能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及固定表压/绝压/差压等的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，具体说是能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中将高精度多参量硅感应芯片用胶固定在设置有经玻璃隔离的金属引脚、正压腔及负压腔管道的金属基座上，再经键合线连接硅感应芯片和金属引脚组成的硅传感器组件，硅传感器组件与压力/差压变送器中的金属膜盒基体组成硅感应芯片的正压腔和负压腔，正压腔和负压腔相互独立且抽真空灌满硅油，现有正压腔和负压腔抽真空灌油孔及一组电信号引脚都设置在金属基座上，导致在一定面积内须要封接玻璃隔离的数量增加，加工工艺复杂且金属基座与金属膜盒基体焊接密封的焊接熔深浅，使得金属引脚间绝缘强度差，正压腔和负压腔密封性能差，承受不了高工作压力的使用场合。因此要提供一种耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，用这样的基座结构制造出相应的高精度压力/差压变送器能耐高工作压力的使用场合己成为当务之亟。
【发明内容】
[0003]为了克服现有基座的缺陷，本发明的目的是要提出结构简单及加工工艺方便，能耐高工作压力的一种高精度多参量硅感应芯片的新型基座结构。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:有一个底部设置有基座正压腔的圆柱形基座，基座的上边沿轴向的圆周设置有工艺孔，工艺孔轴向到基座正压腔之间设置有密封孔，基座上设置有贯穿工艺孔和密封孔的电信号引脚，电信号引脚与密封孔之间设置有玻璃，基座正压腔轴心上端到工艺孔轴向中间设置有基座轴向负压引压孔，基座轴向负压引压孔上端轴心设置有径向贯穿基座的基座径向负压引压孔；基座轴向负压引压孔下端基座正压腔的上面设置有粘合剂；粘合剂的下边设置有硅感应芯片；硅感应芯片下面与电信号引脚间设置有键合线。
[0005]所述的基座为圆柱形的金属材料制作的。
[0006]所述的基座的上边沿轴向的圆周设置有工艺孔有2?20个。
[0007]所述的基座正压腔、工艺孔、密封孔、基座轴向负压引压孔、基座径向负压引压孔是由机械加工完成的。
[0008]所述的电信号引脚与密封孔由公知的玻璃绝缘密封固定。
[0009]所述的基座正压腔、膜盒正压腔是相连通的且内设置有硅油。
[0010]所述的基座轴向负压引压孔、基座径向负压引压孔、膜盒负压腔是相连通的且内设置有硅油。
[0011]所述的基座与硅感应芯片由粘合剂密封固定。
[0012]所述的基座外圆柱面上节与膜盒基体是由焊接而成的焊接面密封固定的。
[0013]所述的硅油是经高温、高真空下处理过的硅油灌注的。
[0014]本发明的有益效果是:由于本发明解决了将基座上的正压腔和负压腔抽真空灌油孔设置到膜盒基体上和基座与膜盒基体是由焊接面密封固定的，因此基座上的电信号引脚处玻璃封接密封性能更好，基座与膜盒基体焊接面密封形成的正压腔和负压腔密封性能好能够承受高工作压力，也就实现了能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构。同时，本发明具有结构简单及加工工艺方便，使用稳定可靠等优点。
【附图说明】
[0015]以下结合附图及实施例对本发明进行进一步的描述。
[0016]图1是本发明的剖视视图。
[0017]图2是本发明安装后的剖视视图。
[0018]图中:1基座，2硅感应芯片，3粘合剂，4基座轴向负压引压孔，5基座径向负压引压孔，6基座正压腔，7键合线，8电信号引脚，9玻璃，10密封孔，11工艺孔，12膜盒基体，13膜盒正压腔，14硅油，15膜盒负压腔，16硅油，17焊接面。
【具体实施方式】
[0019]实施例1:
[0020]有一个底部设置有基座正压腔6的圆柱形基座I，基座I的上边沿轴向的圆周设置有八个工艺孔11，工艺孔11轴向到基座正压腔6之间设置有密封孔10，基座上设置有贯穿工艺孔和密封孔的电信号引脚8，电信号引脚8与密封孔10之间设置有玻璃9，基座正压腔6轴心上端到工艺孔11轴向中间设置有基座轴向负压引压孔4，基座轴向负压引压孔4上端轴心设置有径向贯穿基座的基座径向负压引压孔5 ;基座轴向负压引压孔下端基座正压腔6的上面设置有粘合剂3 ;粘合剂的下边设置有硅感应芯片2 ;硅感应芯片2下面与电信号引脚8间设置有键合线7。
[0021]图中基座正压腔6、膜盒正压腔13是相连通的且内设置有硅油14。基座轴向负压引压孔4、基座径向负压引压孔5、膜盒负压腔15是相连通的且内设置有硅油16。其中，12为膜盒基体，17为焊接面。
【主权项】
1.一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:有一个底部设置有基座正压腔的圆柱形基座，基座的上边沿轴向的圆周设置有工艺孔，工艺孔轴向到基座正压腔之间设置有密封孔，基座上设置有贯穿工艺孔和密封孔的电信号引脚，电信号引脚与密封孔之间设置有玻璃，基座正压腔轴心上端到工艺孔轴向中间设置有基座轴向负压引压孔，基座轴向负压引压孔上端轴心设置有径向贯穿基座的基座径向负压引压孔；基座轴向负压引压孔下端基座正压腔的上面设置有粘合剂；粘合剂的下边设置有硅感应芯片；硅感应芯片下面与电信号引脚间设置有键合线。2.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的基座的上边沿轴向的圆周设置有工艺孔有2?20个。3.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的基座正压腔、工艺孔、密封孔、基座轴向负压引压孔、基座径向负压引压孔是由机械加工完成的。4.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的电信号引脚与密封孔由玻璃绝缘密封固定。5.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的基座正压腔、膜盒正压腔是相连通的且内设置有硅油。6.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的基座轴向负压引压孔、基座径向负压引压孔、膜盒负压腔是相连通的且内设置有硅油。7.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的基座与硅感应芯片由粘合剂密封固定。8.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的基座外圆柱面上节与膜盒基体是由焊接而成的焊接面密封固定的。9.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是:所述的硅油是经高温、高真空下处理过的硅油灌注的。
【专利摘要】本发明公开了一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，属固定表压／绝压／差压等的高精度多参量硅感应芯片的基座结构。由底部设有基座正压腔的圆柱形基座，基座的上边设有工艺孔，密封孔及电信号引脚，电信号引脚与密封孔之间设有玻璃，基座正压腔上端到工艺孔轴向中间设有基座轴向负压引压孔，负压引压孔上端设有径向贯穿基座的基座径向负压引压孔；基座轴向负压引压孔下端基座正压腔的上面设有粘合剂及硅感应芯片；硅感应芯片与电信号引脚间设有键合线。本发明解决了将基座上的正压腔和负压腔抽真空灌油孔设置到膜盒基体上和基座与膜盒基体是由焊接面密封固定的，电信号引脚处玻璃封接密封性能好，能够承受高工作压力。
【IPC分类】G01L1/00, H01L23/10, G01L9/00
【公开号】CN104979296
【申请号】CN201410151768
【发明人】张惠益, 周永宏, 邹崇, 胡淋清
【申请人】福建上润精密仪器有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2014年4月8日