去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于半导体制造领域，涉及硅片背金工艺，特别是一种去除硅片背金工艺 后粘结片表面粘结剂的清洗方法。
【背景技术】
[0002] 在传统的半导体硅片背金工艺实施前，需要将正面的电子线路进行有效保护，此 时选用带有粘结剂的粘结片可以完全满足工艺要求，但是在背金工艺之后，需要将粘结片 从硅片表面剥离，剥离后的粘结片表面会残留大量的粘结剂，为了降低生产费用，企业希望 通过清洗去除粘结片表面的粘结剂达到重复使用这些粘结片的目的。
[0003] 通用的做法是购买昂贵的自动清洗设备，将单片粘结片置于盛有有机溶剂的容器 内，使用超声波振荡来去除粘结剂，此类设备存在效率低，清洗不彻底，且维护费用高等问 题。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种有效去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗 方法。。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方 法，包括如下步骤：S1，使用有机溶剂对零件进行浸泡；S2,使用碱性溶液对零件进行浸泡； S3,使用酸性溶液对零件进行清洗；S4,使用清洗液对零件进行清洗；S5,对零件进行干燥。
[0006] 所述步骤S1中，有机溶剂浸泡为MSC-RV。
[0007] 浸泡的时间为1分钟?2分钟。
[0008] 所述步骤S2包括还一步骤S2. 1，所述步骤S2. 1为用氨水/双氧水混合溶液对零 件进行清洗。
[0009] 所述氨水/双氧水混合溶液的配比为体积比NH40H:H202:H20 = 1:3:4。
[0010] 用所述氨水/双氧水混合溶液对零件进行清洗的2小时?4小时。
[0011]NH40H可由K0H或者NaOH代替。
[0012] 所述步骤S2进一步包括一步骤S2. 2,所述步骤S2. 2为对零件使用超纯水进行溢 流清洗。
[0013]所述步骤S3包括还一步骤S3. 1，所述步骤S3. 1为用硝酸/氢氟酸混合溶液对零 件进行清洗。
[0014] 所述硝酸/氢氟酸混合溶液的配比为体积比HN03:HF:H20 = 1:1:2。
[0015] 用所述硝酸/氢氟酸混合溶液对零件进行清洗的5秒?10秒。
[0016] 所述步骤S3进一步包括一步骤S3. 2,所述步骤S3. 2为对零件使用超纯水进行溢 流清洗。
[0017] 所述步骤S4包括S4. 1和S4. 2,所述S4. 1为粗洗，所述S4. 2为精洗。
[0018] 所述步骤S4. 1中，粗洗清洗液为超纯水，超声能量密度为25瓦/加仑?35瓦/ 加仑。
[0019] 所述步骤S4. 1中，粗洗的时间为30分钟?60分钟。
[0020] 所述步骤S4. 2中，精洗清洗液为去离子水，超声能量密度为25瓦/加仑?35瓦 /加仑。
[0021] 所述步骤S4. 2中，粗洗的时间为30分钟?60分钟。
[0022] 所述步骤S5中，是将零件置于无尘干燥箱中，在120°C的环境下烘烤1小时，然后 降到40°C?50°C，取出零件。
[0023] 本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法搡作简单，耗时少，能 耗低、可以保证完成去除粘结剂、清洗效果理想，对粘结片无损伤。
【附图说明】
[0024] 图1为本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法流程图。
【具体实施方式】
[0025] 下面结合附图对本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法作进 一步详细说明。
[0026] 如图1所示，本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，首先使 用MSC-RV(十二碳烯）将部品表面的有机物表层软化，通过双氧水的氧化作用将软化后的 有机物表面氧化，然后通过氨水的络合作用将氧化物去除，使用酸液将部品表面残留的碱 中和掉，然后再用纯水将酸液冲洗干净，因为酸比碱在水中的溶解度要大，最后通过超声波 振荡将部品表面沾污的颗粒物去除掉，同时纯水浸泡可以进一步确保部品表面没有酸液残 留。
[0027] 步骤一、将粘结片从硅片上剥离下来冷却后，放入专用周转盒内。接着，把粘结片 从专用运输盒中取出转移至清洗盒中，把清洗盒连带粘结片一同放入MSC-RV(十二碳烯） 有机溶剂浸泡槽内，此时有机溶剂需要将粘结片顶端浸没。这种有机溶剂浸泡的目的是为 了软化粘结剂，而不是将粘结剂完全溶解，所以必须控制浸泡时间，浸泡的时1分钟?2分 钟，目的是软化部品表面有机物，但不使有机物溶解太多。效果如表1所示：
【主权项】
1. 去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，使用有机溶剂对零件进行浸泡； 52, 使用碱性溶液对零件进行浸泡； 53, 使用酸性溶液对零件进行清洗； 54, 使用清洗液对零件进行清洗； 55, 对零件进行干燥。
2. 根据权利要求1所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，所述步骤S1中，有机溶剂浸泡为MSC-RV。
3. 根据权利要求2所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，浸泡的时间为1分钟?2分钟。
4. 根据权利要求1所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，所述步骤S2包括还一步骤S2. 1，所述步骤S2. 1为用氨水/双氧水混合溶液对零件进 行清洗。
5. 根据权利要求4所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，所述氨水/双氧水混合溶液的配比为体积比N&OH:^化:&0= 1:3:4。
6. 根据权利要求5所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，用所述氨水/双氧水混合溶液对零件进行清洗的2小时?4小时。
7. 根据权利要求5所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，N&OH可由K0H或者化0H代替。
8. 根据权利要求4所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，所述步骤S2进一步包括一步骤S2. 2,所述步骤S2. 2为对零件使用超纯水进行溢流清 洗。
9. 根据权利要求1所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特征 在于，所述步骤S3包括还一步骤S3. 1，所述步骤S3. 1为用硝酸/氨氣酸混合溶液对零件进 行清洗。
10. 根据权利要求9所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述硝酸/氨氣酸混合溶液的配比为体积比HN03:HF:H20 = 1:1:2。
11. 根据权利要求10所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，用所述硝酸/氨氣酸混合溶液对零件进行清洗的5砂?10砂。
12. 根据权利要求9所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述步骤S3进一步包括一步骤S3. 2,所述步骤S3. 2为对零件使用超纯水进行溢流 清洗。
13. 根据权利要求1所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述步骤S4包括S4. 1和S4. 2,所述S4. 1为粗洗，所述S4. 2为精洗。
14. 根据权利要求13所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述步骤S4. 1中，粗洗清洗液为超纯水，超声能量密度为25瓦/加仑?35瓦/加 仑。
15. 根据权利要求14所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述步骤S4. 1中，粗洗的时间为30分钟?60分钟。
16. 根据权利要求13所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述步骤S4. 2中，精洗清洗液为去离子水，超声能量密度为25瓦/加仑?35瓦/ 加仑。
17. 根据权利要求16所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述步骤S4. 2中，粗洗的时间为30分钟?60分钟。
18. 根据权利要求1所述的去除娃片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，其特 征在于，所述步骤S5中，是将零件置于无尘干燥箱中，在12CTC的环境下烘烤1小时，然后降 到40°C?50°C，取出零件。
【专利摘要】本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法，包括如下步骤：S1，使用有机溶剂对零件进行浸泡；S2，使用碱性溶液对零件进行浸泡；S3，使用酸性溶液对零件进行清洗；S4，使用清洗液对零件进行清洗；S5，对零件进行干燥。本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法搡作简单，耗时少，能耗低、可以保证完成去除粘结剂、清洗效果理想，对粘结片无损伤。
【IPC分类】H01L21-02
【公开号】CN104576319
【申请号】CN201510003284
【发明人】刘贤, 贺贤汉
【申请人】上海申和热磁电子有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月4日