一种沟槽式mos肖特基二极管的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及二极管领域，特别涉及一种沟槽式MOS肖特基二极管。
【背景技术】
[0002]肖特基二极管是肖特基势皇二极管的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属一半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属一半导体二极管或表面势皇二极管，它是一种热载流子二极管。其最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用的沟槽式MOS肖特基二极管，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。
[0004]为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案:一种沟槽式MOS肖特基二极管，包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面。
[0005]优选的，所述肖特基接触金属表面设置有绝缘膜。
[0006]优选的，所述外延膜表面设置有保护环。
[0007]优选的，所述欧姆接触金属表面设置有防腐层。
[0008]优选的，所述肖特基接触金属，包括衬底、金属片和反向偏置肖特基势皇，衬底设置在金属片的背部，反向偏置肖特基势皇均与布设在金属片的表面。
[0009]采用以上技术方案的有益效果是:本发明结构的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用，所述肖特基接触金属表面设置有绝缘膜，形成不带电场的表面，比传统肖特基二极管更耐压，VF值非常低，可用在大电流及高压的设计，并提高开关速度，所述外延膜表面设置有保护环，这样能够对二极管内部的结构起到保护作用，所述欧姆接触金属表面设置有防腐层，由于欧姆接触金属为最底层结构，比较难以接触，为了防止其腐蚀影响二极管的功能，本发明在其表面设置了防腐层，所述肖特基接触金属，包括衬底、金属片和反向偏置肖特基势皇，衬底设置在金属片的背部，反向偏置肖特基势皇均与布设在金属片的表面，通过这样的结构二极管能够形成清晰的电场区和耗尽区，便于二极管结构中的电子移动。
【附图说明】
[0010]图1是本发明的结构示意图。
[0011]图2是图1所示肖特基接触金属的结构示意图。
[0012]其中，I一一肖特基接触金属，2一一二氧化硅环，3一一外延膜，4一一欧姆接触金属，5——衬底基片，6——焊压块，7——衬底，8——金属片，9——反向偏置肖特基势皇，10——保护环。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。
[0014]图1和图2出示本发明的【具体实施方式】:一种沟槽式MOS肖特基二极管，包括肖特基接触金属1、二氧化娃环2、外延膜3、欧姆接触金属4、衬底基片5和焊压块6，肖特基接触金属I中间设置有沟槽，二氧化硅环2套在肖特基接触金属I的下部凸起上，肖特基接触金属I的下部凸起设置在外延膜3上，外延膜3设置在衬底基片5上，焊压块6设置在衬底基片5的另一面，欧姆接触金属4设置在焊压块6的背面。
[0015]结合图2所示的肖特基接触金属I，包括衬底7、金属片8和反向偏置肖特基势皇9，衬底7设置在金属片8的背部，反向偏置肖特基势皇9均与布设在金属片8的表面。
[0016]采用以上技术方案的有益效果是:本发明结构的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用，所述肖特基接触金属表面设置有绝缘膜，形成不带电场的表面，比传统肖特基二极管更耐压，VF值非常低，可用在大电流及高压的设计，并提高开关速度，所述外延膜表面设置有保护环，这样能够对二极管内部的结构起到保护作用，所述欧姆接触金属表面设置有防腐层，由于欧姆接触金属为最底层结构，比较难以接触，为了防止其腐蚀影响二极管的功能，本发明在其表面设置了防腐层，所述肖特基接触金属，包括衬底、金属片和反向偏置肖特基势皇，衬底设置在金属片的背部，反向偏置肖特基势皇均与布设在金属片的表面，通过这样的结构二极管能够形成清晰的电场区和耗尽区，便于二极管结构中的电子移动。
[0017]以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种沟槽式MOS肖特基二极管，其特征在于:包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面。2.根据权利要求1所述的沟槽式MOS肖特基二极管，其特征在于:所述肖特基接触金属表面设置有绝缘膜。3.根据权利要求1所述的沟槽式MOS肖特基二极管，其特征在于:所述外延膜表面设置有保护环。4.根据权利要求1所述的沟槽式MOS肖特基二极管，其特征在于:所述欧姆接触金属表面设置有防腐层。5.根据权利要求1所述的沟槽式MOS肖特基二极管，其特征在于:所述肖特基接触金属，包括衬底、金属片和反向偏置肖特基势皇，衬底设置在金属片的背部，反向偏置肖特基势皇均与布设在金属片的表面。
【专利摘要】本<b>发明</b>公开了<b>一种沟槽式</b><b>MOS</b><b>肖特基二极管</b>，包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面，该<b>发明</b>的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用。
【IPC分类】H01L29/872
【公开号】CN105514178
【申请号】CN201610075455
【发明人】黄仲濬, 蒋文甄
【申请人】泰州优宾晶圆科技有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2016年2月3日