本技术涉及晶圆去胶，具体的是一种晶圆去胶浸泡装置。
背景技术：
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。
2、经过光刻及金属离子蒸发后的晶圆，为了将晶圆上已经镀上的胶去除，需要通过药液进行浸泡除胶。
3、但是现有技术中，对晶圆的浸泡除胶，通常仅仅将晶圆置入浸泡仓中浸泡使得胶和晶圆表面分离，但是用于去胶的药液缺少流动性，使得经过浸泡后的晶圆从药液中取出后，部分的胶从晶圆表面分离后依然保留在晶圆表面，导致晶圆表面出现残留胶。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种晶圆去胶浸泡装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：
3、一种晶圆去胶浸泡装置，包括无尘仓，所述无尘仓的内部固定安装有浸泡仓，浸泡仓内带有用于去胶的药液，浸泡仓内设置有可上下活动的晶圆载盘。
4、所述无尘仓内壁的顶部固定连接有电机支架，电机支架上安装有伺服电机，伺服电机的底部通过连杆固定连接有调节喷管，调节喷管的一端且位于晶圆载盘的上方固定连接有冲洗喷头，调节喷管上固定连接有输入软管，输入软管的一端贯穿无尘仓且延伸至无尘仓的外部。
5、优选的，所述浸泡仓内固定连接有第一防水伸缩杆，第一防水伸缩杆的顶部固定连接有支撑台，晶圆载盘设置于支撑台的顶部，并随着支撑台上下活动。
6、优选的，所述支撑台的底部固定连接有呈环形阵列的横向限位板，横向限位板上滑动连接有限位滑块，限位滑块的顶部固定连接有活动连杆，活动连杆的一端固定连接有活动凹块。
7、优选的，所述晶圆载盘的外表面固定连接有固定外圈，固定外圈的外表面设置有水平切口，固定外圈的水平切口和活动凹块相适配。
8、优选的，所述浸泡仓内固定连接有第二防水伸缩杆，第二防水伸缩杆的顶部固定连接有水平连板，水平连板上固定连接有升降圈，升降圈的外表面转动连接有呈环形阵列的驱动连板，驱动连板远离升降圈的一端和限位滑块的底部转动连接，用于驱动限位滑块在横向限位板上滑动。
9、优选的，所述浸泡仓上固定连接有进液管和出液管，进液管和出液管上均设置有电磁阀。
10、本实用新型的有益效果：
11、本实用新型通过在晶圆完成浸泡后，可以通过冲洗喷头将药液喷到晶圆表面，使得对晶圆的去胶更加充分彻底，避免仅仅通过浸泡的方式进行去胶，部分的胶从晶圆表面分离后依然保留在晶圆表面，导致晶圆表面有残留胶，完成冲洗后，可以将调节喷管和冲洗喷头旋转到远离晶圆载盘上方的位置，便于晶圆和晶圆载盘的放置和取出。
1.一种晶圆去胶浸泡装置，包括无尘仓(1)，所述无尘仓(1)的内部固定安装有浸泡仓(2)，浸泡仓(2)内带有用于去胶的药液，其特征在于，浸泡仓(2)内设置有可上下活动的晶圆载盘(3)；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆去胶浸泡装置，其特征在于，所述浸泡仓(2)内固定连接有第一防水伸缩杆(9)，第一防水伸缩杆(9)的顶部固定连接有支撑台(10)，晶圆载盘(3)设置于支撑台(10)的顶部，并随着支撑台(10)上下活动。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆去胶浸泡装置，其特征在于，所述支撑台(10)的底部固定连接有呈环形阵列的横向限位板(11)，横向限位板(11)上滑动连接有限位滑块(12)，限位滑块(12)的顶部固定连接有活动连杆(13)，活动连杆(13)的一端固定连接有活动凹块(14)。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆去胶浸泡装置，其特征在于，所述晶圆载盘(3)的外表面固定连接有固定外圈(15)，固定外圈(15)的外表面设置有水平切口，固定外圈(15)的水平切口和活动凹块(14)相适配。
5.根据权利要求3所述的一种晶圆去胶浸泡装置，其特征在于，所述浸泡仓(2)内固定连接有第二防水伸缩杆(16)，第二防水伸缩杆(16)的顶部固定连接有水平连板(17)，水平连板(17)上固定连接有升降圈(18)，升降圈(18)的外表面转动连接有呈环形阵列的驱动连板(19)，驱动连板(19)远离升降圈(18)的一端和限位滑块(12)的底部转动连接，用于驱动限位滑块(12)在横向限位板(11)上滑动。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆去胶浸泡装置，其特征在于，所述浸泡仓(2)上固定连接有进液管(20)和出液管(21)，进液管(20)和出液管(21)上均设置有电磁阀。