技术特征：
技术总结
本发明涉及去除氮化膜上玷污的方法，涉及半导体集成电路制造工艺，包括提供一硅片，硅片上包括氮化膜，所述氮化膜上包括玷污；进行氧气灰化工艺将所述氮化膜表面氧化形成氧化膜；以及进行标准清洗流程，由于标准清洗流程中的稀释氢氟酸溶液(DHF)对氧化膜的蚀速率很快能一并将氧化膜上的玷污洗掉，之后磷酸(HPO)将剩余的氮化膜清洗完成，以在不改变清洗液的情况下清洗掉氮化膜上的玷污，提高了芯片性能。
技术研发人员：刘厥扬
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2019.03.04
技术公布日：2019.07.09