一种化合物半导体材料加工设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体材料制备技术领域，特别提供了一种化合物半导体材料加工设备。
【背景技术】
[0002]化合物半导体材料，尤其是II1-V族化合物材料作为研制光电子和微电子器件的新型半导体材料受到研究人员的广泛关注，在固态照明、光显示、激光打印、光信息存储等民用和国防安全领域有着广阔的应用前景，氮化镓及其相关半导体器件的研究取得了非常大的进展，而用于制备II1-V族化合物半导体材料的方法有分子束外延、氢化物气相外延和金属有机物化学气相沉积等，此类技术由于具有生长速度快，外延层组分与性质可控性强，量产能力高以及外延片平整性好等优点，成为II1-V族化合物半导体材料和器件最主要、最有效和最广泛的生长制备技术，受到半导体工业界的广泛重视。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了解决上述存在的技术问题，特提供了一种化合物半导体材料加工设备。
[0004]本发明提供了一种化合物半导体材料加工设备，其特征在于:所述的化合物半导体材料加工设备包括进气管道(I)、喷淋口( 2 )、上电机(3 )、冷却液进口( 4 )、载片台(5 )、石墨盘(6)、下电极(7)、支撑轴(8)；
其中:设备最上方设有进气管道(I)，喷淋口( 2 )上增设上电极(3 )，在石墨盘(6 )侧边或底边增设下电极(7 )，设备侧边设有冷却液进口( 4)，石墨盘(6 )上设有载片台(5 )。
[0005]所述的上电极(3)与下电极(7)构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场。
[0006]本发明的优点:
本发明所述的化合物半导体材料加工设备，具有结构合理，设计巧妙，极性程度实时进行调节，提高掺杂效率，对样品无污染，而且成品率高，尤其适用于大规模生产中等特点。
【附图说明】
[0007]下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1为本发明的原理结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]实施例1
本实施例提供了一种化合物半导体材料加工设备，其特征在于:所述的化合物半导体材料加工设备包括进气管道(I)、喷淋口(2)、上电机(3)、冷却液进口(4)、载片台(5)、石墨盘(6)、下电极(7)、支撑轴(8)；
其中:设备最上方设有进气管道(1)，喷淋口(2)上增设上电极(3)，在石墨盘(6)侧边或底边增设下电极(7 )，设备侧边设有冷却液进口( 4)，石墨盘(6 )上设有载片台(5 )。
[0009] 所述的上电极(3)与下电极(7)构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场。
【主权项】
1.一种化合物半导体材料加工设备，其特征在于:所述的化合物半导体材料加工设备包括进气管道(I)、喷淋口(2)、上电机(3)、冷却液进口(4)、载片台(5)、石墨盘(6)、下电极(7)、支撑轴(8); 其中:设备最上方设有进气管道(1)，喷淋口(2)上增设上电极(3)，在石墨盘(6)侧边或底边增设下电极(7 )，设备侧边设有冷却液进口( 4)，石墨盘(6 )上设有载片台(5 )。2.按照权利要求1所述的化合物半导体材料加工设备，其特征在于:所述的上电极(3)与下电极(7 )构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场。
【专利摘要】一种化合物半导体材料加工设备，其特征在于：所述的化合物半导体材料加工设备包括进气管道、喷淋口、上电机、冷却液进口、载片台、石墨盘、下电极、支撑轴；其中：设备最上方设有进气管道，喷淋口上增设上电极，在石墨盘侧边或底边增设下电极，上电极与下电极构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场，设备侧边设有冷却液进口，石墨盘上设有载片台。本发明的优点：本发明所述的化合物半导体材料加工设备，具有结构合理，设计巧妙，极性程度实时进行调节，提高掺杂效率，对样品无污染，而且成品率高，尤其适用于大规模生产中等特点。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/02
【公开号】CN105590833
【申请号】CN201410564866
【发明人】朱彤
【申请人】朱彤
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月22日