技术特征：1.一种互连结构，其特征在于，包含：
一基底；
导电材料的一层，位于该基底上；
一金属盖层，位于导电材料的该层上；
绝缘材料的一层，位于该金属盖层的顶面与侧面上；以及
沟槽导体的一层，形成于绝缘材料的该层与该金属盖层中。
技术总结本揭露描述互连结构及其形成方法。一种互连结构可包含基底；导电材料层，位于基底上；金属盖层，位于导电材料层上；绝缘材料层，位于金属盖层的顶面与侧面上以及沟槽导体层，形成于绝缘材料层与金属盖层中。
技术研发人员：黄蛟晟;鍾良佐;李承远
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.09.30
技术公布日：2021.06.18