一种半导体组件的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种新型的制造方法，尤其涉及一种半导体致冷组件的制造方法，属于半导体制造技术领域。
【背景技术】
[0002]半导体致冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由J.A.C帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的导体A和B组成的电路且通有直流电时，在接头处除焦耳热以外还会释放出某种其它的热量，而另一个接头处则吸收热量，且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度I成正比。
现如今大多数的厂家在生产半导体致冷组件的生产效率较低，废品较多，产品不美观且性能不佳。
[0003]因此，需要提供一种新的半导体组件的制造方法。
【发明内容】
[0004]为了克服上述现有技术中存在的技术缺陷，本发明的目的在于提供一种半导体组件的制造方法，生产效率高，成本低，使用性能好。
[0005]为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下:
一种半导体组件的制造方法，该方法包括下述步骤:
(1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；
(2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，然后再将晶片切割成粒；
(3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；
(4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。
[0006]其中，所述步骤(I)中的加温温度为1010?1090°C。
[0007]其中，所述步骤(3)中的熔焊温度为708?745°C。
[0008]具体的，所述步骤(3)中的熔焊时间为8h。
[0009]其中，所述步骤(2)中，所述镀镍的厚度为0.1-lmm，所述镀锡的厚度为0.2-lmm,所述镀铜的厚度为0.1-lmm。
[0010]优选的，该方法还包括在制得半导体致冷器件半成品进行水洗的步骤。
[0011]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
1.将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进tx恪焊，使广品的成品率提尚;
2.在半导体致冷元件外侧设有一圈密封胶带，然后在密封胶带外侧用环氧树脂密封，有效防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能。
3.步骤I中晶片需先进行喷镍，增加喷镍工艺后使得晶粒牢固焊于陶瓷片上不容易脱落。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细的描述说明。
[0013]本实施例的一种半导体组件的制造方法，该方法包括下述步骤:
(1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；
(2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，然后再将晶片切割成粒；
(3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；
(4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。
[0014]其中，所述步骤(I)中的加温温度为1010?1090°C。
[0015]其中，所述步骤(3)中的熔焊温度为708?745°C。
[0016]具体的，所述步骤(3)中的熔焊时间为8h。
[0017]其中，所述步骤(2)中，所述镀镍的厚度为0.1-lmm，所述镀锡的厚度为0.2-lmm，所述镀铜的厚度为0.1-lmm。
[0018]优选的，该方法还包括在制得半导体致冷器件半成品进行水洗的步骤。
[0019]实施例1
本实施例包括下述步骤:
(1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，加温温度为1050°C，均匀喷于晶片表面上；
(2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，所述镀镍的厚度为0.1mm，所述镀锡的厚度为0.2mm，所述镀铜的厚度为0.5，然后再将晶片切割成粒；
(3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，熔焊温度为740°C，熔焊时间为8h，制得半导体致冷片；
(4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。
[0020]在制得半导体致冷器件半成品后，再进行水洗。
[0021]实施例2
本实施例包括下述步骤:
(1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，加温温度为1040°C，均匀喷于晶片表面上；
(2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，所述镀镍的厚度为0.2mm，所述镀锡的厚度为0.2mm，所述镀铜的厚度为0.2，然后再将晶片切割成粒；
(3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，熔焊温度为730°C，熔焊时间为8h，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。
[0022]在制得半导体致冷器件半成品后，再进行水洗。
[0023]实施例3
本实施例包括下述步骤:
(1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，加温温度为10350°C，均匀喷于晶片表面上；
(2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，所述镀镍的厚度为0.1mm，所述镀锡的厚度为0.3mm，所述镀铜的厚度为0.5，然后再将晶片切割成粒；
(3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，熔焊温度为720°C，熔焊时间为8h，制得半导体致冷片；
(4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。
[0024]在制得半导体致冷器件半成品后，再进行水洗。
[0025]综上所述，本实施例将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进行熔焊，使产品的成品率提高；
在半导体致冷元件外侧设有一圈密封胶带，然后在密封胶带外侧用环氧树脂密封，有效防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能。
步骤I中晶片需先进行喷镍，增加喷镍工艺后使得晶粒牢固焊于陶瓷片上不容易脱落。
需要说明的是，以上较佳实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，所作出各种变换或变型，均属于本发明的范畴。
【主权项】
1.一种半导体组件的制造方法，其特征在于，该方法包括下述步骤: (1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上； (2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，然后再将晶片切割成粒； (3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。2.根据权利要求1所述的一种半导体组件的制造方法，其特征在于，所述步骤(I)中的加温温度为1010?1090 °C。3.根据权利要求1所述的一种半导体组件的制造方法，其特征在于，所述步骤(3)中的熔焊温度为708?745 °C。4.根据权利要求3所述的一种半导体组件的制造方法，其特征在于，所述步骤(3)中的熔焊时间为8h。5.根据权利要求1所述的一种半导体组件的制造方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述镀镍的厚度为0.1-lmm，所述镀锡的厚度为0.2_lmm，所述镀铜的厚度为0.1-lmm。6.根据权利要求1所述的一种半导体组件的制造方法，其特征在于，该方法还包括在制得半导体致冷器件半成品进行水洗的步骤。
【专利摘要】本发明公开了一种半导体组件的制造方法，包括下述步骤：将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，将晶片切割成粒；将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。本发明将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进行熔焊，使产品的成品率提高；在半导体致冷元件外侧设密封胶带，防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能。
【IPC分类】H01L35/28, H01L35/34
【公开号】CN105098052
【申请号】CN201510480360
【发明人】施勇
【申请人】海门市明阳实业有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月8日