一种承片台的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体和集成电路制造技术领域，具体涉及一种承片台。
【背景技术】
[0002]在半导体、集成电路制造领域单片湿法刻蚀、清洗工艺中，晶圆需要承片台来承载以便进行旋转完成相关工艺。承片台既可以固定晶圆又不能对晶圆造成污染，特别是被吸附的背面。然而传统的吸附式承片台容易对吸附面造成污染，同时化学液也容易从真空吸孔中被吸到真空管路，甚至电机处造成损坏。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种承片台，本发明在将晶圆固定的同时，可以保护晶圆背面不会被化学液污染。
[0004]为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为:
[0005]—种承片台，用于承载固定晶圆，所述承片台包括:
[0006]承片台本体；
[0007]至少三个支柱，至少三个所述支柱设置在所述承片台本体的上表面，且在同一圆周上分布设置，所述支柱用于支起所述晶圆；
[0008]凸台，所述凸台设置在所述承片台本体的上表面，且被至少三个所述支柱环绕，所述凸台的高度低于所述支柱的高度；
[0009]进气孔，所述进气孔设置在所述承片台本体的底部；
[0010]至少两个出气孔，至少两个所述出气孔设置在所述凸台的侧面，且在所述凸台的侧面圆周上均匀分布；
[0011]其中，至少两个所述出气孔与所述进气孔通过所述凸台内部的气道相连通；氮气通过所述进气孔通入所述气道，然后从所述出气孔喷出。
[0012]上述方案中，所述承片台还包括:
[0013]连接法兰，所述连接法兰设置在所述承片台本体的下表面，用于连接外部旋转部件。
[0014]上述方案中，所述出气孔喷出气体的方向与经过所述出气孔的切线成O?20度角。
[0015]上述方案中，所述承片台本体采用聚四氟乙烯制成。
[0016]上述方案中，所述凸台的高度为小于等于10mm。
[0017]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
[0018]本发明出气孔喷出氮气形成运动气流，使得承片台中心压力低，周边压力高，从而将晶圆固定在承片台上；同时，由于晶圆背面通有氮气，可以保护晶圆背面不会被化学液污染。
【附图说明】
[0019]图1为本发明实施例提供的一种承片台的结构示意图；
[0020]图2为图1的A向视图；
[0021]图3为图1的B-B剖视图。
【具体实施方式】
[0022]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0023]如图1所示，本发明实施例提供一种承片台，用于承载固定晶圆6，所述承片台包括:承片台本体1、支柱2、凸台3、进气孔4和出气孔5。所述支柱2至少为三个，设置在所述承片台本体I的上表面，且在同一圆周上分布设置。所述支柱2采用至少三个，可以稳定支起所述晶圆6。本实施例中采用了四个支柱2，所述支柱2在同一圆周上均匀分布。所述凸台3设置在所述承片台本体I的上表面，且被所述支柱2环绕，所述凸台3的高度低于所述支柱2的高度，这使得晶圆6只与支柱2有接触，与承片台的其他部分没有接触。如图3所示，所述进气孔4设置在所述承片台本体I的底部，用于将氮气通入所述承片台本体I内部。所述出气孔5至少为两个，设置在所述凸台3的侧面，且在所述凸台3的侧面圆周上均匀分布。如图3所示，本实施例采用了 6个出气孔5，相邻两个出气孔5的的夹角为60度。所述出气孔5与所述进气孔4通过所述凸台3内部的气道7相连通；氮气通过所述进气孔4通入所述气道7，然后从所述出气孔5喷出。
[0024]如图1所示，本实施例中，所述承片台还包括:连接法兰8，所述连接法兰8设置在所述承片台本体I的下表面，用于连接电机、主轴等外部旋转部件。
[0025]本实施例中，所述凸台3的高度为小于等于10mm。所述出气孔喷出气体的方向与经过所述出气孔的切线成O?20度角，气流喷出时可有效形成旋涡状，加强对承载硅片的吸附。
[0026]本实施例中，所述承片台本体采用聚四氟乙烯制成，可以耐腐蚀，可适用于多种化学液。
[0027]本发明是一种利用伯努利原理(即在水流或气流里，如果速度小，压强就大，如果速度大，压强就小)制成的承片台，可适应12英寸硅片等晶圆，可装在半导体、集成电路制造领域的湿法刻蚀、清洗工艺单片化学处理机台上配套使用。氮气从承片台本体底部的进气孔进入，从出气孔喷出，形成运动气流，使得承片台中心压力低，周边压力高，从而将晶圆固定在承片台上；同时，由于晶圆背面通有氮气，可以保护晶圆背面不会被化学液污染。
[0028]以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种承片台，用于承载固定晶圆，其特征在于，所述承片台包括: 承片台本体； 至少三个支柱，至少三个所述支柱设置在所述承片台本体的上表面，且在同一圆周上分布设置，所述支柱用于支起所述晶圆； 凸台，所述凸台设置在所述承片台本体的上表面，且被至少三个所述支柱环绕，所述凸台的高度低于所述支柱的高度； 进气孔，所述进气孔设置在所述承片台本体的底部； 至少两个出气孔，至少两个所述出气孔设置在所述凸台的侧面，且在所述凸台的侧面圆周上均匀分布； 其中，至少两个所述出气孔与所述进气孔通过所述凸台内部的气道相连通；氮气通过所述进气孔通入所述气道，然后从所述出气孔喷出。2.如权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述承片台还包括: 连接法兰，所述连接法兰设置在所述承片台本体的下表面，用于连接外部旋转部件。3.如权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述出气孔喷出气体的方向与经过所述出气孔的切线成O?20度角。4.如权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述承片台本体采用聚四氟乙烯制成。5.如权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述凸台的高度为小于等于10_。
【专利摘要】本发明涉及半导体和集成电路制造技术领域，具体涉及一种承片台。所述承片台包括：承片台本体；至少三个支柱，至少三个所述支柱设置在所述承片台本体的上表面，且在同一圆周上分布设置；凸台，所述凸台设置在所述承片台本体的上表面，且被至少三个所述支柱环绕，所述凸台的高度低于所述支柱的高度；进气孔，所述进气孔设置在所述承片台本体的底部；至少两个出气孔，至少两个所述出气孔设置在所述凸台的侧面；氮气通过所述进气孔通入所述气道，然后从所述出气孔喷出。本发明出气孔喷出氮气形成运动气流，使得承片台中心压力低，周边压力高，从而将晶圆固定在承片台上；同时，由于晶圆背面通有氮气，可以保护晶圆背面不会被化学液污染。
【IPC分类】H01L21/683
【公开号】CN105225999
【申请号】CN201510520156
【发明人】陈波, 李楠, 夏洋
【申请人】中国科学院微电子研究所
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年8月21日