本申请涉及半导体，尤其涉及一种晶圆厚度测量系统和晶圆厚度测量方法。
背景技术：
1、在目前的芯片、半导体制程过程中，对晶圆厚度的测量是必不可少的步骤，制造流程中会涉及到多道厚度测量制程，人工测量晶圆厚度不但耗费人力还容易造成芯片破片，且手动操作时容易产生量测误差；而采用机器测量晶圆厚度，目前的晶圆厚度测量系统一套系统只能测量一种规格尺寸的晶圆的厚度，且一次只能在晶圆上测量一个点的厚度，这导致晶圆后盾测量精度的下降，若想要提高晶圆厚度测量的精度进行多次测量会显著的降低晶圆厚度测量的效率。
2、因此，如何实现多尺寸的晶圆厚度测量，以及提高晶圆厚度测量的精度和效率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种晶圆厚度测量系统和晶圆厚度测量方法，旨在解决目前的晶圆厚度测量系统无法适配多种尺寸的晶圆进行厚度测量的问题。
2、一种晶圆厚度测量系统，包括晶圆厚度测量台；晶圆厚度测量台包括：
3、真空吸附台；以及
4、厚度测量装置；
5、其中，真空吸附台的顶面设置有至少两个真空吸附区，各真空吸附区共中心点，且各真空吸附区被配置为吸附对应尺寸的晶圆；厚度测量装置被配置为对真空吸附区中所吸附的晶圆进行厚度测量。
6、上述晶圆厚度测量系统包括晶圆厚度测量台，晶圆厚度测量台由真空吸附台和厚度测量装置组成，真空吸附台的顶面设置有至少两个真空吸附区，各真空吸附区被配置为吸附对应尺寸的晶圆，厚度测量装置被配置为对真空吸附区中所吸附的晶圆进行厚度测量，通过在真空吸附台的顶面设置至少两个真空吸附区，且各真空吸附区可吸附对应尺寸的晶圆，让真空吸附台可以吸附不同尺寸的晶圆，同时厚度测量装置可以根据晶圆的尺寸进行调整，以测量不同尺寸的晶圆的厚度，实现晶圆厚度测量系统适配多尺寸晶圆，对不同尺寸的晶圆进行厚度测量的目的。
7、可选地，厚度测量装置包括：
8、活动柱；
9、传感器载台；以及
10、至少两个距离传感器；
11、其中活动柱垂直于真空吸附台的顶面设置，其下端固定，上端被配置为支撑传感器载台；传感器载台与顶面平行且二者间隔设置；距离传感器与传感器载台活动连接，并位于传感器载台与真空吸附台之间；活动柱被配置为带动传感器载台在平行于顶面的方向与垂直于顶面的方向中的至少一个上移动。
12、上述晶圆厚度测量系统，其中厚度测量装置包括活动柱、传感器载台和至少两个距离传感器，设置了至少两个距离传感器，且距离传感器设置在传感器载台上，而传感器载台与活动柱固定连接，通过活动柱实现传感器载台和距离传感器的位置调整，同时由于距离传感器活动连接在传感器载台，使得距离传感器可以相对传感器载台进行移动，实现了厚度测量装置适配多种尺寸的晶圆并进行厚度测量的目的，同时设置多个距离传感器，一次可以测量多个测量点的晶圆厚度，提高了晶圆厚度测量的准确性和测量效率。
13、可选地，还包括：
14、中心对位系统；
15、晶圆储存装置；以及
16、被配置为储存至少两种尺寸的晶圆的晶圆储存装置；
17、其中，中心对位系统被配置为晶圆转移装置转移晶圆的过程中对不同尺寸的晶圆进行中心对位；晶圆转移装置被配置为在晶圆储存装置和中心对位系统之间转移晶圆，以及在中心对位系统和晶圆厚度测量台之间转移晶圆。
18、上述晶圆厚度测量系统，还包括晶圆储存装置、中心对位系统和晶圆转移装置，多种尺寸的晶圆被储存在晶圆储存装置中，晶圆的转移通过晶圆转移装置实现，在晶圆转移的过程中通过中心对位系统来对不同尺寸的晶圆进行中心对位。通过设置晶圆储存装置和晶圆转移装置，实现了不同尺寸的晶圆的储存和转移，同时通过设置中心对位系统，在转移晶圆的过程中，对不同尺寸的晶圆进行中心对位，提高了晶圆转移过程中的精度，避免损坏晶圆。
19、基于同样的发明构思，本申请还提供一种晶圆厚度测量方法，包括：
20、根据真空吸附台上的目标晶圆的目标晶圆尺寸确定目标真空吸附区，并启动目标真空区吸附区固定目标晶圆；
21、根据目标晶圆尺寸调整厚度测量装置到预设的目标测量点；
22、测量得到目标测量点处目标晶圆的目标晶圆厚度。
23、上述晶圆厚度测量方法，通过目标晶圆尺寸确定固定该目标晶圆多对应的目标真空吸附区，通过目标真空吸附区可以稳定的固定住目标晶圆，固定住目标晶圆以后调整厚度测量装置到预设的目标测量点，并测量得到目标测量点处目标晶圆的目标晶圆厚度，让不同尺寸的晶圆由对应的真空吸附区进行固定，同时根据不同尺寸的晶圆设置对应的预设测量点，实现不同尺寸的晶圆进行厚度测量的目的。
24、可选地，厚度测量装置包括传感器载台、至少两个距离传感器和活动柱，根据目标晶圆尺寸调整厚度测量装置到预设的目标测量点包括：
25、在平行于真空吸附台的顶面的方向控制活动柱让传感器载台移动到目标晶圆的上方；
26、根据目标晶圆尺寸调整各距离传感器移动到对应的预设测量点。
27、上述晶圆厚度测量方法，其中的厚度测量装置通过活动柱调整传感器载台和距离传感器的位置，同时由于距离传感器活动连接在传感器载台，使得距离传感器可以相对传感器载台进行移动，实现了厚度测量装置适配多种尺寸的晶圆并进行厚度测量的目的，同时设置多个距离传感器，一次可以测量多个预设测量点的晶圆厚度，提高了晶圆厚度测量的准确性和测量效率。
28、可选地，晶圆厚度测量系统还包括：晶圆储存装置、中心对位系统和晶圆转移装置；
29、根据真空吸附台上的目标晶圆的目标晶圆尺寸确定目标真空吸附区，之前还包括：
30、控制晶圆转移装置从晶圆储存装置中取出目标晶圆，并转移到中心对位系统中；
31、中心对位系统根据目标晶圆尺寸对目标晶圆进行中心对位；
32、控制晶圆转移装置从中心对位系统中取出目标晶圆，并转移到真空吸附台上。
33、上述晶圆厚度测量方法，通过晶圆储存装置和晶圆转移装置，实现了不同尺寸的晶圆的储存和转移，同时通过中心对位系统，在转移晶圆的过程中，对不同尺寸的晶圆进行中心对位，提高了晶圆转移过程中的精度，避免损坏晶圆。
1.一种晶圆厚度测量系统，其特征在于，包括晶圆厚度测量台；所述晶圆厚度测量台包括：
2.如权利要求1所述的晶圆厚度测量系统，其特征在于，所述真空吸附区为环形真空吸附区，各所述环形真空吸附区的半径根据晶圆的尺寸确定，各所述环形真空吸附区从所述中心点由小到大依次向外排布。
3.如权利要求1所述的晶圆厚度测量系统，其特征在于，所述厚度测量装置包括：
4.如权利要求3所述的晶圆厚度测量系统，其特征在于，所述传感器载台靠近所述真空吸附台的顶面的一侧的表面设有至少一条轨道，各所述距离传感器活动连接在所述轨道中，且可沿着所述轨道移动。
5.如权利要求4所述的晶圆厚度测量系统，其特征在于，所述轨道包括第一轨道和第二轨道，所述第一轨道与所述第二轨道垂直且相交；
6.如权利要求1-5任一项所述的晶圆厚度测量系统，其特征在于，还包括：
7.一种用于如权利要求1-6任一项所述的晶圆厚度测量系统的晶圆厚度测量方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的晶圆厚度测量方法，其特征在于，所述厚度测量装置包括传感器载台、至少两个距离传感器和活动柱，所述根据所述目标晶圆尺寸调整所述厚度测量装置到预设的目标测量点包括：
9.如权利要求7-8任一项所述的晶圆厚度测量方法，其特征在于，所述晶圆厚度测量系统还包括：晶圆储存装置、中心对位系统和晶圆转移装置；所述根据所述真空吸附台上的目标晶圆的目标晶圆尺寸确定目标真空吸附区，之前还包括：
10.如权利要求9所述的晶圆厚度测量方法，其特征在于，所述测量得到所述目标测量点处所述目标晶圆的目标晶圆厚度，之后还包括：