一种引出电极的绝缘装置的制作方法

本发明涉及一种引出电极绝缘装置，特别适合于半导体工艺设备中的离子注入机。

背景技术：

离子注入机是半导体工艺中离子掺杂的典型设备，离子源产生需要掺杂的离子束，离子束再经过质量分析、校正、加速，传输到处于靶室终端工艺腔体的硅片表面。

随着半导体器件集成度越来越高，半导体工艺设备越来越复杂，对离子源的的束流要求也越来越高。适用于该类离子注入机的离子源需要配套相应的引出电极装置。本发明正是基于应用该类离子源而设计。

技术实现要素：

针对现有半导体工艺中离子注入机设备发展的要求，本发明设计一种用于离子注入机引出电极的绝缘装置。该装置涉及到一种绝缘瓷柱，用于引出抑制电极与引出地电极地电位的隔离。绝缘瓷柱从设计角度保护引出抑制电极高电位，实现电隔离。

该装置亦涉及到一种屏蔽筒设计，其可以防止金属颗粒进入并附着在绝缘瓷柱内表面。

本发明有以下几个显著特点：

1.绝缘效果明显；

2.结构简单，便于加工制造；

3.绝缘瓷柱u型槽设计有效的防止溅射污染，延长使用寿命。

附图说明

图1是一种用于引出电极绝缘装置组件的正视图和剖视图。

图2是绝缘瓷柱的正视图和剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步介绍，但不作为对本发明专利的限定。

本发明公开了一种用于离子注入机的引出电极绝缘装置，如图1所示，和离子注入机用引出电极一起使用。该引出电极可以从离子源弧室中引出束流。该装置为使其正常工作隔离高压电位和地电位。该装置主要包括：接线座(1)、螺钉(2)、引出抑制电极(3)、绝缘瓷柱(4)、引出地电极(5)、底座(6)和屏蔽筒(7)等。

如图1所示，绝缘瓷柱(4)安装于引出抑制电极(3)和引出地电极(5)之间，可以很好的保护高压电位和地电位。如图2中所示，绝缘瓷柱(4)采用绝缘材料加工，内表面形成u型规则的形状，用于增加表面面积，避免积尘，产生爬电。

引出抑制电极(3)采用螺钉(2)与绝缘瓷柱(4)联接，绝缘瓷柱(4)采用螺钉(2)与屏蔽筒(7)联接。

引出地电极(5)安装在底座(6)上，其近绝缘瓷柱端面呈圆弧状，以避免其产生放电现象。

接线座(1)安装在引出抑制电极(3)，用于引出抑制电极(3)的高压供电。

屏蔽筒(7)焊接在底座(6)安装上，其圆形，并在非焊接端加工成圆弧状，以避免其在绝缘环内产生放电现象。

本发明的特定实施例已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种用于离子注入机的引出电极绝缘装置。一种离子注入机用引出电极，可以从离子源弧室中引出束流，为使其正常工作发明一种绝缘装置，以隔离高压电位和地电位。主要包括：接线座1、螺钉2、引出抑制电极3、绝缘瓷柱4、引出地电极5、底座6和屏蔽筒7等。该装置特征在于，采用特别的绝缘瓷柱4安装于引出抑制电极3和引出地电极5之间，且引出抑制电极3采用螺钉2与绝缘瓷柱4联接，绝缘瓷柱4采用螺钉2与屏蔽筒7联接，屏蔽筒7与底座6焊接在一起，底座6采用螺钉2与引出地电极5联接，可以很好的保护高压电位和地电位。说明书对装置工作原理进行了详细的说明，并给出了具体的实施方案。

技术研发人员：赵叶军
受保护的技术使用者：北京中科信电子装备有限公司
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2018.03.16