一种功率可控激光模组的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种激光模组，具体涉及一种功率可控激光模组。
【背景技术】
[0002]目前功率可控激光模组结构复杂，工艺繁琐，体积太大，难以实现大规模生产。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种功率可控激光模组，结构简单紧凑，体积很小，生产工艺简单，有效提高批量生产效率。
[0004]本发明的技术方案如下:
[0005]一种功率可控激光模组，包括LD、LD驱动板、传感器、承载座、激光晶体、半透半反玻璃片和支架，所述承载座底面设置透光孔，所述LD安装在所述承载座内；所述传感器焊接在所述LD驱动板上，所述LD驱动板安装在所述承载座下面，所述传感器与所述透光孔相对应；所述激光晶体安装在所述LD上，所述激光晶体上设置缺口，所述缺口与所述透光孔相对应；所述支架安装在所述激光晶体上，所述半透半反玻璃片安装在所述支架上，所述半透半反玻璃片与所述LD发出激光束形成一定角度以使所述半透半反玻璃片反射的激光束经由所述缺口和所述透光孔射到所述传感器上。
[0006]所述的功率可控激光模组，其优选方案为，所述LD的驱动电路和所述传感器的反馈电路集成在所述LD驱动板内。
[0007]本发明的工作过程如下:LD(激光二极管)发出的光束通过光胶晶体到达半透半反玻璃片，其中一部分光束保持原传播路径形成出光激光束，另一部分光束则反射回来，经由光胶晶体缺口和承载座上面的透光孔，射到LD驱动板上的传感器，传感器会感应光的强弱，通过反馈电路自动控制LD (激光二极管)发出的激光功率。
[0008]本发明的有益效果如下:本发明利用半透半反玻璃片与LD(激光二极管)发出的光束形成角度，将激光分为两束，实现输出光束稳定，而且功率可以准确控制。本发明的功率可控激光模组，结构简单紧凑，体积很小，生产工艺简单，有效提高批量生产效率。
【附图说明】
[0009]图1为功率可控激光模组结构剖面图；
[0010]图2为图1中A-A处剖面图；
[0011]图3为功率可控激光模组的光路示意图。
【具体实施方式】
[0012]如图1、2所示，一种功率可控激光模组，包括LD5、LD驱动板7、传感器6、承载座4、光胶晶体3、半透半反玻璃片I和支架2，所述承载座4底面设置透光孔，所述LD5安装在所述承载座4内；所述传感器6焊接在所述LD驱动板7上，所述LD驱动板7安装在所述承载座4下面，所述传感器6与所述透光孔相对应；所述光胶晶体3安装在所述LD5上，所述光胶晶体3上设置缺口，所述缺口与所述透光孔相对应；所述支架2安装在所述光胶晶体3上，所述半透半反玻璃片I安装在所述支架2上，所述半透半反玻璃片I与所述LD5发出的激光束形成一定角度以使所述半透半反玻璃片I反射的激光束经由所述缺口和所述透光孔射到所述传感器6上，LD驱动电路和传感器反馈电路集成在所述LD驱动板7内。
[0013]如图3所示，激光模组工作过程如下:LD5发出的光束通过光胶晶体3到达半透半反玻璃片I，其中一部分光束保持原传播路径形成出光激光束，另一部分光束则反射回来，经由光胶晶体3缺口和承载座4上面的透光孔，射到LD驱动板7上的传感器6，传感器6会感应光的强弱，通过反馈电路自动控制LD5发出的激光功率。
【主权项】
1.一种功率可控激光模组，其特征在于，包括LD、LD驱动板、传感器、承载座、激光晶体、半透半反玻璃片和支架，所述承载座底面设置透光孔，所述LD安装在所述承载座内；所述传感器焊接在所述LD驱动板上，所述LD驱动板安装在所述承载座下面，所述传感器与所述透光孔相对应；所述激光晶体安装在所述LD上，所述激光晶体上设置缺口，所述缺口与所述透光孔相对应；所述支架安装在所述激光晶体上，所述半透半反玻璃片安装在所述支架上，所述半透半反玻璃片与所述LD发出激光束形成一定角度以使所述半透半反玻璃片反射的激光束经由所述缺口和所述透光孔射到所述传感器上。2.根据权利要求1所述的功率可控激光模组，其特征在于，所述LD的驱动电路和所述传感器的反馈电路集成在所述LD驱动板内。
【专利摘要】本发明涉及一种激光模组，具体涉及一种功率可控激光模组。其技术方案为：包括LD、LD驱动板、传感器、承载座、光胶晶体、半透半反玻璃片和支架，承载座底面设置透光孔，LD安装在承载座内；传感器焊接在LD驱动板上，LD驱动板安装在承载座下面，传感器与透光孔相对应；光胶晶体安装在LD上，光胶晶体上设置缺口，缺口与透光孔相对应；支架安装在光胶晶体上，半透半反玻璃片安装在支架上，所述半透半反玻璃片与所述LD发出激光束形成一定角度以使所述半透半反玻璃片反射的激光束经由所述缺口和所述透光孔射到所述传感器上。本发明结构简单紧凑，体积很小，生产工艺简单，有效提高批量生产效率。
【IPC分类】H01S5/06
【公开号】CN104917049
【申请号】CN201510394616
【发明人】何振新, 初志刚
【申请人】丹东依镭社电子科技有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年7月7日