空穴传输层1202、空穴侧发光层1203，靠近阴极13 —侧依次设置的电子注入层1204、电子传输层1205、电子侧发光层1206，以及位于所述空穴侧发光层1203和所述电子侧发光层1206之间的至少一组电荷产生层al207和电荷产生层bl208 ；
[0040]所述功能层12中的所有膜层均为同质结结构。
[0041]由上述可知，在该有机发光二极管中，除了阳极11和阴极13外，其他膜层均采用同质结结构，其中，同质结结构为相邻膜层包含同一种材料，从而，在一定程度上消减了载流子的注入势皇，提高了载流子的注入效率；而且，本发明的串联结构不同于现有技术中直接将多个OLED串联在一起，而是仅保留靠近阳极的有机发光二极管的空穴注入层、空穴传输层、空穴侧发光层以及靠近阴极的有机发光二极管的电子注入层、电子传输层、电子侧发光层，中间通过至少一组电荷产生层a和电荷产生层b相连，省去了靠近阳极的有机发光二极管的电子注入层、电子传输层、电子侧发光层，以及靠近阴极的有机发光二极管的空穴注入层、空穴传输层、空穴侧发光层，以及位于串联OLED器件的中间位置的各个有机发光二极管的功能层。从而，通过多组电荷产生层a和电荷产生层b将多个OLED连接在一起，在保证OLED器件的电流效率、亮度、寿命的同时，还可以通过减少串联OLED器件的膜层厚度的方式降低器件的驱动电压，提升了串联式OLED器件的效率。
[0042]优选地，如图2所示，为本发明实施例提供的包括两个发光单元的OLED器件，该器件包括:
[0043]阳极21，功能层22，阴极23，其中，所述功能层22沿阳极21 —侧至阴极23 —侧依次具体包括:
[0044]空穴注入层2201，空穴传输层2202，空穴侧发光层2203，电荷产生层a2204，电荷产生层b2205，电子侧发光层2206，电子传输层2207，电子注入层2208。
[0045]在该图2所示的串联式OLED器件中，一方面，由于该器件的所有膜层均采用同质结结构，即所有膜层的主体材料均为同一种材料，通过掺杂不同的材料实现空穴的迀移和电子的迀移，从而，在一定程度上降低了各个膜层之间的载流子的注入势皇，提高了载流子的注入效率?’另一方面，两个串联在一起的OLED并不是完整的结构，靠近阳极的一侧OLED去掉了电子侧的功能层，靠近阴极的一侧OLED去掉了空穴侧的功能层，并且通过至少一组电荷产生层a和电荷产生层b相连，直接减少了串联式OLED器件的膜层厚度，这也在一定程度上削减了载流子的注入势皇，从而降低了串联式OLED器件的驱动电压。
[0046]优选地，如图3所示，为本发明实施例提供的包括三个发光单元的OLED器件，该图3仅为示例，本发明所涉及的方案中，并不限于包括三个发光单元的OLED器件，还可以包括三个以上的多个发光单元的OLED器件。
[0047]该器件包括:
[0048]阳极31，功能层32，阴极33，所述功能层32沿阳极31 —侧至阴极33 —侧依次具体包括:
[0049]空穴注入层3201，空穴传输层3202，空穴侧发光层3203，第一电荷产生层a3204，第一电荷产生层b3205，连接侧发光层3206，第二电荷产生层a3207，第二电荷产生层b3208，电子侧发光层3209，电子传输层3210，电子注入层3211。
[0050]在该图3所示的串联式OLED器件中，不同于上述两个OLED发光单元串联在一起，而是三个OLED发光单元串联在一起。为了能够满足本发明的减小膜层厚度的目的，以及三个OLED发光单元能够很好的串联起来并能够实现载流子的迀移，特将位于中间的OLED发光单元的所有膜层都去掉，仅保留该OLED发光单元的发光层，即图3所示的连接侧发光层3206，该连接侧发光层3206通过左侧的第一电荷产生层a3204和第一电荷产生层b3205这一组电荷产生层与靠近阳极一侧的第一 OLED发光单元相连，同时，通过右侧的第二电荷产生层a3207和第二电荷产生层b3208这一组电荷产生层与靠近阴极一侧的第二 OLED发光单元相连。这种连接结构，实现了多个OLED发光单元的有效串联，同时，减少了串联式OLED器件的膜层厚度，在一定程度上削弱了载流子的注入势皇，进而，降低了串联式OLED器件的驱动电压，提高了串联式OLED器件的效率。
[0051]优选地，在上述所涉及的串联式OLED器件结构中，所述功能层中除空穴传输层和电子传输层之外的膜层外，其他必须为掺杂型膜层结构，空穴传输层和电子传输层可掺杂、可不掺杂。而且，每一膜层的主体材料均相同，掺杂客体材料、掺杂浓度根据膜层的功能进行选取，详细的掺杂方式在下面的内容中介绍。
[0052]优选地，所述功能层中电荷产生层a和电荷产生层b均为单一物质梯度掺杂型膜层结构，其中，任一电荷产生层a或电荷产生层b的掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次降低。
[0053]优选地，所述功能层中电荷产生层a和电荷产生层b的主体材料为同一种有机材料，同组间的电荷产生层a和电荷产生层b的掺杂客体材料不相同，所述掺杂客体材料为金属材料或金属化合物材料或有机材料。
[0054]考虑到本发明实施例所涉及的串联式OLED器件为同质结结构，则该串联式OLED器件的每个膜层的主体材料相同，且为了能够满足尽量低的载流子注入势皇，需要考虑空穴迀移率和电子迀移率接近的材料，例如:CBP(4，4’ -bis (9-carbazolyl)-biphenyl)，中文名为4，4’-双(9H-咔唑-9-基)联苯，其在0.5MV/cm的电场作用下，空穴迀移率和电子迀移率分别为2*l(T3cm2/V*s和3*l(T4cm2/V*s，因此，CBP既可以作为空穴传输层材料使用，又可以作为电子传输层使用；此外，46DCzPPm(4, 6-bis [3- (carbazol-9-yl) phenyl]pyrimidine)，中文名为4，6-二 [3-(咔唑-9-基)苯基]啼啶，其在0.5MV/cm的电场作用下，空穴迀移率和电子迀移率分别为1.3*l(T5cm2/V*s和4.2*l(T4cm2/V*s。
[0055]下面以46DCzPPm为本发明所涉及的串联式OLED器件的主体材料，任一电荷产生层a和电荷产生层b的掺杂客体材料不同为例进行说明。
[0056](一)、同质结结构的电荷产生层掺杂客体材料包含金属
[0057]优选地，在该串联式OLED器件中，所述功能层中的任一电荷产生层a掺杂有金属，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为5% -0%，其中，所述金属至少包括以下之一或组合:锂L1、钾K、铷Rb、铯Cs、镁Mg、钙Ca、钠Na ；
[0058]任一电荷产生层b掺杂有第一金属化合物，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为30% -0%，其中，所述第一金属化合物至少包括以下之一或组合:三氧化钼MoO3、五氧化二银v205、三氧化鹤WO3、氯化铁FeCl3、四氧化三铁Fe304。
[0059]在本发明实施例中，所涉及的阳极为IT0/Ag/IT0的玻璃基底，该膜层中的Ag起到了反射作用，以将从发光层发射而来的光从顶部反射出去。所涉及的阴极为单一金属或金属混合物。
[0060]一种优选地实施例，在本发明所涉及的串联式OLED器件中，如图4 (a)所示的包含两个发光单元的串联式OLED器件的结构示意图，该串联式OLED器件由阳极至阴极依次包括:
[0061]阳极41，该阳极41为IT0/Ag/IT0的玻璃基底。
[0062]功能层42，具体包括:空穴注入层4201、空穴传输层4202、空穴侧发光层4203、电荷产生层a4204、电荷产生层b4205、电子侧发光层4206、电子传输层4207、电子注入层4208。其中，空穴注入层4201的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为三氧化钼MoO3;空穴传输层4202的主体材料为46DCzPPm，可以不存在掺杂客体材料，也可以进行掺杂；空穴侧发光层4203的主体材料为46DCzPPm，该结构膜层可掺杂客体材料，也可以不掺杂，掺杂客体材料根据发光颜色的需求进行选择，可以选择的颜色类型包括:红色、绿色、蓝色、白色、或者两种色调的组合或三种色调的组合，例如:假设希望当前空穴侧发光层4203发蓝光，则选择惨杂客体材料为:FIrpic (iridium bis (4, 6-d1-f luorophenyI) -pyridinato-N,