一种铜铝复合薄膜生产工艺的制作方法
【专利说明】一种铜铝复合薄膜生产工艺
[0001]
技术领域
[0002]本发明涉及薄膜领域，特别涉及一种铜铝复合薄膜生产工艺。
【背景技术】
[0003]铝作为一种稳定的低电阻率的金属，被广泛用于芯片后段的金属互连线路或者与后续封装线连接的接触垫；其中，晶须是指在颗粒(grain)边缘由于应力效应凸起的须状的缺陷。
[0004]虽然高温的铝颗粒(grain)大、电阻率低，且填充性能与可靠性好，但在沉积较厚(大于1000埃)的铝薄膜时，由于铝(Al)薄膜与Si02层的热膨胀系数存在较大差异，而沉积过程中产生的热应力会随着膜厚的增加不断累积，当达到到一定程度时在铝颗粒边缘会有铝钻出来，形成晶须状的缺陷(晶须)，从而造成产品良率的降低。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种铜铝复合薄膜生产工艺，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。
[0006]为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案:一种铜铝复合薄膜生产工艺，其工艺步骤如下:
(1)依次采用低温沉积第一铜薄膜和第一氮化铜薄膜覆盖所述硅衬底的上表面；
(2)采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；
(3)采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；
(4)用压辊进行平整；
(5)晕处理机进行电晕处理；
(6)将铝薄膜两边废边切除并卷取包装。
[0007]优选的，所述步骤(I)中，所述低温为30_45°C。
[0008]优选的，所述步骤(2)中，所述低温为35-50°C，高温为60-75°C。
[0009]采用以上技术方案的有益效果是:本发明提出一种铝薄膜制备工艺，通过优化铝薄膜的沉积条件，改善了铝颗粒(grain)的成长过程，从而有效的减少晶须缺陷的产生，进而提尚广品的良率。
【具体实施方式】
[0010]下面详细说明本发明的优选实施方式。
[0011]出示本发明的【具体实施方式】: 一种铜铝复合薄膜生产工艺，其工艺步骤如下:
(1)依次采用低温沉积第一铜薄膜和第一氮化铜薄膜覆盖所述硅衬底的上表面；
(2)用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；
(3)用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；
(4)压辊进行平整；
(5)处理机进行电晕处理；
(6)铝薄膜两边废边切除并卷取包装。
[0012]优选的，所述步骤(I)中，所述低温为30-45°C。
[0013]优选的，所述步骤(2)中，所述低温为35-50°C，高温为60_75°C。
[0014]采用以上技术方案的有益效果是:，本发明提出一种铝薄膜制备工艺，通过优化铝薄膜的沉积条件，改善了铝颗粒(grain)的成长过程，从而有效的减少晶须缺陷的产生，进而提尚广品的良率。
[0015]以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种铜铝复合薄膜生产工艺，其特征在于，其工艺步骤如下: 依次采用低温沉积第一铜薄膜和第一氮化铜薄膜覆盖所述硅衬底的上表面； 采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层； 采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层； 使用压辊进行平整； 电晕处理机进行电晕处理； 将铝薄膜两边废边切除并卷取包装。2.根据权利要求1所述的一种铜铝复合薄膜生产工艺，其特征在于，所述步骤(I)中，所述低温为30-45 °C。3.根据权利要求1所述的一种铜铝复合薄膜生产工艺，其特征在于，所述步骤(2)中，所述低温为35-50 °C，高温为60-75 °C。
【专利摘要】本发明公开了一种铜铝复合薄膜生产工艺，其工艺步骤如下：原材料筛选：选取35%PET塑料、25%聚丙烯、30%乙酰乙酸乙酯树脂和10%甲酸乙二醇酯,融化、改性、挤出流延、冷却、电晕处理、切除废边卷取，制成PET保护膜，本发明工艺合理、简洁，大大缩短工艺流程，效率高，速度快，原料选择合理，成本较低，可快速降解，减少环境污染。
【IPC分类】H01L21/48, H01L21/768
【公开号】CN104934332
【申请号】CN201510211251
【发明人】焦国平, 齐继业, 方兴旺
【申请人】安徽松泰包装材料有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年4月29日