UV透过部731的UV光的透过率。因此，能够将受到副产物的影响较小的、晶圆W的周缘区域中的SOC膜的去除速度抑制得较低，因而，能够将SOC膜的一部分在面内均匀地去除。
[0126]执行所述UV光的照射，例如，如图13的(C)所示，去除高度Hai量的SOC膜F，直到区域A侧的SOC膜Fa被完全地去除的规定的深度为止。其结果，成为如下状态，即，使晶圆W的图案P的表面暴露，在区域A中不存在，在区域B中的图案P的凹陷部Q内残留有高度Hei的SOC膜F B。
[0127]在如此以规定时间照射UV光之后，使UV灯72熄灭，停止向加热器512供给电力并使载置台51下降到图10所示的位置。然后，自供气部621供给清洁空气并自排气部641进行排气而使处理空间60内形成一方向流动，将活性氧、臭氧、副产物等自处理空间60内排出。
[0128]接着，使载置台51下降，利用与输入时相反的步骤将处理后的晶圆W交接到输送臂41上。接收到晶圆W的输送臂41在移动到与晶圆输送机构122之间交接晶圆W的前方侧的位置之后待机规定时间，等待晶圆W冷却到规定的温度。利用与输入时相反的步骤将温度调节后的晶圆W交接到晶圆输送机构122上并将晶圆W自晶圆处理装置140输出。
[0129]以上说明的利用涂敷装置130?涂敷装置133对原料进行的涂敷处理、对晶圆处理装置140?142、150?152中的晶圆W进行的加热处理、之后的UV光的照射处理依次进行多次、例如η次。
[0130]在例如第二次原料涂敷中，利用涂敷装置130?涂敷装置133在晶圆W上再次涂敷SOC膜的原料L。
[0131]在该第二次中，与第I次的原料涂敷相比，以使原料L的膜厚变小的方式进行调节。具体而言，能够采用例如增大旋转卡盘210的旋转速度或者减少向晶圆W上供给的原料L的供给量等方法。其结果，如图13的(d)所示，第二次的SOC膜？八、Fb (原料La、Lb)的高度HA2、Hb2低于第I次的SOC膜F A、Fb的高度H A1、Hb1
[0132]之后，在晶圆处理装置140的处理空间60内对晶圆W上的原料L进行加热而形成SOC膜F (图13的⑷)。此时，SOC膜F# SOC膜F B之间的高度差D 2小于第I次的高度差
D1O
[0133]然后，通过向晶圆处理装置141的处理空间60内的晶圆W照射UV光，如图13的
(e)所示，去除高度Ha2量的SOC膜F，直到区域A侧的SOC膜FA被完全地去除的规定的深度为止。其结果，成为如下状态:在区域A中不存在SOC膜Fa，在区域B中的图案P的凹陷部Q内残留有高度氏2的SOC膜F Bo此外，在第二次照射UV光之后残留的SOC膜Fb的高度氏2大于在第I次照射UV光之后残留的30(:膜？4勺高度11。S卩，当每重复一次原料的涂敷、SOC膜的形成、SOC膜的一部分去除这一系列的处理序列的次数时，就会在图案P的凹陷部Q内堆积SOC膜Fb。
[0134]与以上说明的第二次的处理的序列同样地，在第3次?第η次中，也重复原料的涂敷、SOC膜的形成、SOC膜的一部分去除这样的处理序列。其结果，使SOC膜？八与SOC膜F B之间的高度差D3?Dn逐渐地变小，最终使高度差Dn大致为零。在这种情况下，如图13的
(f)所示，成为SOC膜Fb的表面的高度与图案P的表面的高度相一致的状态。此外，只要高度差Dn在所要求的规定的范围内即可，高度差D ?也可以不完全地为零。
[0135]之后，利用涂敷装置130?涂敷装置133在晶圆W上涂敷规定膜厚的原料L，接着在晶圆处理装置140的处理空间60内仅执行对晶圆W上的原料L进行加热的处理。其结果，如图13的(g)所示，形成在晶圆W上具有规定膜厚且表面平坦化了的SOC膜F。
[0136]在形成图13的(g)所示的SOC膜F之后，不照射UV光，而将晶圆W交接到输送臂41上并进行温度调节，之后，利用晶圆输送机构122将晶圆W自晶圆处理装置140输出。然后，将晶圆自处理站120经由交接架121和晶圆输送机构113输送到盒站110上，并使晶圆返回到盒载置台111上的盒C中。这样，完成了形成用于使晶圆W的表面平坦化的SOC膜的、晶圆处理系统I的处理。
[0137]本实施方式的晶圆处理系统1、晶圆处理装置140?142、150?152具有以下的效果。由于向SOC膜照射UV光而将SOC膜的一部分去除，因此，能够在抑制对晶圆W造成的影响的同时在常压气氛下对晶圆W进行处理。此时，在具有排气机构(排气部641、排气扇645等)的处理室61内，使处理室61内(处理空间60)的排气停止，在气体的流速为1cm/秒以下的状态下照射UV光，由此能够抑制气流的影响而将SOC膜的一部分在晶圆W面内均匀地去除。
[0138]接着，参照图14?图16说明第2实施方式的晶圆处理装置140a。在该晶圆处理装置140a中，用于朝向处理空间60供给含氧气体的供气部621和用于将自处理空间60排出后的气体排出的排气部641设于比载置台51靠下方侧的位置，这点与这些供气部621、排气部641以及处理空间60以沿横向排列的方式设置的第I实施方式的晶圆处理装置140 (参照图5、图10)不同。
[0139]此外，在使用图14?图18说明的各实施方式中，对于与第I实施方式的晶圆处理装置140具有共用的功能的构成要件，标注了与在图5?图12中示出的构成要件相同的附图标记。另外，在这些图14?图18中，省略了对UV透过部73的分割(第IUV透过部731、第2UV透过部732)和载置台51的分割(第I载置台部51a和第2载置台部51b)的记载。
[0140]如图14?图16所示，在本例子的晶圆处理装置140a的载置台51上，以包围载置台51的侧周面的方式设有圆筒状的凸缘部640，该凸缘部640的下端部比载置台51向下方侧伸出。凸缘部640安装在载置台51上并随着支承构件531的伸缩动作而与载置台51 —起在上下方向上移动。
[0141]如图16所示，在从载置台51看位于后方侧的凸缘部640内，设有沿着载置台51形成为圆弧状的作为槽状的空间的供气部621。如图14所示，供气部621与供气管624相连接，自清洁空气供给部625向供气部621供给作为含氧气体的清洁空气。在本例子的晶圆处理装置140a中，使用被设置在供气管624上的气栗626来强制地供给清洁空气。此外，配置在壳体300a内的供气管624由挠性的软管构成而能够与凸缘部640的升降动作相对应地进行变形。
[0142]所述供气部621的上表面被凸缘部640的上表面侧的构件覆盖，在覆盖该供气部621的构件上，沿着载置台51的周向互相隔开间隔地设有多个供气孔622。将在供气部621内扩展的清洁空气自这些供气孔622分散地喷出(图16)。如图14所示，供气孔622形成在比容纳有晶圆W的处理空间60 (载置在载置台51上的晶圆W)低的高度位置。
[0143]另一方面，在从载置台51看位于前方侧的凸缘部640内，设有沿着载置台51形成为圆弧状的作为槽状的空间的排气部641 (图16)。如图14所示，排气部641与排气管644相连接，被自处理空间60内排出的气体在流入到排气部641之后被向外部的除害设备646排出。此外，该排气管644也由挠性的软管等构成而能够与凸缘部640的升降动作相对应地进行变形。另外，也可以是，不使用供气管624侧的气栗626来进行强制供气，而利用设于排气管644侧的排气扇645来进行排气，或者与使用供气管624侧的气栗626来进行强制供气并行地，利用设于排气管644侧的排气扇645来进行排气。
[0144]并且，供气部641的上表面被凸缘部640的上表面侧的构件覆盖，在覆盖该供气部641的构件上，沿着载置台51的周向互相隔开间隔地设有多个供气孔642。被自处理空间60排出后的气体经由这些排气孔642被向排气部641排出(图16)。如图14所示，供气孔642也形成在比处理空间60 (载置在载置台51上的晶圆W)低的高度位置。
[0145]另外，供气部621和排气部641以彼此隔离的方式形成在凸缘部640内，从而不会使供给到供气部621的清洁空气直接流入到排气部641内。
[0146]在凸缘部640的上端部设有具有凸弯曲面的圆环状的下部侧流路形成构件652，该下部侧流路形成构件652自载置台51的周缘部朝向被设置在载置台51上的包围构件52a弯曲。另一方面，在壳体300a的顶面设有上部侧流路形成构件651，该上部侧流路形成构件651具有形状与载置台51和凸缘部640相对应的开口部63 (参照图15)。在该上部侧流路形成构件651上，沿着开口部63在周向上形成有凹弯曲面。
[0147]在使载置台51上升到处理位置时，在形成有供气孔622、排气孔642的区域中，上部侧流路形成构件651的凹弯曲面形成为与下部侧流路形成构件652的凸弯曲面相隔几_左右相对。如图14所示，由这些上部侧流路形成构件651、下部侧流路形成构件652的互相相对的弯曲面围成的空间成为供被供给到处理空间60内的清洁空气或被自处理空间60排出的气体流动的狭缝状的流路653a、653b。在本例子的晶圆处理装置140a中，由所述上部侧流路形成构件651、载置台51以及壳体300a的顶面(UV透过部73)围成的扁平的圆盘状的空间成为处理空间60。因而，在包围构件52a的外侧的区域中，基本上没有形成图6等所示的氧供给空间602。
[0148]另一方面，可以是，构成为使上部侧流路形成构件651和下部侧流路形成构件652的弯曲面彼此在没有形成供气孔622、排气孔642的区域中尽可能地接近而不形成气体的流路，自供气孔622供给过来的清洁空气不会绕过处理空间60而流入排气孔642内。
[0149]在具有以上说明的结构的晶圆处理装置140a中，在使载置台51上升到处理位置时，在UV透过部73与载置台51之间形成有处理空间60，另外，在下部侧流路形成构件652与上部侧流路形成构件651之间形成有清洁空气的供给用的流路653a和来自处理空间60气体的排气用的流路653b。于是，当自供气管624向供气部621供给清洁空气时，清洁空气被自流路653a朝向处理空间60供给，从而在处理空间60内形成有含氧气氛。与清洁空气置换后的处理空间60内的气体成为一方向流动并被向流路653b排出，从而将该气体经由排气孔642向排气部641的下游侧排出。
[0150]此处，在本例子的晶圆处理装置140a中，将包围构件52a的上端与处理室61的顶面之间的间隙的宽度设定以下程度的尺寸:使得被气栗626送出的气体自排气孔642朝向排气部641流通并能够在处理空间60内形成一方向流动。
[0151]当在该状态下利用加热器512对晶圆W进行加热时，在涂敷有原料L的晶圆W的表面形成SOC膜F，此时产生的生成物被自处理空间60内向排气孔642排出，这点与使用图10说明的第I实施方式的晶圆处理装置140相同。
[0152]并且，在进行如下处理的方面(参照图11)和在执行该处理之后形成自供气孔622朝向排气孔642去的一方向流动而对处理空间60内进行排气的方面也与第I实施方式的晶圆处理装置140相同，该处理指的是，在形成了 SOC膜F的时刻，停止自供气孔622供给清洁空气并停止自排气孔642对处理空间60内进行排气，将UV灯72点亮而使处理空间60内产生臭氧、活性氧，以将SOC膜F的一部分去除。
[0153]在图14?图16所示的、第2实施方式的晶圆处理装置140a中，用于朝向处理室60供给清洁空气的供气部621配置在比处理室60靠下方侧的位置，另外，用于将自处理空间60排出后的气体排出的排气部641也配置于比处理室60靠下方侧的位置。其结果，能够利用构成晶圆处理装置140a的壳体300a内的空间来设置清洁空气的供给机构(形成有供气部621的区域中的凸缘部640、供气管624等