用作有机电子基体材料的p-掺杂剂的金属络合物的制作方法
【专利说明】用作有机电子基体材料的p-惨杂剂的金属络合物
[0001] 本发明设及双-或多核金属络合物作为有机电子基体材料的P-渗杂剂的的用途。
[0002] 在有机电子中，能够基本上确定技术的两个重要的商业领域。第一个技术领域设 及使光转化为电流的有机基体材料的用途，反之亦然，而另一个领域则关注于通过有机半 导体材料制造的电子元件。前一类的实例是，例如，光电探测器和有机太阳能电池（在图1 中W示意图的形式示出），其将光转换为电信号或电流，W及有机发光二极管（OLEDs)，其 可W通过有机电子材料产生光（参见图2)。第二个技术领域是，例如，有机场效应晶体管 (organic field-effect transistors)(在图3中W示意图的形式示出），其中通过渗杂减 小了电极与半导体材料，或双极晶体管之间的接触电阻。
[0003] 所有应用的一个共同因素是它们包括，具有取决于其组成的不同传导机制的电子 传输层，作为必要功能元件。通常，有机材料固有的p-传导（p-con化ctivity)(空穴传导） 和n-传导（电子传导）之间是有区别的。由于该些有机物质类的电特性对于元件的高效 利用来说通常是不够的，因而会将它们与能够改善层的电特性的其它化合物混合。该通常 通过渗杂金属或其它有机化合物来完成。实现传导性的显著改善的一种方法是金属络合物 的添加，特别是过渡金属络合物的添加。
[0004] 例如，W0 2005 086251描述了用于形成n-传导层的渗杂剂，其可W包含W下结 构：
[0005]
【主权项】
1. 具有基体的有机电子元件，其中所述基体具有作为P-掺杂剂的双-或多核的Vb/ VIb/VIIb族或第5-7族金属络合物，其包含至少一种结构如下的配体L :
其中R1和R2各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，其中R4选自包括烷基和芳基的组，并且 可键合至R3;以及 R3选自包括以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、齒代烷基、芳基、 亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、 炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基， 其中合适的基团中的一个或多个不相邻的〇1 2基团可独立地被-0-，-S-，-NH-，-NR° -，-Si R。R。° -，-CO-，-COO-，-OCO-，-OCO-O-，-SO2-，-S-CO-，-CO-S-，-CYI = CY2 或-C = C-所 取代，以这样的方式，氧和/或硫原子彼此没有直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选 含有1到30个碳原子的杂芳基所取代（从CH 2 - H的意义上来讲，末端的CH3基团被认为是 CH2基团）。
2. 如权利要求1所述的元件，其特征在于所述金属选自包括铬、钼、钨及其混合物的 组。
3. 如权利要求1或2所述的元件，其特征在于R3选自包括卤代烷基，卤代芳基，卤代烷 基芳基和卤代杂芳基的组。
4. 如权利要求1至3中任一项所述的元件，其特征在于R3选自包括以下的组：
其中Y1-Y5各自独立地选自包括C-F、C-CF 3、C-NO2、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组。
5. 如权利要求1至4中任一项所述的元件，其特征在于R 3选自包括以下的组：
其中Y1-Y7各自独立地选自包含C-F、C-CF 3、C-NO2、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组。
6. 如权利要求1至5中任一项所述的元件，其特征在于R3选自包括以下的组：
其中Y1-Y7各自独立地选自包括C-F、C-CF 3、C-NO2、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组。
7. 如权利要求1至6中任一项所述的元件，其特征在于所述金属络合物包含至少一种 配体L，其选自包括未被取代的、部分氟化的和全氟化的有机羧酸的组。
8. 如权利要求1至7中任一项所述的元件，其特征在于所述金属络合物包含至少一种 配体L，其选自包括未被取代的、部分氟化的和全氟化的乙酸的组。
9. 如权利要求1-8中任一项所述的元件，其特征在于所述金属络合物具有桨轮结构并 且可以包含铬或钼，其中R1和R 2由氧组成。
10. -种双-或多核的Vb/VIb/VIIb族或第5-7族金属络合物作为电子元件的基体材 料中的P-掺杂剂的用途，其包含至少一种如下结构的配体L :
其中R1和R2各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，其中R4选自包括烷基和芳基的组，并且 可键合至R3;以及 R3选自包括以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、齒代烷基、芳基、 亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、 炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基， 其中合适的基团中的一个或多个不相邻的〇1 2基团可独立地被-0-，-S-，-NH-，-NR° -，-Si R。R。° -，-CO-，-COO-，-OCO-，-OCO-O-，-SO2-，-S-CO-，-CO-S-，-CYI = CY2 或-C = C-所 取代，以这样的方式，氧和/或硫原子彼此没有直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选 含有1到30个碳原子的杂芳基所取代（从CH 2 - H的意义上来讲，末端的CH3基团被认为是 CH2基团）。
【专利摘要】本发明涉及一种用作电子元件基体材料的p型掺杂剂的双-或多核的Vb/VIb/VIIb族或第5-7族金属络合物，其包含至少一种如下式(a)的配体：其中R1和R2可各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，R4选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R3；以及R3选自包含以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，其中在合适的基中的一个或多个不相邻的CH2基团可独立地被-O-，-S-，-NH-，-NR°-，-SiR°R°°-，-CO-，-COO-，-OCO-，-OCO-O-，-SO2-，-S-CO-，-CO-S-，-CY1＝CY2或-C≡C-所取代，具体地，以这样一种方式氧和/或硫原子没有彼此直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选含有1到30个碳原子的杂芳基所取代。
【IPC分类】H01L51-42, H01L51-50, H01L51-00
【公开号】CN104541383
【申请号】CN201380037786
【发明人】A.马尔滕伯格, G.施密德, J.H.威姆肯, S.皮克奎尔
【申请人】西门子公司, 欧司朗Oled有限责任公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2013年5月14日
【公告号】DE102012209520A1, EP2845240A1, US20150162534, WO2013182383A1