一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池制造工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池制造工艺，属于太阳能电池生产制作技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，采用多晶硅太阳能电池的组件外观呈现蓝色且表面晶界明显。为了使组件做成的电站美观，多晶硅电池要求按照深蓝色、蓝色、浅蓝色等多种颜色进行区分，并且组件也要按照电池片的颜色来分类，以达到美观的要求。但是一些电站项目对外观要求比较高，尤其是商业区的电站，全黑色的组件越来越受到高端客户的欢迎。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池的制造工艺。
[0004]为了达到上述目的，本发明的技术方案是提供了一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，包括以下步骤:
[0005]第一步、用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，并且使氢氟酸过量以使绒面发暗，并且晶界模糊不发亮，不出现黑丝；
[0006]第二步、用磷源进行扩散，形成PN结；
[0007]第三步、用氢氟酸进行洗磷，用氢氟酸和硝酸进行背面刻蚀；
[0008]第四步、用PECVD进行镀膜，通过对膜厚与折射率的控制，使膜呈现柏林蓝色；
[0009]第五步、印刷背电极、背电场、正电极，烧结；
[0010]第六步、测试效率，分选包装。
[0011 ] 优选地，所述第四步中，所述PECVD采用板式PECVD。
[0012]本发明提供的一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池制造工艺通过调整制绒与镀膜工艺使得多晶太阳能电池片做成组件后呈现黑色，并晶界不可见。
[0013]本发明提供的方法克服了当前多晶电池片所做组件的外观不足，使其颜色统一，看不到多晶的晶界，大大改善了多晶组件的外观。
【具体实施方式】
[0014]为使本发明更明显易懂，兹以优选实施例作详细说明如下。
[0015]本发明提供了一种具有单晶组件外观的多晶硅太阳能电池制造工艺，由以下6个步骤组成:
[0016]第一步、用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，并且使氢氟酸过量(质量百分比7.5%?10% )，此时绒面发暗，并且晶界模糊不发亮，另外不可出现黑丝，减重控制在0.38g+/_0.02g ；
[0017]第二步、用磷源进行扩散，形成PN结，此步骤与传统工艺一致；
[0018]第三步、用氢氟酸进行洗磷，用氢氟酸和硝酸进行背面刻蚀，此步骤与传统工艺一致；
[0019]第四步、用PECVD进行镀膜，膜厚与折射率需要精确控制，膜厚要求75nm+/-2nm，折射率要求2.23+/-0.02，此时膜的颜色呈现柏林蓝色；
[0020]第五步、印刷背电极、背电场、正电极，烧结，此步骤与传统工艺一致；
[0021]第六步、测试效率，分选包装。
[0022]本发明提供的一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池制造工艺通过调整制绒与镀膜工艺使得多晶太阳能电池片做成组件后呈现黑色，并且晶界不可见。
[0023]本发明提供的一种具有单晶组件外观的多晶硅太阳能电池制造工艺，在制绒时使氢氟酸过量，此时绒面发暗，并且晶界模糊不发亮，另外不可出现黑丝，减重控制在0.38g+/-0.02go使用板式PECVD镀膜，膜厚要求75nm+/_2nm，折射率要求2.23+/-0.02，此时膜的颜色呈现柏林蓝色。
【主权项】
1.一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，包括以下步骤: 第一步、用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，并且使氢氟酸过量以使绒面发暗，并且晶界模糊不发亮，不出现黑丝； 第二步、用磷源进行扩散，形成PN结； 第三步、用氢氟酸进行洗磷，用氢氟酸和硝酸进行背面刻蚀； 第四步、用PECVD进行镀膜，通过对膜厚与折射率的控制，使膜呈现柏林蓝色； 第五步、印刷背电极、背电场、正电极，烧结； 第六步、测试效率，分选包装。2.如权利要求1所述的一种用于全黑组件的多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述第四步中，所述PECVD采用板式PECVD。
【专利摘要】本发明涉及一种具有单晶组件外观的多晶硅太阳能电池制造工艺，在制绒时使氢氟酸过量，此时绒面发暗，并且晶界模糊不发亮，另外不可出现黑丝，减重控制在0.38g+/-0.02g。使用板式PECVD镀膜，膜厚要求75nm+/-2nm，折射率要求2.23+/-0.02，此时膜的颜色呈现柏林蓝色。本发明提供的方法克服了当前多晶电池片所做组件的外观不足，使其颜色统一成黑色，看不到多晶的晶界，大大改善了多晶组件的外观。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN105355719
【申请号】CN201510816560
【发明人】孙波远
【申请人】百力达太阳能股份有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年11月23日