1.一种QLED，其特征在于，包括透明基板，在所述透明基板上设置的阳极，以及在所述阳极上依次层叠设置的空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，其中，所述阳极为PEDOT:PSS形成的阳极，且所述PEDOT:PSS为相分离的PEDOT:PSS。
2.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述PEDOT:PSS的厚度为50-100nm。
3.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述量子点层的厚度为30-50nm。
4.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-100nm。
5.一种如权利要求1-4任一所述的QLED的制备方法，包括以下步骤：
提供一透明基板；
在所述透明基板上沉积PEDOT:PSS，将所述PEDOT:PSS去除溶剂后形成PEDOT:PSS薄膜，在加热条件下，将所述PEDOT:PSS薄膜进行氢卤酸渗透处理，制备阳极，其中，所述加热的温度为80-150℃；
在所述阳极上依次沉积空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极。
6.如权利要求5所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述氢卤酸的浓度为1-20mol/L。
7.如权利要求6所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述氢卤酸为HI溶液、HF溶液、HBr溶液中的至少一种。
8.如权利要求6所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述氢卤酸为HI溶液。
9.如权利要求5-8任一所述的QLED的制备方法，其特征在于，在沉积所述PEDOT:PSS前，还包括对所述透明基板进行清洁处理，所述清洁处理的方法为：
将所述透明基板依次分别置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声时间为10-20min，待超声清洗完成后，将所述透明基板放置于洁净烘箱内烘干备用。
10.如权利要求5-8任一所述的QLED的制备方法，其特征在于，将所述PEDOT:PSS去除溶剂的方法为：在80-200℃条件下加热10-30min。