1.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：
接收其上具有彼此邻近的两段导体的衬底以及位于所述两段导体之间的谷；
用第一钝化材料填充所述谷以形成钝化谷；
施加上覆所述两段导体和所述钝化谷并且位于所述衬底上方的第二钝化材料；以及
去除上覆所述两段导体和所述钝化谷的所述第二钝化材料以及位于所述衬底上方但没有与所述两段导体和所述钝化谷接触的所述第二钝化材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过蚀刻上覆所述两段导体和所述钝化谷的所述第二钝化材料以暴露所述两段导体和所述钝化谷的顶面来实施去除上覆所述两段导体和所述钝化谷的所述第二钝化材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过蚀刻所述第二钝化材料以留下覆盖所述两段导体和所述钝化谷的侧面的钝化侧壁块来实施去除位于所述衬底上方但没有与所述两段导体和所述钝化谷接触的所述第二钝化材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，蚀刻所述第二钝化材料以留下所述钝化侧壁块包括蚀刻上覆所述钝化侧壁块的所述第二钝化材料。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述钝化侧壁块与所述两段导体和所述钝化谷一样高。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，上覆所述两段导体和所述钝化谷的所述第二钝化材料与位于所述衬底上方但没有与所述两段导体和所述钝化谷接触的所述第二钝化材料一样高。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过施加上覆所述两段导体和所述谷的所述第一钝化材料以及蚀刻上覆所述两段导体和所述钝化谷的所述第一钝化材料来实施用所述第一钝化材料填充所述谷以形成所述钝化谷。
8.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：
接收其上具有彼此邻近的两段导体的衬底以及位于所述两段导体之间的谷；
用第一钝化材料填充所述谷和所述两段导体的顶面，其中，位于所述谷中的所述第一钝化材料形成钝化谷，并且位于所述两段导体和所述钝化谷的所述顶面上的所述第一钝化材料形成钝化膜；
施加上覆所述钝化膜并且位于所述衬底上方的第二钝化材料；以及
去除所述钝化膜、上覆所述钝化膜的所述第二钝化材料以及位于所述衬底上方但没有与所述两段导体和所述钝化谷接触的所述第二钝化材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过蚀刻所述钝化膜和上覆所述钝化膜的所述第二钝化材料以暴露所述两段导体和所述钝化谷的所述顶面来实施去除上覆所述两段导体和所述钝化谷的所述第二钝化材料。
10.一种半导体结构，包括：
衬底，其上具有彼此邻近的两段导体；
谷，位于所述两段导体之间；
钝化侧壁快，覆盖所述两段导体和所述谷的侧面。