专利名称：一种硅的光传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种适用于测量与控制技术的集成硅光电池的光传感器。
现有集成硅光电池的光传感器，其芯片均为平面结构。图1以P型硅作衬底(1)为例示意它的结构，其中每一单元P－n结光电池均设置在一个抗表面反型的P＋阻挡环(2)内。对于n型硅衬底的芯片，P－n结设在n＋阻挡环内。这样的芯片结构对于材料和器件工艺的要求较高，较难获得高合格率的高质产品。
为了克服上述技术缺陷，本实用新型采用沟槽隔离结构，芯片中的每一单元P－n结硅光电池均设置在由无绝缘层复盖的沟槽所包围的一个网格之中。
图2为本实用新型一项实施例的结构示意图，其中隔离网格(12)的沟槽深度超过硅光电池的P－n结深度，硅光电池的P－n结周边(17)裸露在沟槽壁上，每个硅光电池表面有一环状金属上电极(14)，并在金属上电极以外的表面复盖有抗反射的透明膜(15)，芯片底部为各个硅光电池的共用下电极(16)。
采用本实用新型集成硅光电池的光传感器芯片结构，能够显著提高产品的性能与合格率。
图1为现有集成硅光电池的光传感器芯片结构示意图(以P型硅作衬底为例)。图1(a)为俯视图，图1(b)为剖面图，其中1为P型硅衬底，2为P＋阻挡环，3为P－n结表面，4为环状金属上电极，5为抗反射透明膜，6为下电极。
图2为本实用新型集成硅光电池的光传感器一项实施例的芯片结构示意图。图2(a)为俯视图，图2(b)为剖面图，其中11为硅衬底，12为沟槽网格，13为P－n结表面，14为环状金属上电极，15为抗反射透明膜，16为下电极，17为P－n结周边。
权利要求1.一种集成硅光电池的光传感器，其特征在于，芯片中的每一单元P-n结硅光电池均设置在由无绝缘层复盖的沟槽所包围的一个网格中。
2.按照权利要求1所述光传感器的特征为，所述沟槽的深度超过所述单元硅光电池的P－n结深度。
3.按照权利要求1与2所述光传感器的特征为，所述单元硅光电池的P－n结周边裸露在沟槽壁上。
专利摘要本实用新型公开了一种集成硅光电池的光传感器芯片结构，它的每一单元P-n结硅光电池均设置在一个无绝缘层复盖的沟槽网格内。采用这样的结构能够显著提高产品的性能与合格率。
文档编号H01L31/06GK2044764SQ8920256
公开日1989年9月20日 申请日期1989年3月13日 优先权日1989年3月13日
发明者李远境, 赵雅珠 申请人:中国科学院半导体研究所