技术总结
实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置包括：载台，具有多个销，用于保持半导体衬底，所述半导体衬底具有形成了蚀刻对象膜的第1面、及位于第1面相反侧的第2面；喷嘴，从载台的上方向半导体衬底的第1面喷出化学药品；以及光测量部，在化学药品的喷出过程中，从载台侧向半导体衬底的第2面照射光，并基于被第2面反射的光的受光状态来测量半导体衬底的移位量。射的光的受光状态来测量半导体衬底的移位量。射的光的受光状态来测量半导体衬底的移位量。
技术研发人员：饭森弘恭
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2020.02.14
技术公布日：2021/3/4