晶圆电性抽测用的转接板工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体封装测试领域，尤其是一种晶圆电性抽测用的转接板工
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【背景技术】
[0002]随着电子产品在人类社会中的普及，晶圆制造和封装已经越来越成为举足轻重的行业。
[0003]但是随着晶圆制造工艺的越来越先进，晶圆的电性测试点数也越来越多，越来越密，尤其是当工艺达到28nm以下时，单位芯片面积内的测试焊盘数目越来越密，而用于电性测试的针卡发展显然已经不能跟上晶圆发展的步伐。这主要是因为当焊盘间距达到rim数量级时，用于测试的针卡上的针用传统的悬臂式或者垂直式针卡已经很难被植入，或者植入后也会面临电性干扰，或者使用寿命过短的问题。
[0004]但是晶圆的测试关系到后续封装和器件应用的可靠性问题，因此即使测试难度加大，抽测还是必须的，所以急需选择一种可以抽测晶圆电性的工艺。
[0005]中国专利申请CN200810086130.6公开了一种晶圆测试方法，其本质上还是使用针卡的探针接触焊盘来进行晶圆测试，该专利申请主要为了解决测试中可能导致的微尘粒子污染问题，但是在当晶圆上的测试点密集度较高时，还是会面临上述的一些问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种晶圆电性抽测用的转接板工艺，能够对高密集度测试点的晶圆进行电性测试，本发明采用的技术方案是:
一种晶圆电性抽测用的转接板工艺，包括下述步骤:
步骤SI，制作针卡，针卡上设探针；
步骤S2，制作一个转接板，在转接板的正面设正面电连接点，在转接板中通过TSV工艺设TSV孔，把转接板的正面电连接点导通到转接板的背面；转接板上的正面电连接点与针卡上的探针相互对应；
步骤S3，在转接板背面制作RDL再布线层，并且在RDL再布线层上设背面电连接点，各背面电连接点与待测晶圆上的测试点一一对应；同时，背面电连接点与正面电连接点相对应电连接；
步骤S4，提供键合胶，通过临时键合工艺将待测晶圆表面与转接板背面键合在一起；所述键合胶为纵向导电而横向不导电的各向异性导电能力的键合胶，使得待测晶圆上的测试点与转接板上的背面电连接点对应电连接；
步骤S5，将针卡上的探针对准转接板的正面电连接点，对转接板正面扎针，进行待测晶圆的电性测试。
[0007]进一步地，
当待测晶圆表面的测试点为焊盘时，转接板的背面电连接点为设置在RDL再布线层上的焊盘加上该RDL再布线层的焊盘上设的凸点；
当待测晶圆表面的测试点为凸点时，转接板的背面电连接点为设置在RDL再布线层上的焊盘。
[0008]进一步地，
转接板的正面电连接点为焊盘、凸点或焊球。
[0009]本发明的优点在于:本发明通过设计一种转接板工艺，该转接板在正面设计电连接点，该面电连接点的密度可以跟现有的针卡相匹配。然后通过TSV工艺将正面电连接点导通到晶圆的背面，最后只需要通过一层RDL重布线工艺，制作出跟待测晶圆的测试点相对应的背面电连接点，通过临时键合将转接板跟待测晶圆键合，使转接板背面电连接点跟晶圆测试点相对应，对转接板正面电连接点进行通电，即可测试晶圆的电性。。
【附图说明】
[0010]图1为现有技术中针卡和待测晶圆不意图。
[0011 ] 图2为本发明的转接板上制作正面电连接点和TSV孔示意图。
[0012]图3为本发明的转接板背面制作RDL再布线层和背面电连接点示意图。
[0013]图4为本发明的转接板和待测晶圆临时键合不意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0015]在待测晶圆的导电点过于密集的情况下，就无法使用传统的针卡来进行晶圆测试。如图1所示，待测晶圆I表面具有密集程度很高的导电点101 (其中一部分需要进行电测试，为测试点101')，这些导电点101可以是焊盘或凸点；针卡2上设有探针201，传统的针卡不能布下这么密集的探针201，否则会面临如【背景技术】中所遇到的问题。
[0016]实施例一。
[0017]本发明提出了一种晶圆电性抽测用的转接板工艺，如下所述，能够很好地进行晶圆高密集度测试点的电性测试。
[0018]步骤SI，制作针卡2，针卡2上设探针201 ；
探针201的密集程度比所允许的最高密集程度低一些即可，以不引起植入后电性干扰为宜。如图2所示。
[0019]步骤S2，制作一个转接板3，在转接板3的正面设正面电连接点301，在转接板3中通过TSV工艺设TSV孔302，把转接板3的正面电连接点301导通到转接板3的背面；转接板3上的正面电连接点301与针卡2上的探针201相互对应；
正面电连接点301可以是焊盘(pad)、凸点或焊球。TSV孔即硅通孔。
[0020]步骤S3，在转接板3背面制作RDL再布线层303，并且在RDL再布线层303上设背面电连接点304，各背面电连接点304与待测晶圆I上的测试点1P —一对应；同时，背面电连接点304与正面电连接点301通过RDL再布线层303相对应电连接；
具体可以在转接板3背面通过新设计的掩膜进行重新布线和定义焊盘。
[0021 ] 由于待测晶圆I上的测试点1P密集程度较高，转接板3的背面电连接点304与测试点101'密集程度一致，因此高于正面电连接点301的密集度，也可以高于探针201的處隹l±i朱/又O
[0022]在本实施例中，待测晶圆I表面的导电点101以及测试点101'为焊盘，为了保证转接板3的背面电连接点304与待测晶圆I的焊盘更好地对应电连接和缩短连接距离，转接板3的背面电连接点304为设置在RDL再布线层303上的焊盘加上该RDL再布线层303的焊盘上设的凸点；此种情况如图3所示。
[0023]步骤S4，提供键合胶4，通过临时键合工艺将待测晶圆I表面与转接板3背面键合在一起；所述键合胶4为纵向导电而横向不导电的各向异性导电能力的键合胶，使得待测晶圆I上的测试点101'与转接板3上的背面电连接点304对应电连接；如图4所示。
[0024]在本例中，也就是待测晶圆I表面的焊盘与转接板3的RDL再布线层303上的凸点电连接。临时键合工艺使用胶可以是具有各向异性导电能力的光阻，导电胶等，可以实现对应焊盘或凸点间的纵向电传导而不影响相邻的导电端。
[0025]步骤S5，将针卡2上的探针201对准转接板3的正面电连接点301，对转接板3正面扎针，进行待测晶圆的电性测试。
[0026]测试完成后，进行拆键合工艺，并对待测晶圆I和转接板3进行清洗，转接板洗净后进行重复利用。
[0027]实施例二。
[0028]当待测晶圆I表面的导电点101以及测试点101'为凸点时，转接板3的背面电连接点304为设置在RDL再布线层303上的焊盘即可。
[0029]其它同实施例一。
【主权项】
1.一种晶圆电性抽测用的转接板工艺，其特征在于，包括下述步骤: 步骤SI，制作针卡(2)，针卡(2)上设探针(201);步骤S2，制作一个转接板(3)，在转接板(3)的正面设正面电连接点(301)，在转接板(3)中通过TSV工艺设TSV孔(302)，把转接板(3)的正面电连接点(301)导通到转接板(3)的背面；转接板(3)上的正面电连接点(301)与针卡(2)上的探针(201)相互对应；步骤S3，在转接板(3)背面制作RDL再布线层(303)，并且在RDL再布线层(303)上设背面电连接点(304)，各背面电连接点(304)与待测晶圆(I)上的测试点(101') 一一对应；同时，背面电连接点(304)与正面电连接点(301)相对应电连接；步骤S4，提供键合胶(4)，通过临时键合工艺将待测晶圆(I)表面与转接板(3)背面键合在一起；所述键合胶(4)为纵向导电而横向不导电的各向异性导电能力的键合胶，使得待测晶圆⑴上的测试点(10P )与转接板(3)上的背面电连接点(304)对应电连接；步骤S5，将针卡(2)上的探针(201)对准转接板(3)的正面电连接点(301)，对转接板(3)正面扎针，进行待测晶圆(I)的电性测试。2.如权利要求1所述的晶圆电性抽测用的转接板工艺，其特征在于: 当待测晶圆(I)表面的测试点(101')为焊盘时，转接板(3)的背面电连接点(304)为设置在RDL再布线层(303)上的焊盘加上该RDL再布线层(303)的焊盘上设的凸点；当待测晶圆(I)表面的测试点(101')为凸点时，转接板(3)的背面电连接点(304)为设置在RDL再布线层(303)上的焊盘。3.如权利要求1所述的晶圆电性抽测用的转接板工艺，其特征在于: 转接板(3)的正面电连接点(301)为焊盘、凸点或焊球。
【专利摘要】本发明提供一种晶圆电性抽测用的转接板工艺，包括下述步骤：制作针卡，针卡上设探针；制作一个转接板，在转接板的正面设正面电连接点，在转接板中通过TSV工艺设TSV孔，把转接板的正面电连接点导通到转接板的背面；转接板上的正面电连接点与针卡上的探针相互对应；在转接板背面制作RDL再布线层，并且在RDL再布线层上设背面电连接点，各背面电连接点与待测晶圆上的测试点一一对应；通过临时键合工艺将待测晶圆表面与转接板背面键合在一起；键合胶为纵向导电而横向不导电的各向异性导电能力的键合胶，使得待测晶圆上的测试点与转接板上的背面电连接点对应电连接；对转接板正面扎针。本发明能够对高密集度测试点的晶圆进行电性测试。
【IPC分类】H01L21/60
【公开号】CN105140142
【申请号】CN201510487385
【发明人】冯光建
【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月10日