专利名称：改良结构的高密度扩充槽的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种线路连接器，尤其涉及一种改良结构的高密度扩充槽。
现今电脑主机板所用的存储器模组是以SIMM、DIMM、RIMM模组为主流，其中以RIMM存储器模组更是未来发展的趋势，其主要原因是近几年来，个人电脑的发展速度惊人，现阶段的主流已经发展到以133MHZ为工作频率的阶段了，相对在系统中的主存储体部分必须也是非常快的存储体，以适合于133MHZ的工作频率。
但是，一旦CPU的工作速度变快了，储存体模组会因工作速度高而产生杂音等干扰，因此对于CPU信号传输的干扰必须相当的注意；再者，现在的扩充槽为适应电脑内部空间设计要求越来越细的潮流，因此必须不断提高端子的密度，及缩小扩充槽本体及端子的设计尺寸，所以，每一支端子彼此间的干扰(交吵)情形会变得更加严重，因此造成了设计上必须克服的主要问题。
一般产生交吵干扰的主要原因，是因为根据物理学弗来明右手定律，当电流直线流动时，会产生一个以该电流流动方向为中心的环型磁场，因此一个端子在传送信号时，也会产生一个以该端子的直线方向为中心的环型磁场，所以，如果端子排列距离过于接近，或者交错在一起，或者电流流动方向为同方向，则每一支端子的磁场就会过于接近而相互干扰。因此产生了严重的交吵现象。如果要避免交吵的现象，就必须避免端子彼此相互交错在一起，并应该使端子彼此之间的距离尽量加大，及使内、外接触端子的接收电流为相反的流动方向，然而习用的扩充槽结构无法达到上述的要求。
本创作人有鉴于此，积多年从事相关产品制造销售的经验，并经不断试验改良，终于研制成功本实用新型。
本实用新型的主要目的在于，提供一种改良结构的高密度扩充槽，其可有效降低端子交吵干扰，以提升信号传输的稳定性。
为了进一步了解本实用新型的特征及技术内容，兹举一实施例并结合附图详细说明如下本实用新型的目的是由以下技术方案实现的。
一种改良结构的高密度扩充槽，其包括有由不导电材料制成的一本体，其中央沿纵轴方向设置有一个插槽，以供一存储器模组插置于其中，该插槽是由二个相对的侧壁所构成，该二侧壁设置有多个相对的容置槽，其特征在于，该容置槽由多个开放式容置槽及封闭式容置槽所构成，并以间隔方式相互配置，该开放式容置槽的内侧设有一开口，位于开口后端开设有一容置空间，容置空间的后端设有一顶持空间；设置于多个开放式容置槽中的外接触端子；设置于多个封闭式容置槽中的内接触端子。
本实用新型的目的还可以通过以下技术措施来进一步实现。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该外接触端子设有一隆起部，该隆起部伸出于开口外，该隆起部的尾端向上延伸有一顶部，于顶部向外延伸有翼部，该翼部可钩住于容置空间的壁面上，该顶部的尾端向下延伸有一中间部，该中间部从容置空间弯向顶持空间，于中间部的尾端向下延伸有一基部，该基部向下延伸有一外接脚。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该内接触端子设有一顶部，该顶部的尾端设有向内弯曲的隆起部，而该隆起部形成一大弯度进入插槽，该隆起部的尾端向下延伸有一基部，该基部向下延伸有一内接脚。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该封闭式容置槽的内侧设有一支撑板，于支撑板的下方设有一槽口。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该封闭式容置槽的内侧下方设有适当长度的夹持槽。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该开放式容置槽的容置空间的宽度较开口宽。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该开放式容置槽的顶持空间的宽度较容置空间小。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该顶持空间的壁面下方设有适当长度的夹持槽。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该外接触端子的基部两侧设有数个突刺。
前述的改良结构的高密度扩充槽，该内接触端子的基部两侧设有数个突刺。
本实用新型的具体结构由以下实施例及其附图详细给出。
图1是本实用新型的组合立体示意图。
图2是本实用新型的分解立体示意图。
图3是本实用新型本体的立体示意图。
图4是图1中沿4-4方向所作的剖面图。
图5是图1中沿5-5方向所作的剖面图。
图6是本实用新型的俯视图。
图7是本实用新型的仰视图。
请参阅图1至图7所示，本实用新型包括；一本体10，是利用不导电材料制成，其中央沿纵轴方向设置有一个插槽11，以供一存储器模组插置于其中，该插槽11由二个相对的侧壁12所构成，该二侧壁12设置有多个相对的封闭式容置槽13及开放式容置槽14，并以间隔方式相互配置，该封闭式容置槽13及开放式容置槽14从底部贯穿至顶端。
该封闭式容置槽13可供内接触端子20容纳于其中，其内侧设有一支撑板111、于支撑板111的下方设有一槽口112，且于内侧壁下方设有适当长度的夹持槽19。
该内接触端子20设有一顶部21，该顶部21钩住支撑板111，其仅能安放在容置槽13中，而不能进入插槽11，该顶部21的尾端设有向内弯曲的隆起部22。而该隆起部22形成一大弯度进入插槽11，并形成一接触面以与储存器模组作机械性接触及电气性的接触。该隆起部22的尾端向下延伸有一基部23。该基部23的两侧设有数个突刺24，该突刺24贴于并嵌入于夹持槽19中，使其被完全定位；于基部23向下延伸有一内接脚25，该内接脚25可插置于母板的贯穿孔中。
该开放式容置槽14可供外接触端子30容纳于其中，其内侧设有一开口15，于开口15的后端开设有一容置空间16，且该容置空间16的宽度较开口15宽；在容置空间16的后端设有一顶持空间17，该顶持空间17的宽度较容置空间16小，从俯视观的该容置槽14为一
形状，该顶持空间17的壁面下方设有适当长度的夹持槽18。
该外接触端子30利用金属片冲制弯折而成，其设有一隆起部31，该隆起部31伸出于开口15外，并形成一接触面以与存储器模组作机械性接触及电气性的接触。该隆起部31的尾端向上延伸有一顶部32，于顶部32的两侧向外延伸有翼部33，该翼部33可钩住于容置空间16的壁面上，使其仅能安放在容置槽13中，而不能进入插槽11，该顶部32的尾端向下延伸有一中间部34，该中间部34是从容置空间16弯向顶持空间17。位于中间部34的尾端向下延伸有一基部35，该基部35的两侧设有数个突刺36，该突刺36贴于并嵌入于夹持槽18中，使其被完全定位。基部35向下延伸有一外接脚37，该外接脚37可插置于母板的贯穿孔中。
当内、外接触端子20、30放入本体10内时是无应力状态，该内接触端子20的顶部21则伸入容置槽14且钩住支撑板111。而该外接触端子30的翼部33则伸入容置槽13且钩住于容置空间16的壁面上，借以产生预施应力。当存储器模组插入插槽11时，其顶部21、32被挤压分别自容置槽壁面及支撑板处移开，此时，内、外接触端子20、30及铜轨产生变形而形成适当的应力。由于内、外接触端子20、30是采用间隔式配置于容纳槽13、14中，使其加大排列距离，及内、外接触端子20、30的接收电流为相反的流动方向(即内接触端子20是往下的接收电流、外接触端子为往上的接收电流)，这样，每一支端子的磁场就不会过于接近而相互干扰，因此就不会有交吵的现象发生，以提高信号传输的稳定性。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求1.一种改良结构的高密度扩充槽，其包括有由不导电材料制成的一本体，其中央沿纵轴方向设置有一个插槽，以供一存储器模组插置于其中，该插槽是由二个相对的侧壁所构成，该二侧壁设置有多个相对的容置槽，其特征在于，该容置槽由多个开放式容置槽及封闭式容置槽所构成，并以间隔方式相互配置，该开放式容置槽的内侧设有一开口，位于开口后端开设有一容置空间，容置空间的后端设有一顶持空间；设置于多个开放式容置槽中的外接触端子；设置于多个封闭式容置槽中的内接触端子。
2.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该外接触端子设有一隆起部，该隆起部伸出于开口外，该隆起部的尾端向上延伸有一顶部，于顶部向外延伸有翼部，该翼部可钩住于容置空间的壁面上，该顶部的尾端向下延伸有一中间部，该中间部从容置空间弯向顶持空间，于中间部的尾端向下延伸有一基部，该基部向下延伸有一外接脚。
3.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该内接触端子设有一顶部，该顶部的尾端设有向内弯曲的隆起部，而该隆起部形成一大弯度进入插槽，该隆起部的尾端向下延伸有一基部，该基部向下延伸有一内接脚。
4.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该封闭式容置槽的内侧设有一支撑板，于支撑板的下方设有一槽口。
5.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该封闭式容置槽的内侧下方设有适当长度的夹持槽。
6.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该开放式容置槽的容置空间的宽度较开口宽。
7.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该开放式容置槽的顶持空间的宽度较容置空间小。
8.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该顶持空间的壁面下方设有适当长度的夹持槽。
9.根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该外接触端子的基部两侧设有数个突刺。
10 、根据权利要求1所述的改良结构的高密度扩充槽，其特征在于，该内接触端子的基部两侧设有数个突刺。
专利摘要一种改良结构的高密度扩充槽,包括一本体,于二侧壁上设有多个相对的封闭式容置槽及开放式容置槽,其相互间隔配置,封闭式容置槽容纳内接触端子,开放式容置槽容纳外接触端子,封闭式容置槽设一支撑板及一槽口,开放式容置槽设有一开口、一容置空间及一顶持空间;因内、外接触端子是间隔配置于容纳槽中,以加大端子的排列距离,每一端子的磁场就不会过于接近而相互干扰,因此就不会有交吵的现象,以提升讯号传输的稳定性。
文档编号H01R13/10GK2378859SQ99207670
公开日2000年5月17日 申请日期1999年4月5日 优先权日1999年4月5日
发明者刘进卿 申请人:刘进卿