相同；所述磁阀包括若干个导磁片，所述导磁片的长度由中间向两边对称地依次减短，每个导磁片中间设有磁阻片；所述导磁片采用硅钢片制作而成，所述磁阻片采用环氧树脂制作而成。本实用新型具有以下有益效果:
[0008](I)多段磁阀可以有效的改善铁心内部磁场和外部漏磁场，特别是穿过绕组的漏磁场。与传统磁阀分布方案相比，该方案在绕组端部的漏磁场大大减小，漏磁场的横向分量也相应的减小，绕组端部的涡流损耗大大降低。虽然绕组中部的漏磁场引起的涡流损耗稍微增大，但总体上绕组的涡流损耗是减小的。
[0009](2)磁阀由导磁片和磁阻片交叠排列而成，形成并联磁路，导磁片一方面提供主磁路，另一方面作为漏磁屏蔽，吸收漏磁，使因漏磁引起的铁心杂散损耗和振动减小。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型磁阀式可控电抗器铁心柱的结构示意图。
[0011]图2为图1中磁阀的横截面示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
[0013]如图1所示，本实用新型磁阀式可控电抗器铁心柱包括η段磁阀，每段磁阀之间填充有硅钢片，磁阀的高度从铁心柱两端往中间对称地增加，位于铁心柱两端的磁阀(I，η)高度最小，位于铁心柱中间的磁阀高度最大，每个磁阀的导磁面积相同。
[0014]如图2所示，本实施例中的磁阀包括若干个导磁片1.1，每个导磁片1.1的长度由中间向两边对称地依次减短，每个导磁片1.1中间设有磁阻片1.2 ;本实施例中导磁片采用硅钢片制作而成，磁阻片采用环氧树脂制作而成。本
[0015]由于每个导磁片1.1的长度由中间向两边对称地依次减短，如果控制减短的长度，使得导磁片1.1能够无限接近圆形，有利于生产制造。这种结构还能大大降低涡流损耗。
[0016]由于每个导磁片1.1中间设有磁阻片1.2，因而导磁片1.1和磁阻片1.2形成一种交叠排列结构，构成并联磁路，导磁片1.1 一方面提供主磁路，另一方面作为漏磁屏蔽，吸收漏磁，使因漏磁引起的铁心杂散损耗和振动减小。
【权利要求】
1.一种磁阀式可控电抗器铁心柱，包括η段磁阀，每段磁阀之间填充有硅钢片，其特征在于:磁阀的高度从铁心柱两端往中间对称地增加，每个磁阀的导磁面积相同；所述磁阀包括若干个导磁片，所述导磁片的长度由中间向两边对称地依次减短，每个导磁片中间设有磁阻片；所述导磁片采用硅钢片制作而成，所述磁阻片采用环氧树脂制作而成。
【文档编号】H01F27/24GK204229969SQ201420739308
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】卢文华, 田翠华, 陈柏超, 陈锋, 郑浩, 杜振波, 余长厅, 蔡伟, 朱胜龙 申请人:国家电网公司, 国网安徽省电力公司, 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司, 武汉大学