一种导电图形的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明属于透明导电薄膜材料领域，具体涉及一种可用于平板显示器、触摸屏、太阳能电池等装置中电极配线的导电图形的形成方法，特别是石墨烯导电图形的形成方法。
【背景技术】
[0002]在个人电脑、电视、手机、车载导航等电子设备上，液晶显示元件、触摸屏的使用得到了普及。对于这些液晶显示元件、触摸屏等器件而言，透明的配线、像素电极或端子的一部分中需要使用透明导电膜。作为透明导电膜的材料，一直以来，多使用氧化铟锡等材料，但由于铟元素是稀有金属，并且铟的氧化物有毒，不环保。在此背景下，石墨烯材料受到了人们极大关注。
[0003]现有石墨烯图案化有以下几种技术，第一，采用目前成熟的半导体制程工艺来实现，即在石墨烯薄膜表面涂布光刻胶，通过曝光-显影工艺得到图案化的光刻胶，在对石墨烯薄膜进行干刻，最后进行光刻胶剥离，得到图案化的石墨烯。但是由于石墨烯薄膜非常薄，使用目前常规的光刻胶在剥离时有可能会发生石墨烯薄膜脱落，或者光刻胶在石墨烯膜层上残留的情况，进而造成产品良率降低;开发特定的光刻胶材料和工艺会增加成本，提高量产难度。第二，先图案化催化剂，生长得到图案化的石墨烯再转移。但是这种方法并不能将图案化的石墨烯精确定位到器件衬底上。第三，利用模板压印的方法，在需要石墨烯的地方印上石墨烯。但是这种方法对不同图形的石墨烯，要求制作不同的模板，并且模板制造工艺复杂，成本很高。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供了一种导电图形的形成方法。
[0005 ]为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案:
一种导电图形的形成方法，包括如下步骤:
(1)通过UV半固化I吴将目标基底与石墨稀贴合在一起；
(2)按预设的导电图形，将处于导电图形之外的石墨烯表面用防紫外线膜覆盖；
(3)用紫外光照射石墨烯；
(4)除去防紫外线膜以及未固化的UV半固化膜，即得到粘在目标基底上的导电图形。
[0006]进一步，所述UV半固化膜的厚度为1-50微米。
[0007]进一步，所述目标基底为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜或聚碳酸酯膜。
[0008]进一步，步骤(4)未固化的UV半固化膜用有机溶剂洗去。
[0009]更进一步，所述有机溶剂为乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇甲醚或醋酸乙烯酯。
[0010]对于生长在金属衬底上的石墨烯，先除去金属衬底，再进行步骤(2)的操作。金属衬底可采用化学腐蚀法、机械剥离法或鼓泡法除去。
[0011]与现有石墨烯图案化技术相比，本发明方法操作简单、高效，成本低，可实现导电图形的快速、批量制作。
【附图说明】
[0012]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明工艺流程示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
[0014]实施例1
一种导电图形的形成方法，工艺流程如图1所示，步骤如下:
UV半固化膜是一种在常温下为固态、具有一定的粘性，经紫外光照射后可固化的材料，本发明UV半固化膜采用市售产品(型号:T8000，DIC株式会社)，UV半固化膜厚度为15微米，在UV半固化膜的两面均具有离型膜。
[0015]防紫外线膜，采用市售产品(3M850B黑色PET保护膜，富德光光电有限公司)。
[0016](I)先撕除UV半固化膜其中一面的离型膜，用辊压的方式将UV半固化膜贴合到目标基板聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)上，得到PET/UV半固化膜/离型膜；
(2)将UV半固化膜剩下的另一面离型膜撕除，然后与采用常规气相沉积法生长在铜箔上的石墨烯贴合，得到PET/UV半固化膜/石墨烯/铜箔；
(3)将PET/UV半固化膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET/UV半固化膜/石墨烯；
(4)图形化处理:在PET/UV半固化膜/石墨烯的石墨烯一面，按照设计的导电图形，将防紫外线膜贴在导电图形之外剩余的石墨烯表面上，对除导电图形之外的石墨烯进行光照保护；
(5)对图形化处理的石墨烯进行UV光照射，经UV光照射后，未贴防紫外线膜部分的UV半固化膜完全固化，从而使该部分的石墨烯牢牢的粘在PET上；
(6)撕除石墨烯上的防紫外线膜，由于固化后UV固化膜与石墨烯的结合力远强于未固化时UV半固化膜与石墨烯的结合力，贴有防紫外线膜部分的石墨烯能一并撕除，该部分余下的未固化的UV半固化膜用乙酸乙酯洗去，从而得到粘在PET上的石墨烯导电图形。
[0017]最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种导电图形的形成方法，包括如下步骤: (1)通过UV半固化I吴将目标基底与石墨稀贴合在一起； (2)按预设的导电图形，将处于导电图形之外的石墨烯表面用防紫外线膜覆盖； (3)用紫外光照射石墨烯； (4)除去防紫外线膜以及未固化的UV半固化膜，即得到粘在目标基底上的导电图形。2.根据权利要求1所述导电图形的形成方法，其特征在于:所述UV半固化膜的厚度为1-50微米。3.根据权利要求1所述导电图形的形成方法，其特征在于:所述目标基底为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜或聚碳酸酯膜。4.根据权利要求1所述导电图形的形成方法，其特征在于:步骤(4)未固化的UV半固化膜用有机溶剂洗去。5.根据权利要求4所述导电图形的形成方法，其特征在于:所述有机溶剂为乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇甲醚或醋酸乙烯酯。
【专利摘要】本发明公开一种导电图形的形成方法，该方法包括如下步骤：（1）通过UV半固化膜将目标基底与石墨烯贴合在一起；（2）按预设的导电图形，将处于导电图形之外的石墨烯表面用防紫外线膜覆盖；（3）用紫外光照射石墨烯；（4）除去防紫外线膜以及未固化的UV半固化膜，即得到粘在目标基底上的导电图形。与现有石墨烯图案化技术相比，本发明方法操作简单、高效，成本低，可实现导电图形的快速、批量制作。
【IPC分类】H01L21/263, H01L21/027, H01L21/48
【公开号】CN105551976
【申请号】CN201510983674
【发明人】王小蓓, 杨军, 王炜, 谭化兵
【申请人】无锡格菲电子薄膜科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月24日