可扩展量子限制装置的制作方法

技术特征：

技术总结
一种量子限制装置及其制造方法。该装置(100)包括具有至少一个突起(12)的衬底(10)和布置在其上的二维材料层(14)。二维材料层(14)布置在衬底(10)和至少一个突起(12)上，至少一个突起(12)在二维材料层(14)中引起局部应变，以在局部应变的区域处形成量子点或量子线。

技术研发人员：梅特·阿塔奇;迪伦·卡拉;卡门·帕拉西奥斯·贝拉奎罗
受保护的技术使用者：剑桥企业有限公司
技术研发日：2017.07.18
技术公布日：2019.06.04