本技术属于高功率微波器件，具体地说涉及一种发射体轴线位置可调的二极管装置。
背景技术：
1、目前，在高功率微波器件中，一般采用爆炸发射阴极产生强流电子束。阴阳极之间的电压为兆伏量级，电流为几千安培至几十千安培之间。在线性束高功率微波器件中，当电子束轴线与器件轴线不重合时，进入高功率微波器件内的电子束与互作用区高频场作用时容易激励起非工作模式，或者电子束打到束波互作用区壁上而导致微波脉冲提前结束。因此，在线性束高功率微波器件调试过程中，需调整电子束轴线与器件轴线尽量重合。
2、在常规的线性束高功率微波器件调试中，主要通过控制器件的加工精度、在器件内安装靶片进行多次打靶，调试电子束轴线与器件轴线的位置。在打靶调试中，先在器件内安装靶片，然后抽真空、加高压和磁场，让发射体发射电子束打靶，然后停真空、拆开器件、取下靶片，观察靶片上电子束斑位置确定电子束轴线位置。若轴线偏离，调节发射体轴线位置或器件轴线位置，接着再装上新的靶片，并采用真空产生系统重新使器件处于真空工作状态下，重复进行打靶、拆开器件、取下靶片、观察电子束斑轴线位置等，直至电子束轴线与器件轴线几乎重合。整个调试过程需要反复拆装器件、反复抽真空，效率低下。
技术实现思路
1、针对现有技术的种种不足，为了解决上述问题，现提出一种发射体轴线位置可调的二极管装置，无需反复拆装器件以及抽真空，调试快捷。
2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
3、一种发射体轴线位置可调的二极管装置，包括阴极组件以及调节组件，所述阴极组件包括屏蔽碗阴极座、阴极支撑杆以及发射体，所述阴极支撑杆的一端与所述发射体连接，所述阴极支撑杆的另一端通过所述调节组件与所述屏蔽碗阴极座连接，所述调节组件可垂直于屏蔽碗阴极座的轴线移动。
4、本技术方案进一步设置为，所述调节组件包括压块、调节筒以及滑块，调节筒的端部与所述屏蔽碗阴极座连接，所述压块位于所述调节筒的内部，且压块与调节筒之间形成空腔，所述滑块的一端可滑动地设于所述空腔内，且所述滑块的另一端与所述阴极支撑杆连接。
5、本技术方案进一步设置为，所述压块与所述调节筒通过第一螺栓紧固，所述调节筒的外围设有端部与滑块的外表面相抵的第二螺栓。
6、本技术方案进一步设置为，还包括阳极筒，所述阴极组件以及所述调节组件均位于所述阳极筒的内部，所述阳极筒的筒壁上沿其径向设有接管。
7、本技术方案进一步设置为，所述接管设有若干个，其一接管连接用于抽真空的波纹管，其余接管用盲板封住，所述接管与所述第二螺栓对应设置。
8、本技术方案进一步设置为，所述滑块的截面为n边形，滑块的每条边分别与第二螺栓、接管相对应，其中，n为不小于3的正整数。
9、本技术方案进一步设置为，还包括绝缘子以及器件外筒，所述阳极筒的一端与所述绝缘子连接，所述阳极筒的另一端与所述器件外筒连接，所述屏蔽碗阴极座贯穿所述绝缘子，所述阴极支撑杆与所述发射体相连接的一端延伸至所述器件外筒的内部。
10、本技术方案进一步设置为，所述器件外筒的内部设有端部可与所述发射体接触的对中筒，且对中筒的内径大于发射体的外径。
11、本技术方案进一步设置为，所述对中筒的外围设有环形块，且环形块的外径小于器件外筒的内径。
12、本技术方案进一步设置为，所述器件外筒的外围设有磁体。
13、本实用新型的有益效果是：
14、1、利用调节组件调节发射体的中轴线，进而调节发射体发射的电子束轴线与器件外筒轴线的相对位置，适用于线性束高功率微波器件的实验调试。
15、2、不需反复拆装和反复抽真空，提高了调试效率。
16、3、通过对中筒的端部观察对中筒轴线和发射体轴线之间的相对位置。精确控制对中筒和发射体的中心在一条直线上。
1.一种发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，包括阴极组件以及调节组件，所述阴极组件包括屏蔽碗阴极座、阴极支撑杆以及发射体，所述阴极支撑杆的一端与所述发射体连接，所述阴极支撑杆的另一端通过所述调节组件与所述屏蔽碗阴极座连接，所述调节组件可垂直于屏蔽碗阴极座的轴线移动。
2.根据权利要求1所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，所述调节组件包括压块、调节筒以及滑块，调节筒的端部与所述屏蔽碗阴极座连接，所述压块位于所述调节筒的内部，且压块与调节筒之间形成空腔，所述滑块的一端可滑动地设于所述空腔内，且所述滑块的另一端与所述阴极支撑杆连接。
3.根据权利要求2所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，所述压块与所述调节筒通过第一螺栓紧固，所述调节筒的外围设有端部与滑块的外表面相抵的第二螺栓。
4.根据权利要求3所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，还包括阳极筒，所述阴极组件以及所述调节组件均位于所述阳极筒的内部，所述阳极筒的筒壁上沿其径向设有接管。
5.根据权利要求4所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，所述接管设有若干个，其一接管连接用于抽真空的波纹管，其余接管用盲板封住，所述接管与所述第二螺栓对应设置。
6.根据权利要求4或5所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，还包括绝缘子以及器件外筒，所述阳极筒的一端与所述绝缘子连接，所述阳极筒的另一端与所述器件外筒连接，所述屏蔽碗阴极座贯穿所述绝缘子，所述阴极支撑杆与所述发射体相连接的一端延伸至所述器件外筒的内部。
7.根据权利要求6所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，所述器件外筒的内部设有端部可与所述发射体接触的对中筒，且对中筒的内径大于发射体的外径。
8.根据权利要求7所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，所述对中筒的外围设有环形块，且环形块的外径小于器件外筒的内径。
9.根据权利要求6所述的发射体轴线位置可调的二极管装置，其特征在于，所述器件外筒的外围设有磁体。