荧光胶膜及封装结构的制作方法

荧光胶膜及封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种荧光胶膜，其包括一多边形中央区域以及多个延展区域，所述多个延展区域分别连接于所述中央区域的多个边，当所述荧光胶膜处于平展状态时，所述多边形中央区域以及所述多个延展区域分布于同一平面上，且相邻延展区域之间留有间隙，而当所述荧光胶膜被贴合于相应半导体发光芯片表面时，所述多边形中央区域贴合于半导体发光芯片的第一面，而所述的多个延展区域分别贴合于所述半导体发光芯片的多个第二面，且相邻延展区域的边缘部无缝接合。本实用新型还公开了一种封装结构。籍由本实用新型的荧光胶膜能方便快速的实现半导体发光芯片的封装，并获得良好的发光效率和光转换率。
【专利说明】
荧光胶膜及封装结构
技术领域
[0001] 本实用新型涉及一种可应用于半导体器件封装领域的封装材料，特别是一种半导 体发光芯片封装用荧光胶膜、封装方法及封装结构。
【背景技术】
[0002] LED(半导体发光二极管）因具有低能耗、长寿命、小体积等优点，而被广泛应用于 照明、背光等领域。而封装工序是LED制程中的一个非常重要的工序，其对于LED的工作性 能、成本等有着非常显著的影响。
[0003] 目前白光照明LED器件普遍采用的是灌封封装工艺技术(Encapsulation)，即将荧 光粉与有机硅胶按照一定比例混合后，通过点胶(Dispensing)注入已经完成固晶和金线绑 定的支架上，完成LED芯片表面的荧光粉涂覆。此制程由于工艺简单、生产成本较低且生产 效率高，而被业界广泛使用。然而在此传统工艺中，荧光粉层的厚度和分布位置难以得到精 确控制，这对成品LED的出光均匀性造成了极大的不良影响。与此同时，若荧光粉在混合物 中的含量较高，则荧光粉在混合物中的沉淀日益明显，难以控制批次的一致性，而不适合点 胶工艺。
[0004] 近年来，随着LED在器件材料、芯片工艺、封装制程技术等方面的研究不断进步，尤 其是倒转芯片的逐渐成熟与荧光粉涂覆技术的多样化，一种新的芯片尺寸级封装CSP(Chip Scale Package，芯片级封装)技术应运而生，而由此形成的是芯片级封装器件，其封装尺寸 小于芯片尺寸1.2倍。由于此类器件单元面积的光通量最大化(高光密度）以及芯片与封装 Β0Μ成本最大比（低封装成本），使其有望在lm/$上打开颠覆性的突破口。近期，CSP在业界引 起较大议论，它既是众多封装形式的一种，也被行业寄予期望，被认为是一种"终极"封装形 式，但这种技术仍有一些问题有待解决，例如如何实现荧光粉的高效率涂敷、均匀涂敷，目 前使用的喷涂工艺或注塑工艺都存在涂敷效率低、生产效率低、或荧光粉涂敷不均匀等问 题。
[0005] 进一步的讲，目前CSP无封装芯片主要有如下三大主流结构：1)采用硅胶荧光粉压 制而成，五面出光，光效高，但是顶部和四周的色温一致性控制较差;2)采用周围反射材料 (例如二氧化钛或硫酸钡)保护再覆荧光膜，只有顶部一个发光面，光的一致性和指向性很 好，但是损失了四周的光输出，光效会偏低;3)采用荧光膜全覆盖，再加透明硅胶固定成型， 也是五面出光，光效高，光品质稍差。目前五面发光的CSP采用的胶膜属于热熔胶机理，需要 在运输和贮存过程中低温储存，在使用中也有荧光粉胶涂敷厚度不均匀等问题。业界另一 种胶膜属于可再固化荧光粉胶膜，但此荧光粉胶膜流动性差，很难实现CSP芯片的五面覆 盖。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型的主要目的在于提供一种半导体发光芯片封装用荧光胶膜、封装方法 及封装结构，以克服现有技术中的不足。
[0007] 为实现前述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案包括：
[0008] 本实用新型实施例提供了一类荧光胶膜，用以封装半导体发光芯片，所述半导体 发光芯片包括呈多边形的第一面以及分别与该第一面的多个边连接的多个第二面，所述第 二面与第一面之间形成有大于0而小于180°c的夹角，所述荧光胶膜包括一多边形中央区域 以及多个延展区域，所述多个延展区域分别连接于所述中央区域的多个边，当所述荧光胶 膜处于平展状态时，所述多边形中央区域以及所述多个延展区域分布于同一平面上，且相 邻延展区域之间留有间隙，而当所述荧光胶膜被贴合于相应半导体发光芯片表面时，所述 多边形中央区域贴合于半导体发光芯片的第一面，而所述的多个延展区域分别贴合于所述 半导体发光芯片的多个第二面，且相邻延展区域的边缘部无缝接合。
[0009] 在一些较佳实施方案中，所述荧光胶膜选自主要由有机硅组合物和掺杂于所述有 机硅组合物中的荧光材料组成的半导体发光芯片封装组合物半固化形成的荧光胶膜。
[0010] 利用所述荧光胶膜，可以方便、快捷的实现半导体发光芯片的封装，避免现有封装 过程中出现的荧光沉降等问题，且所述荧光胶膜内部的荧光材料分布较为均匀，同时亦具 有均匀的厚度(可抵制?ομπι左右），因而能保障半导体发光芯片的各出光区域具有较为均一 的出光率和光转换效率。
[0011] 本实用新型实施例还提供了一类半导体发光芯片封装方法，其包括：
[0012] 提供待封装的半导体发光芯片，
[0013] 将前述的任一种荧光胶膜贴合于所述半导体发光芯片表面，并通过光照和/或加 热固化而实现所述半导体发光芯片的封装。
[0014] 在一些实施方案中，可以通过负压使所述荧光胶膜贴合于所述半导体发光芯片表 面，或者，也可以通过冲压方式使所述荧光胶膜贴合于所述半导体发光芯片表面。
[0015] 本实用新型实施例还提供了一类封装结构，其包括:半导体发光芯片，以及，如前 所述的荧光胶膜;所述荧光胶膜贴附于所述半导体发光芯片表面，并将所述半导体发光芯 片的出光面完全包覆。
[0016] 本实用新型实施例还提供了一类半导体发光芯片封装结构，由贴合于半导体发光 芯片表面的、如前所述的任意一种荧光胶膜固化形成。
[0017] 以下结合实施例对本实用新型的技术方案作更为具体的解释说明，但不作为对本 实用新型的限定。
【附图说明】

[0018] 图la是本实用新型一典型实施例中一种荧光胶膜的主视图；
[0019] 图lb是本实用新型一典型实施例中另一种荧光胶膜的主视图；
[0020] 图2a是本实用新型一典型实施中一种利用图la-图lb所示荧光胶膜封装倒装LED 芯片的亦意图；
[0021] 图2b是本实用新型一典型实施中一种利用图la-图lb所示荧光胶膜封装倒装LED 芯片的亦意图；
[0022] 图3是荧光粉于本实用新型第一实施例及第一对照例组合物中沉淀速度的测试照 片；
[0023]图4是以本实用新型一实施例中有机硅组合物于封装LED以实现CSP LED封装时的 成膜照片。
【具体实施方式】
[0024] 鉴于现有技术存在的多种技术问题，经过本实用新型人的大量工作，使用本实用 新型的荧光粉胶膜可以得到改善或提高。
[0025] 本实用新型实施例提供的荧光胶膜用以封装半导体发光芯片，所述半导体发光芯 片包括呈多边形的第一面以及分别与该第一面的多个边连接的多个第二面，所述第二面与 第一面之间形成有大于0而小于180°C的夹角，其特征在于:所述荧光胶膜包括一多边形中 央区域以及多个延展区域，所述多个延展区域分别连接于所述中央区域的多个边，当所述 荧光胶膜处于平展状态时，所述多边形中央区域以及所述多个延展区域分布于同一平面 上，且相邻延展区域之间留有间隙，而当所述荧光胶膜被贴合于相应半导体发光芯片表面 时，所述多边形中央区域贴合于半导体发光芯片的第一面，而所述的多个延展区域分别贴 合于所述半导体发光芯片的多个第二面，且相邻延展区域的边缘部无缝接合。
[0026] 在一些实施方案中，所述中央区域为平行四边形。
[0027]较为优选的，所述中央区域为长方形、正方形或菱形，当然也可以为诸如三角形、 梯形等其它形态，其可以依据半导体发光芯片的形态而定。
[0028] 在一些实施方案中，当所述荧光胶膜被贴合于所述半导体发光芯片表面时，所述 半导体发光芯片的出光面被所述荧光胶膜完全包覆。
[0029] 在一些实施方案中，当所述荧光胶膜处于平展状态时，相邻延展区域之间形成有 大于〇而小于或等于90°的夹角。
[0030] 在一些具体实施方案中，当所述荧光胶膜处于平展状态时，相邻延展区域之间形 成有90°的夹角。
[0031] 在一些具体实施方案中，当所述荧光胶膜处于平展状态时，相邻延展区域之间形 成有大于〇而小于90°的夹角。
[0032] 进一步的，所述荧光胶膜为柔性胶膜，且所述荧光胶膜能在设定温度条件下和/或 设定光照条件下固化形成硬质结构。
[0033] 在一些实施方案中，所述半导体发光芯片采用倒装LED芯片。
[0034] 在一些实施方案中，所述半导体发光芯片的第一面和第二面均为出光面。
[0035] 本实用新型实施例提供的半导体发光芯片封装方法包括：
[0036]提供待封装的半导体发光芯片，
[0037] 将前述的任一种荧光胶膜贴合于所述半导体发光芯片表面，并通过光照和/或加 热固化而实现所述半导体发光芯片的封装。
[0038] 在一些实施方案中，所述的封装方法包括：
[0039] 将所述半导体发光芯片置于载体上，
[0040] 于所述载体上形成负压，使所述荧光胶膜在负压作用下贴合于所述半导体发光芯 片表面。
[0041] 在一些实施方案中，所述的封装方法包括:通过冲压方式使所述荧光胶膜贴合于 所述半导体发光芯片表面。
[0042] 本实用新型实施例提供的封装结构包括:半导体发光芯片，以及，如前所述的荧光 胶膜;所述荧光胶膜贴附于所述半导体发光芯片表面，并将所述半导体发光芯片的出光面 完全包覆。
[0043] 本实用新型实施例提供的半导体发光芯片封装结构由贴合于半导体发光芯片表 面的、如前所述的任一种荧光胶膜固化形成。
[0044] 在一些实施方案中，所述荧光胶膜选自主要由有机硅组合物和掺杂于所述有机硅 组合物中的荧光材料组成的半导体发光芯片封装组合物半固化形成的荧光胶膜。
[0045] 其中，所述有机硅组合物和荧光材料可选自业界已知的任何合适类型。
[0046] 请参阅图la所示是本实用新型一典型实施例中一种荧光胶膜的主视图，该荧光胶 膜1包括一矩形中央区域101以及多个矩形延展区域102,该多个延展区域分别连接于该中 央区域的四个边，当该荧光胶膜处于平展状态时，该中央区域以及该多个延展区域分布于 同一平面上，且相邻延展区域之间留有间隙1〇3(邻延展区域之间成90°夹角）。
[0047] 请参阅图lb所示是本实用新型一典型实施例中另一种荧光胶膜的主视图，该荧光 胶膜Γ包括一矩形中央区域101'以及多个等边梯形延展区域102'，该多个延展区域分别连 接于该中央区域的四个边，当该荧光胶膜处于平展状态时，该中央区域以及该多个延展区 域分布于同一平面上，且相邻延展区域之间留有间隙103'（邻延展区域之间成小于90°的夹 角）。
[0048]请参阅图2a所示，当利用图la-图lb所示的任一种荧光胶膜（以荧光胶膜1为例)封 装半导体发光芯片(例如倒装LED芯片2)时，可以将该倒装LED芯片2安放于一工作台面3上， 该工作台面上可设有若干风孔301，该若干风孔与抽真空装置（图中未示出）连通，因此可以 在工作台面3上产生负压，利用该负压作用，可以将荧光胶膜1贴附到倒装LED芯片2表面。具 体的，该倒装LED芯片2具有五个出光面，其中上端的出光面可以定义为第一面201，而与该 第一面201的四个边连接的四个竖直出光面可以定义为第二面202。
[0049] 当所述荧光胶膜1被贴合于该倒装LED芯片2表面时，其矩形中央区域101贴合于该 倒装LED芯片2的第一面201，而各延展区域102分别贴合于该倒装LED芯片2的多个第二面 202,且相邻延展区域102的边缘部无缝接合，从而将该倒装LED芯片2的五个出光面完全包 裹，之后可以通过加热、紫外光照等方式使该荧光胶膜1完全固化，实现倒装LED芯片2的五 面发光式的封装。
[0050] 再请参阅图2b所示，当利用图la-图lb所示的任一种荧光胶膜（以荧光胶膜Γ为 例)封装半导体发光芯片(例如倒装LED芯片2)时，可以将该倒装LED芯片2安放于一工作台 面3'上，并利用冲压设备（图中未示出）将荧光胶膜Γ贴附到该倒装LED芯片2表面。同样的， 该倒装LED芯片2具有五个出光面，其中上端的出光面可以定义为第一面201，而与该第一面 201的四个边连接的四个竖直出光面可以定义为第二面202。当所述荧光胶膜Γ被贴合于该 倒装LED芯片2表面时，其矩形中央区域101'贴合于该倒装LED芯片2的第一面201，而各延展 区域102'分别贴合于该倒装LED芯片2的多个第二面202,且相邻延展区域102'的边缘部无 缝接合，从而将该倒装LED芯片2的五个出光面完全包裹，之后可以通过加热、紫外光照等方 式使该荧光胶膜Γ完全固化，实现倒装LED芯片2的五面发光式的封装。
[0051] 进一步的，在一些实施方案中，藉由前述荧光胶膜形成的封装结构可以包括:半导 体发光芯片，以及，如前所述的荧光胶膜;所述荧光胶膜贴附于所述半导体发光芯片表面， 并将所述半导体发光芯片的出光面完全包覆。特别的，该封装结构可以是CSP(chip scale package芯片级封装，整个封装的尺寸小于或等于芯片的1.2倍尺寸），特别是五面发光的 CSP封装结构。
[0052]在本实用新型中，所述有机硅组合物的主要成分为数均分子量高于3X104g/mol 的硅氧烷基橡胶，含乙烯基官能团的硅氧烷树脂，含Si-H官能团的硅氧烷树脂，氢化硅烷化 催化剂，以及，用以与所述有机硅组合物的各组分配合而形成均相溶液的有机溶剂。
[0053]本实用新型中，所述硅氧烷基橡胶(又称硅氧烷橡胶)含乙烯基官能团，优选的，所 述硅氧烷基橡胶的每个分子中含有2个以上乙烯基，更优选的，所述硅氧烷基橡胶含苯基官 能团，进一步优选的，所述硅氧烷基橡胶的每个分子中含有1个以上苯基。
[0054] 本实用新型的硅氧烷橡胶是一种在聚合物主链上以有机硅氧烷单元作为重复链 节的橡胶，其中由下面的通式_{Si (1^)(1?2)-0--}表示有机硅氧烷单元，其中R1和R2各自是 单价的有机基团，或特别是烷基，如甲基、乙基等;芳基，如苯基等;链烯基，如乙烯基等;氰 烷基，如y _氛丙基等;或氣烷基，如二氣丙基等。
[0055] 本实用新型的硅氧烷橡胶可以通过业界所知的合适途径获取，包括自制或从市场 途径获取。例如，可参阅EP 0470745A2、《Glossary of Chemical Terms》（Van Nostr and Reinhold Company，1976年）、JP2005288916、DE102004050128.9、US5279890A、JP 330084/ 1998、JP19981124、JP332821/1998、CN1212265A 等文献，
[0056] 更为具体的，本实用新型的硅氧烷橡胶可以选自二甲基硅氧烷橡胶、甲基苯基硅 氧烧橡胶、甲基乙烯基硅氧烷橡胶、氣化的烷基甲基硅氧烷橡胶、氛烷基硅氧烷橡胶等，但 也不限于此。
[0057]本实用新型中，在有机硅氧烷单元中的R1和/或R2优选乙烯基、苯基。
[0058]在所述有机硅组合物中，硅氧烷橡胶占非溶剂组分的含量可以为lwt%~90wt%， 优选为l〇wt%~80wt%，尤其优选为20wt%~70wt%。
[0059]较为理想的，本实用新型的硅氧烷橡胶中乙烯基的含量为硅氧烷橡胶的总重量的 0.01%以上，70%以下。
[0060]更为理想的，本实用新型的硅氧烷橡胶中苯基的含量为硅氧烷橡胶的总重量的 0.01%以上，95%以下。
[0061 ]优选的，所述硅氧烷基橡胶的数均分子量为3 X 104g/mol~1 X 108g/mol，更优选的 为1 X 105g/mol~1 X 107g/mol，尤其优选为3 X 105g/mol~1 X 106g/mol。
[0062]本实用新型中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有2个以上乙 烯基，优选的，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂包含直链、支链或网状结构，优选的，所述 含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的数均分子量(Μη)在10 5g/mol以下，优选为1 X 102g/mol~1 X 105g/mol，更优选的为1 X 10 2g/mol~1 X 104g/mol。
[0063]更优选的，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有1个以上苯基。 [0064]在一些实施方案中，所述的含乙烯基官能团的硅氧烷树脂包含RSi03/2单元、RR' Si〇2/2单元、RR'R〃Si0i/2单元和Si〇4/2单元中的任意一种或多种的组合，其中R、R'、R〃为取代 的或未取代的单价烃基。
[0065]在一些实施方案中，所述的含Si-H官能团的硅氧烷树脂包含RSi03/2单元、RR' Si〇2/2单元、RR'R〃Si0i/2单元和Si〇4/2单元中的任意一种或多种的组合，其中R、R'、R〃为取代 的或未取代的单价烃基。
[0066]更为具体的，在一些实施例中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的结构如下：
[0068]在一些实施方案中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂可以为（R^OR^SiO)!!!-(R3CH 2 = CH-SiO)n，其中R/R2、R3可均为乙烯基，m、n可以为0或一个正整数。
[0069]在一些实施方案中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂可以选自含有乙烯基的 POSSo
[0070] 在所述有机硅组合物中，含乙烯基官能团的硅氧烷树脂占非溶剂组分的含量可以 为lwt%~90wt%，优选为10wt%~70wt%，尤其优选为20wt%~50wt%。
[0071] 在本实用新型中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有2个以上Si-H基，优选的，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂包含直链、支链或网状结构;优选的，所述含 Si-H官能团的硅氧烷树脂的数均分子量低于105g/mol，优选为102g/mol~10 5g/mol，更优选 的为 1X10 2g/mol~lX104g/mol。
[0072] 更优选的，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有1个以上苯基。
[0073] 本实用新型中含Si-H官能团的硅氧烷树脂内，除与硅键合的氢原子以外的与硅键 合的基团可以是除烯基以外的任选被取代的一价烃基，例如甲基、乙基、丙基或类似的烷 基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基或类似的芳基;苯甲基、苯乙基或类似的芳烷基；3-氯丙 基、3,3,3_三氟丙基或类似的卤代烷基，但优选的，在该组分的一个分子中有至少一个芳 基，特别是苯基，尤其是两个以上苯基。该组分的分子结构没有特殊的限制，它可以具有直 链的、支化的或部分支化的直链、环状或树枝状的分子结构。在一些实施案例中，所述含Si_ H官能团的硅氧烷树脂可以由以下物质代表：由式(CH3)2HSi01/2和C 6H5Si03/2的单元组成的 有机聚硅氧烷树脂；由式(CH 3)2HSi01/2、（CH3)3Si0 1/2和式C6H5Si03/2的单元组成的有机聚硅 氧烷树脂；由式(CH 3)2HSi01/2和Si〇4/2的单元组成的有机聚硅氧烷树脂；由式(OfehHSiO^、 (CH3)2Si〇2/2和Si〇4/2的单兀组成的有机聚硅氧烷树脂，等等。
[0074] 更为具体的，在一些实施例中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂的结构如下：
[0076] 其中，P为大于或等于1的整数。
[0077] 在一些实施方案中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂亦可选自含有Si-H官能团的 P0SS〇
[0078] 在所述有机硅组合物中，含Si-H官能团的硅氧烷树脂的含量为lwt%~90wt%，优 选为2wt %~50wt %，尤其优选为5wt %~30wt %。
[0079] 进一步的，在本实用新型中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂内Si-H基的含量在 0 · lmol % ~lOOmol %，优选在0 · 2mol % ~95mol %，尤其优选在0 · 5mol % ~90mol %。
[0080] 进一步的，在本实用新型中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂内Si-H基与所述含 乙烯基官能团的硅氧烷树脂内乙烯基的摩尔比为0.02~50:1，优选在0.1~10:1，尤其优选 在0.5~5:1 〇
[0081] 进一步的，关于这种含Si-H官能团的硅氧烷树脂的选取和制备工艺可参考 CN101151328A、CN102464887A 等等。
[0082]进一步的，本实用新型中的硅氧烷树脂(含乙烯基官能团的硅氧烷树脂、含Si-H官 能团的硅氧烷树脂)是一类可溶于诸如苯、甲苯、二甲苯、庚烷和类似物的液态烃、酮、脂、光 刻胶用溶剂或可溶于诸如低粘度的环状聚二有机硅氧烷和直链聚二有机硅氧烷的液态有 机硅化合物，其可包括由R 33Si01/2代表的单官能(M)单元、R32Si02/ 2代表的双官能(D)单元、 R3Si03/2代表的三官能(T)单元和由Si〇4/2代表的四官能(Q)单元。R 3代表单价的有机基团，其 为取代的或未取代的单价烃基。其中，所述单价未取代的烃基可选自但不限于如下基团：烷 基，诸如甲基、乙基、丙基、戊基、辛基、十一烷基和十八烷基;链烯基，诸如乙烯基、稀丙基、 丁烯基、戊烯基和己烯基；脂环族基团，诸如环己基和环己烯基乙基;炔基，诸如乙炔基、丙 炔基和丁炔基;环烷基诸如环戊基和环己基；以及，芳族基团，诸如乙基苄基、萘基、苯基、甲 苯基、二甲苯基、苄基、苯乙烯基、1-苯乙基和2-苯乙基，可选地为苯基。可存在于R 3上的非 活性取代基包括但不限于卤素和氰基。作为取代的烃基的单价有机基团可选自但不限于以 下基团：卤化烷基，如氯甲基、3-氯丙基和3,3,3_三氟丙基、氟甲基、2-氟丙基、3,3,3_三氟 丙基、4,4,4_ 二氣丁基、4,4,4,3,3_ 五氣丁基、5,5,5,4,4,3,3t 氣戊基、6,6,6,5,5,4,4， 3，3-九氟己基和8，8，8，7，7-五氟辛基等。优选的，本实用新型的硅氧烷树脂中单价未取代 的烃基为乙烯基，特别是所述硅氧烷树脂的每个分子中含有2个以上苯基。关于本实用新型 中硅氧烷树脂的选取和制备工艺可参考US6，124,407、US2,676，182、US4,774,310、US6， 124,407 等。
[0083] 本实用新型中，氢化硅烷化催化剂的用量应足以促进本实用新型有机硅组合物的 固化。这些氢化硅烷化催化剂是本领域中已知的且是商业上可获得的，例如可选自但不限 于如下物质:铂族金属:铂、铑、钌、钯、锇或铱金属或其有机金属化合物及其组合。更为具体 的，其可以选自铂黑、化合物诸如氯铂酸、氯铂酸六水合物、氯铂酸和一元醇的反应产物、双 (乙基乙酰乙酸）铂、双（乙酰丙酮酸）铂、二氯化铂和所述化合物与烯烃或低分子量的有机 聚硅氧烷或在基质或核壳类型结构中微囊化的铂化合物的复合物。铂与低分子量的有机聚 硅氧烷的复合物，包括具有铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷复合物。这些复合 物可于树脂基质中微囊化。可选地，催化剂可包括具有铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基 二硅氧烷复合物。这些氢化硅烷化催化剂可参考CN1863875A(说明书第0020-0021段）、US3， 159，601、US3,220,972、US3,296,291、US3,419,593号、US3,516,946、US3,814,730、US3, 989,668、1^4,784,879、1^5,036，117、1^5，175,325号』？ 0 347 8958、1]54,766，176、1]55， 017，654等文献。和/或，至少一个UV活性Pt催化剂，可参考US8，314，200。
[0084] 在一些实施案例中，基于本实用新型有机硅组合物的重量，氢化硅烷化催化剂的 量可以为以下范围的钼族金属:〇. lppm至1，OOOOppm，可选地为lppm至lOOOppm，且可选地为 10卩卩111至100卩卩111·
[0085] 在本实用新型中，前述的溶剂可以是适用的任何类型，例如水、有机溶剂或两者的 混合物，优选自有机溶剂，例如可选自但不限于正己烷、甲苯、氯仿、二氯甲烷、乙醇、丙酮、 2-丁酮、4-甲基-2-戊酮、脂、光刻胶用溶剂(例如PGME、PGMEA)等，用以与该组合物中的其余 材料组合为具有良好流动性的液体，特别是均相溶液。
[0086] 在所述有机硅组合物中，所述溶剂的含量可以为约10wt%~90wt%，优选为 20wt %~80wt %，尤其优选为30wt %~70wt %，特别是所述溶剂在常压下的沸点为60°C~ 250。。。
[0087] 在一些实施方案之中，所述的有机硅组合物还可包含添加剂，例如抑制剂，小分子 硅烷(可含有或不含乙烯或Si-H功能基团），粘接促进剂，热或UV固化的环氧/丙烯酸/聚氨 酯/双马来酰亚胺等树脂，无机填充剂，流变改性剂，增粘剂，润湿剂，消泡剂，流平剂，染料 和荧光粉防沉淀剂(例如信越DM-30、Sanwe 11 SH系列LED荧光粉防沉剂等）中的任一种或两 种以上的组合。
[0088] 其中，所述抑制剂，即硅氢加成反应抑制剂是指能够导致硅氢加成反应不良的物 质，参考CN1863875A(第0025段)等，其可选自炔醇类化合物、烯-炔化合物、硅氧烷或苯并三 唑及其他氢化硅烷反应抑制剂。例如，炔醇类化合物抑制剂可选自2-苯基-3-丁炔-2-醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5_二甲基-1-己炔-3-醇等;烯-炔化合物可选自诸如3-甲基-3-戊烯-1-炔等，硅氧烷可选自1，3,5,7_四甲基-1，3,5,7-四己烯基环四硅氧烷、1，3,5,7_四甲基-1，3,5,7_四乙烯基环四硅氧烷等。其中优选炔醇类化合物，尤其优选2-苯基-3-丁炔-2-醇。 [0089]其中，增粘剂或粘结促进剂可以选自正硅酸乙酯、乙烯基三甲氧基硅烷、硼酸正丁 酯、硼酸异丙酯、异辛酸钛、异辛酸锆、钛酸正丁酯、钛酸异丙酯、KH-17UKH-560和KH-570等 (参考CN1863875A说明书第0026段等），市售途径可以获得的粘结促进剂可以为道康宁公司 出品的JCR6101、JCR6101UP、EG6301、0E6336、JCR6175、JCR6109、Hipec4939、Hipecl-9224、 0E6250、SR7010、SE9207、SE1740、SE9187L等，但不限于此。
[0090]其中，无机填充剂可以是本领域中已知的且是商业上可获得的，例如可包括无机 填料诸如二氧化硅，例如，胶态二氧化硅、火成二氧化硅、石英粉、氧化钛、玻璃、氧化铝、氧 化锌，或其组合，填料可具有50纳米或更小的平均粒径且不会通过散射或吸收降低透光百 分率。
[0091 ]而关于诸如流变改性剂，润湿剂，消泡剂，流平剂，染料等，其定义是业界悉知的， 并可从业界常用的相应材料内自由选取。
[0092] 本实用新型的有机硅组合物可通过任何常规方法来制备，比如在合适的温度，例 如室温下混合所有成分。
[0093] 所述有机硅组合物的粘度为1，OOOmPa. s~500，OOOmPa. s，优选为5，OOOmPa. s~ 100，OOOmPa. s，尤其优选为7，OOOmPa. s~50，OOOmPa. s。因其流动性良好，可通过注射器、 栗、打印机等普通设备而精确注入或涂覆到器件上的某些选定位置，而方便的利用其实现 粘接、封装工艺。另外，还使所述有机娃组合物在应用时，表现出良好隙填充性能（g a p filling property)〇
[0094] 所述有机硅组合物的完全固化物的硬度为邵氏硬度A 20~邵氏硬度D 100,优选 为邵氏硬度A 60~邵氏硬度D 90,尤其优选为邵氏硬度A 80~邵氏硬度D 80。
[0095] 所述有机硅组合物的完全固化物对于可见光，例如波长约450nm的光的透光率为 50 %~100 %，优选为70 %~100 %，尤其优选为80 %~100 %。
[0096] 另外，所述有机硅组合物的完全固化物还表现出良好的粘接力和柔韧性，且介电 常数、导热效率、抗老化等性能亦较为理想。
[0097] 因而，藉由所述有机硅组合物，还可以使器件之间或器件与外界能保持良好的隔 离，包括物理和化学隔离，和/或使器件能保持良好的光输出或摄入效率。
[0098] 相较于目前应用于半导体封装的膜产品，本实用新型的有机硅组合物还具有包含 但不限于如下列出的优点，包括:在室温下依然有较长使用寿命(大于8h而没有显著的粘度 变化）、更好的填充缝隙性能、简化半导体器件（如LED)的封装流程而提高产率，以及，贮藏 稳定性更(在〇_5°C下，大于1个月，优选为3个月，更优选为6个月）佳。
[0099] 本实用新型的有机硅组合物在应用时，还可与荧光粉、荧光量子点等荧光材料协 同使用，例如，可以将前述荧光材料掺入所述有机硅组合物，再用以封装物品。在此过程中， 本案实用新型人还非常意外的发现，本实用新型的有机硅组合物能极大幅度的降低甚至消 除荧光材料，特别是荧光粉随时间而产生的沉降，例如，当将业界常用的各类荧光材料与本 实用新型组合物混合后，室温下，大于8h没有沉淀情况发生，优选为24h以上，更优选为1周 以上，因而可以产生更为均匀的封装效果，提高半导体发光器件类的发光均匀度等。
[0100] 因此，本实用新型实施例还提供了一种荧光封装组合物，其包含：
[0101] 所述的应用于半导体封装的有机硅组合物；
[0102] 以及，均匀分散于所述有机硅组合物内的荧光材料，所述荧光材料包括荧光粉和/ 或荧光量子点。
[0103] 进一步的，所述荧光封装组合物中荧光材料占非溶剂组分的含量为O.Olwt%~ 90wt%，优选为lwt%~80wt%，更优选为3wt%~70wt%。
[0104] 进一步的，所述荧光材料的色温为1800K-16000K，显色指数为60~100。
[0105]进一步的，所述荧光粉的粒径为1.0~lOOOOnm，优选的，所述荧光粉包括稀土荧光 粉、稀土石榴石荧光粉、碱土金属硫化镓酸盐、碱土金属硫化物、硫化锌型、碱土金属铝酸 盐、磷酸盐、硼酸盐、硅酸盐、氟砷酸盐、氟锗酸盐、稀土硫化物、稀土氧化物、钒酸盐、氮化物 荧光粉中的任意一种两种以上的组合，尤其优选的，所述荧光粉为稀土元素掺杂的YAG钇铝 石榴石荧光粉或Ce掺杂的YAG钇铝石榴石荧光粉。
[0106]进一步的，所述荧光量子点的粒径为1.0~20nm，优选的，所述荧光量子点的组成 材料包含II-VI族或III-V族元素，尤为优选的，所述荧光量子点的材质包括ZnSe、CdS、CdSe 和CdSe中的任意一种两种以上的组合，进一步优选的，所述荧光量子点的材质选自镓化砷、 磷化铟或氮化镓，更进一步优选的，所述荧光量子点具有核壳结构，更进一步优选的，所述 荧光量子点为CdSe/ZnS核壳结构量子点。
[0107] 进一步的，所述荧光封装组合物中荧光粉占非溶剂组分的含量优选为l.Owt%~ 60wt%，更优选为 1 .Owt% ~50wt%。
[0108] 进一步的，所述荧光封装组合物中荧光量子点占非溶剂组分的含量优选为0.01~ 50wt%，更优选为0.01 ~5.0wt%。
[0109] 本实用新型实施例还提供了所述有机硅组合物或所述荧光封装组合物于半导体 封装中的应用，包括:晶圆级封装(WLP)、芯片尺寸封装(CSP)、LED灯丝封装等。
[0110]例如，在一些实施方案之中提供了一种半导体器件封装材料，其包含所述的有机 硅组合物和/或其不同程度的固化物和/或所述荧光封装组合物和/或其不同程度的固化 物。
[0111] 例如，在一些实施方案之中提供了一类薄膜或涂层，主要由所述的有机硅组合物 或所述的荧光封装组合物半固化或固化形成，优选由所述的荧光封装组合物固化形成。
[0112] 进一步的，所述半固化的条件包括:加热通风条件，温度条件为20°C~200°C，优选 为80°C~120°C，时间为10~100000s，优选为10~8000s。
[0113] 其中，所述薄膜可以是呈半固化状态的，其较之以流体形态存在的有机硅组合物， 在作为封装材料应用时，具有更为方便、快捷、低成本等特点，尤其适用于对大尺寸的半导 体发光器件，例如晶圆级半导体发光器件进行封装。
[0114] 进一步的，所述固化的条件包括:通过加热或电磁辐照使所述有机硅组合物或所 述荧光封装组合物完全固化。
[0115] 相应的，本实用新型还提供了所述有机硅组合物或所述荧光封装组合物于物品粘 接、制备物品表面涂层或半导体封装中的应用。
[0116] 例如，在一些实施方案之中提供了一类半导体发光装置，其包括：半导体发光芯 片，以及，所述的薄膜或涂层;并且所述半导体发光芯片与所述薄膜或涂层间隔设置。
[0117] 本案实用新型人发现，当利用由所述荧光封装组合物形成的薄膜或涂层，可以在 厚度极薄(例如可以达到10~2000μπι左右，优选在10~500μπι左右）的情况下，仍提供高效的 光转换效率、发光均匀，且可有效提升所述半导体发光芯片的使用寿命。
[0118] 较为典型的，本实用新型实施例还提供了一种封装方法，其包括：
[0119]提供待封装的物品，
[0120] 将所述的有机硅组合物或所述的荧光封装组合物施加到所述待封装的物品上，并 通过辐射和/或加热固化而实现所述物品的封装。
[0121] 在一些实施方案之中提供的一种封装方法包括：
[0122] S1:制膜，将前述有机硅组合物或荧光封装组合物通过溶液成膜、流延涂覆、丝网/ 钢网印刷、旋转涂覆、（真空)挤出成膜等方式成膜；
[0123] S2:初步固化，形成表面不粘且可以揭起的预固化膜；
[0124] S3:贴膜，将预固化膜覆盖在应用的基板上，通过在高温下和/或施加压力使膜与 基板和/或处于膜上面的另一物品粘接(基板或者物品可以有微观结构，例如印刷线路或电 极)；
[0?25] S4:固化，将贴附有膜的基板置于恒温（加热。elevated temperature)环境中固 化；
[0126] S5:固化后处理，例如将固化后的产品切割为更小的单位。
[0127]进一步的，在一些较为优选的实施方案之中，一种封装方法包括：
[0128] 1)将所述的有机硅组合物或所述的荧光封装组合物施加到第一基材上形成膜，
[0129] 2)除去所述膜中的有机溶剂，形成可被从第一基材上完全揭起且表面无粘性的预 固化膜，
[0130] 3)将预固化膜覆盖至第一基材或第二基材表面，并向预固化膜施加压力，使预固 化膜贴附在所述第一基材或第二基材上，
[0131] 4)在辐射和/或加热条件下使预固化膜完全固化，实现对第一基材或第二基材的 封装；
[0132] 5)后处理步骤。
[0133] 其中，步骤1)包括:至少选用成膜器和印刷方式中的任一种将所述有机硅组合物 或所述的荧光封装组合物施加到第一基材上并形成膜。
[0134] 在一可选实施方案之中，步骤2)包括:在辐射和/或加热通风条件下去除所述膜中 的有机溶剂，从而形成所述预固化膜。其中采用的加热温度可以为20~200°C，优选为80~ 120°C，加热时间为10~100000秒，优选为10~8000秒。
[0135] 在一较为优选的实施方案之中，步骤3)包括:在向预固化膜施加压力的过程中，还 至少对预固化膜进行加热处理，使预固化膜粘接在所述第一基材或第二基材上。其中施加 的压力大小可以为O.OOlPa~lOOOOPa，优选为O.lPa~lOOOPa，施加压力时间为0.001~ 100000秒，优选为0.1~100秒。其中采用的加热温度可以为0~260 °C，优选为50~200 °C，尤 其优选为80~150 °C，时间优选为10~100000秒。
[0136] 当然，在步骤3)中，也可以采用其它方式替代对预固化膜的热处理，或者协同前述 加热方式对预固化膜进行处理，这些方式可以包括辐照（例如远红外、紫外、可见光、微波， 电子束中的任一种或几种），其中波长可为1CT 8~l〇3m，时间可以为10~100000秒。
[0137] 前述的第一基材可以是具有光洁平整表面的物体或其它具有设定二维、三维结构 的模具等，例如可以是镜面铝、也可以是晶圆，如蓝宝石晶圆，或晶圆级半导体器件等等。
[0138] 前述的第二基材即为待封装对象，其可以包括半导体器件，例如半导体光电器件， 例如光伏电池、半导体发光器件，例如LED(发光二极管）、LD(激光器)等等，特别是晶圆级半 导体器件，例如晶圆级LED器件。
[0139] 在一些实施方案中，本实用新型提供的一种封装方法或物品保护方法包括：
[0140] 1)将前述的任一种有机硅组合物或前述的任一种荧光封装组合物施加到第一基 材上形成膜，
[0141] 2)除去所述膜中的有机溶剂，形成可被从第一基材上完全揭起且表面无粘性的预 固化膜，
[0142] 3)将预固化膜覆盖至第一基材、第二基材中任一者的表面或者将预固化膜设置于 第一基材和第二基材之间，并向预固化膜施加压力，使预固化膜贴附在所述第一基材或第 二基材上或将第一基材与第二基材粘接，
[0143] 4)在辐射和/或加热条件下使预固化膜完全固化，实现对第一基材和/或第二基材 的封装或在第一基材和/或第二基材表面形成保护层。
[0144]在本实用新型中，所述的"封装"（packaging)应被理解为至少包含如下涵义，如， 通过所述有机娃组合物将两个以上物品粘接(adhesive )，或者，通过所述有机娃组合物在 物品表面的某些区域固化形成保护层(coating)，或者，将一个或多个物品的局部浸入由所 述有机娃组合物形成的固化物内，或者，将一个或多个物品整体包埋密封(encapsulation) 于由所述有机硅组合物形成的固化物内，当然，也可同时实现前述的粘结、涂覆、密封等功 能。
[0145] 例如，在一些实施方案中，可以将前述的任一种有机硅组合物或荧光封装组合物 通过丝网或钢网印刷工艺等方式涂敷到基材上，在加热和/或辐照下，除去其中的溶剂和/ 或预固化组合物，形成涂层，然后进行加热和/或辐照下固化，形成保护层或者达成与另一 物品的粘接。
[0146] 这些实施方案中包括二次固化过程，其中第一次固化从液体混合物转变为固体不 流动物(包括但不仅限于涂层、薄膜等）；第二次固化将组合物进一步交联从而和被粘接物 (们)能够彼此粘合。
[0147] 相应的，本实用新型的一实施方案之中还提供了一种装置，其包含由所述封装方 法形成的封装结构。
[0148] 进一步的，所述封装结构主要由所述的有机硅组合物或所述的荧光封装组合物的 固化物及被所述固化物封装的物品组成。
[0149] 其中，被封装的物品包括半导体器件，例如半导体光电器件，例如半导体发光器 件，例如LED，特别是晶圆级LED器件。
[0150] 以下结合若干更为具体的实施例及相应对比例对本实用新型的技术方案作更为 详细的解释说明。但仍需强调的是，这些实施例不应被视作对本实用新型的保护范围构成 任何限制。又及，除非另外指明，否则本实用新型说明书中的所有份数、百分数、比率等均按 重量计。
[0151] 在如下实施例中所涉及的有机硅组合物可以参考目前业界广泛应用的有机硅胶 混合物的组配方式配制，例如，其组分可以被分为组分A(主要包含含乙烯基官能团的硅氧 烷树脂、铂催化剂、添加剂等)和组分B((主要包含含乙烯基官能团的硅氧烷树脂、含Si-H官 能团的硅氧烷树脂、添加剂等），在使用时将两组分按一定比例混合，然后加入相应含量的 荧光粉或荧光粉组合。
[0152] 在如下实施例中所涉及的有机硅组合物混合和/或成膜流程如下：在所述有机硅 组合物中加入相应含量的荧光粉或荧光粉组合，将混合物倒置于平板或PET膜上，使用成膜 器(例如上海普申化工机械有限公司的单面制备器)制成一定厚度的膜，在加热平台通过第 一次固化取得不流动、可剥离的胶膜(free-standing)。
[0153] 该第一实施例所涉及的有机硅组合物包含数均分子量高于3 X 105g/mol的乙烯基 硅氧烷基橡胶（组分1，SG6 066，乙烯基二甲基硅烷基封端甲基乙烯基硅橡胶， vinyldimethylsilyl terminated Methyl Vinyl Silicone Gum,Power Chemicals Ltd, 数均分子量450,000-600，000g/mol，乙烯基含量约0.90-1.10wt % )、含乙烯基官能团的硅 氧烷树脂(组分2，A05-01 -A，弗洛里光电材料(苏州）有限公司）、含Si-Η官能团的硅氧烷树 月旨（组分3，Α05-01-Β，弗洛里光电材料（苏州）有限公司）、氢化硅烷化催化剂（组分4， SIP6832.2，Gelest)、溶剂等基础组分，并还可包含其它辅助组分，详见下表1。
[0154] 第一对照例该对照例所涉及的有机硅组合物的组成详见下表2。
[0155] 表征及测试:进一步的，本案实用新型人还采用业界习见的方式对第一实施例所 涉及的有机硅组合物及第一对照例所涉及的有机硅组合物在室温环境中的性能变化情况、 固化状况以及固化物性能，包括透光率、硬度等分别进行了考察，结果如下表3。
[0156] 以及，还对荧光粉于本实用新型第一实施例及第一对照例所涉及之组合物中（该 两种组合物均以10:1的质量比例混入市售黄色荧光粉SDY558-15(烟台希尔德新材料有限 公司），混合均匀后静置)的沉降速度进行了测试，结果详见下表4及图3。
[0157] 可以看到，本实用新型实施例组合物粘度不高，但具有一定触变性，因此可以保持 荧光粉不沉淀。
[0158] 再对第一实施例及第一对照例所涉及之有机硅组合物的封装性能进行测试。在一 实施例中，采用的测试工艺包括：
[0159]步骤1)制膜:采用制膜器(如1mm制膜器)或印刷方式，特别是丝网印刷方式将各有 机硅组合物涂覆到基板上成膜；
[0160 ] 步骤2)初步固化:100 °C (通风橱内的加热平台）20min;
[0161] 步骤3)贴膜:采用的粘接方式为单片贴膜，固化膜与基板(玻璃)粘接面积为25mm* 25mm，外加载荷为1.5kg，外加载荷时间为10s;
[0162] 步骤4)固化:180 °C (恒温鼓风烘箱)2h。
[0163] 步骤5)检测与切割，结果如下表5。
[0164] 第二实施例该实施例所涉及的有机硅组合物包含数均分子量高于3 X105g/mol的 乙烯基硅氧烷基橡胶（SG6066，乙烯基二甲基硅烷基封端甲基乙烯基硅橡胶， vinyldimethylsilyl terminated Methyl Vinyl Silicone Gum,Power Chemicals Ltd, 数均分子量约450,000-600，000g/mol，乙烯基含量约0.90-1. lOwt % )4g、含乙烯基官能团 的硅氧烷树脂(A05-01-A，弗洛里光电材料(苏州)有限公司）12.8g、乙烯基甲氧基硅氧烷均 聚物（Vinylmethoxysiloxane Homopolymer VMM-010，Gelest)0·35g、含Si-Η官能团的娃氧 烷树脂(A05-01 -B，弗洛里光电材料(苏州)有限公司）6.8g、氢化硅烷化催化剂(SIP6832.2， Gelest)20ppm、溶剂4-甲基-2戊酮20g，黄色荧光粉SDY558-15from烟台希尔德新材料有限 公司35.5g。将以上组分经双行星搅拌器混合均匀后得到一个荧光粉含量为60wt%的混合 物。
[0165] 第二对照例该对照例所涉及的有机硅组合物的组成:折光率约为1.53的LED有机 硅封装胶0E-6650组分A(D0W CORNING，主要包含含苯基和乙烯基官能团的硅氧烷树脂、铂 催化剂、添加剂等)5.0g和组分B((主要包含含苯基和乙烯基官能团的硅氧烷树脂、含苯基 和Si-H官能团的硅氧烷树脂、添加剂等)5.0g，黄色荧光粉SDY558-15(烟台希尔德新材料有 限公司）15.0g。将以上组分经双行星搅拌器混合均匀后得到一个荧光粉含量为60wt%的混 合物。
[0166] 第三对照例含乙烯基官能团的硅氧烷树脂(A05-01-A，弗洛里光电材料(苏州）有 限公司）5.0g、含Si-H官能团的硅氧烷树脂(A05-01-B，弗洛里光电材料(苏州）有限公司） 5.0g、氢化硅烷化催化剂(31?6832.2,66168〇10??111，黄色荧光粉30￥558-15(烟台希尔德新 材料有限公司）15.0g。将以上组分经双行星搅拌器混合均匀后得到一个荧光粉含量为 60wt%的混合物。
[0167] 表征及测试:进一步的，将第二实施例、第二对照例和第三对照例通过成膜器(约 400μπι间隙）在PET膜上制膜，表征及测试结果如下表6和表7。粘附力检测:将预固化的胶膜 裁剪成25mm*25mm尺寸，在清理后的玻璃上将胶膜贴合，贴合有胶膜的基板在加热平台约 110°C2min使玻璃基板与胶膜升温到110°C，将两片玻璃有胶膜部分两两十字贴合，将约 1.5kg重物压在玻璃十字样品上10秒，贴合后的样品转入180°C，2h再次固化，然后检测压缩 模式下的粘附力。
[0168] 第三实施例该实施例所涉及的有机硅组合物包含数均分子量高于3 X 105g/mol的 乙烯基硅氧烷基橡胶（SG6066，乙烯基二甲基硅烷基封端甲基乙烯基硅橡胶， vinyldimethylsilyl terminated Methyl Vinyl Silicone Gum，Power Chemicals Ltd, 数均分子量约450,000-600，000g/mol，乙烯基含量约0.90-1.10wt% )1.8g、含乙烯基官能 团的硅氧烷树脂(A05-01-A，弗洛里光电材料(苏州）有限公司）4.6g、乙烯基甲氧基硅氧烷 均聚物（Vinylmethoxysiloxane Homopolymer，VMM_010，Gelest)0·35g、含Si-Η官能团的娃 氧烷树脂（A05-01-B，弗洛里光电材料（苏州）有限公司）4.6g、氢化硅烷化催化剂 (SIP6832 · 2，Gelest) 10ppm、溶剂4-甲基-2戊酮9 ·0g，0 ·34g黄色荧光粉SDY558-15、20 · lg绿 色荧光粉SDG530H、1.2g红色荧光粉SSDR630Q-2(均购自烟台希尔德新材料有限公司）。将以 上组分经双行星搅拌器混合均匀后得到一个荧光粉含量为66.8wt %的混合物。
[0169] 第四实施例该实施例所涉及的有机硅组合物包含数均分子量高于3 X105g/mol的 甲基苯基乙烯基娃氧烷基橡胶(Methyl Phenyl Vinyl Silicone Rubber，弗洛里光电材料 (苏州）有限公司，数均分子量约500,000g/mol，苯基含量约30wt%，乙烯基含量约0.35_ 0.40wt%)3.7g、含苯基和乙烯基官能团的硅氧烷树脂(H20-01-A，弗洛里光电材料(苏州） 有限公司）7.7g、含苯基和Si-H官能团的硅氧烷树脂(H20-01-B，弗洛里光电材料(苏州)有 限公司）7.7g、氢化硅烷化催化剂（5吓6832.2,6 61^〇10??111、溶剂4-甲基-2戊酮1.28， 0.48g黄色荧光粉SDY558-15、14.3g绿色荧光粉SDG530H、0.86g红色荧光粉SSDR630Q-2(均 购自烟台希尔德新材料有限公司）。将以上组分经双行星搅拌器混合均匀后得到一个荧光 粉含量为44.9wt %的混合物。
[0170] 表征及测试:进一步的，将第三实施例通过成膜器(400μπι间隙）在PET膜上制膜，将 第四实施例通过成膜器(200μπι间隙)在PET膜上制膜。所得膜的厚度均匀性数据如下表8,裁 剪后的膜贴到标准的可点亮的2835支架上进行光电表征及测试，结果如下表9。而以该实施 例中有机硅组合物于封装LED以实现CSP LED封装时的成膜照片如图4所示。
[0171]需要说明的是，在本文中，术语"包括"、"包含"或者其任何其他变体意在涵盖非排 他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而 且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有 的要素。在没有更多限制的情况下，由语句"包括一个……"限定的要素，并不排除在包括所 述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0172]应当理解，上述实施例仅为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟 悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的 保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的 保护范围之内。
【主权项】
1. 荧光胶膜，用以封装半导体发光芯片，所述半导体发光芯片包括呈多边形的第一面 以及分别与该第一面的多个边连接的多个第二面，所述第二面与第一面之间形成有大于0 而小于180°C的夹角，其特征在于:所述荧光胶膜包括一多边形中央区域以及多个延展区 域，所述多个延展区域分别连接于所述中央区域的多个边，当所述荧光胶膜处于平展状态 时，所述多边形中央区域以及所述多个延展区域分布于同一平面上，且相邻延展区域之间 留有间隙，而当所述荧光胶膜被贴合于相应半导体发光芯片表面时，所述多边形中央区域 贴合于半导体发光芯片的第一面，而所述的多个延展区域分别贴合于所述半导体发光芯片 的多个第二面，且相邻延展区域的边缘部无缝接合。2. 根据权利要求1所述的荧光胶膜，其特征在于:所述中央区域为平行四边形。3. 根据权利要求2所述的荧光胶膜，其特征在于:所述中央区域为长方形、正方形或菱 形。4. 根据权利要求1所述的荧光胶膜，其特征在于：当所述荧光胶膜被贴合于所述半导体 发光芯片表面时，所述半导体发光芯片的出光面被所述荧光胶膜完全包覆。5. 根据权利要求1所述的荧光胶膜，其特征在于：当所述荧光胶膜处于平展状态时，相 邻延展区域之间形成有大于0而小于或等于90°的夹角。6. 根据权利要求5所述的荧光胶膜，其特征在于：当所述荧光胶膜处于平展状态时，相 邻延展区域之间形成有90°的夹角。7. 根据权利要求5所述的荧光胶膜，其特征在于：当所述荧光胶膜处于平展状态时，相 邻延展区域之间形成有大于0而小于90°的夹角。8. 根据权利要求1所述的荧光胶膜，其特征在于:所述半导体发光芯片为倒装LED芯片。9. 封装结构，其特征在于包括:半导体发光芯片，以及，如权利要求1-8中任一项所述的 荧光胶膜;所述荧光胶膜贴附于所述半导体发光芯片表面，并将所述半导体发光芯片的出 光面完全包覆。10. 封装结构，其特征在于包括:半导体发光芯片，以及，如权利要求1-8中任一项所述 的荧光胶膜;所述荧光胶膜贴附于所述半导体发光芯片表面，并将所述半导体发光芯片的 出光面完全包覆，而且所述封装结构的整体尺寸小于或等于所述半导体发光芯片尺寸的 1.2倍。11. 封装结构，其特征在于包括:半导体发光芯片，以及，如权利要求1-8中任一项所述 的荧光胶膜;所述荧光胶膜贴附于所述半导体发光芯片表面，并将所述半导体发光芯片的 出光面完全包覆，所述封装结构为矩形体，且具有五个出光面，同时所述封装结构的整体尺 寸小于或等于所述半导体发光芯片尺寸的1.2倍。
【文档编号】H01L33/56GK205723618SQ201620506158
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年5月30日
【发明人】张汝志, 吴章超
【申请人】弗洛里光电材料（苏州）有限公司