一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺。
【背景技术】
[0002]近年来，由于能源危机及环境严重污染，寻找新的洁净的替代能源成为世界各国的发展方向，而太阳能领域经过几年的发展，成为新能源领域中应用比较广泛的洁净能源，其中，尤其以太阳能电池的应用最为广泛与成熟。在高效晶体硅太阳电池的制备过程中，合理的晶体硅钝化过程有助于提高电池板的转化效率，使用效率更好，而传统的钝化工艺具有转化效率低等缺点。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，所述钝化处理工艺步骤如下:
第一步:制绒，对晶体硅采用化学溶液进行腐蚀，去除晶体硅表面的杂质损伤层，且形成陷光绒面结构；
第二步:扩散，对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理，扩散后方块电阻为70?90 Ω ；
第三部:刻边，刻蚀晶体硅片的边结；
第四步:初次钝化，将刻蚀后的晶体硅片内置于密封80-120° C高温环境下，通入氧气进行氧化处理，使晶体硅片表面形成氧化层；
第五步:二次钝化，采用磁控溅技术，以Al作为靶材，NH4作为反应气源，惰性气体作为等离子体增强气，在初次钝化的晶体硅片表面沉积AlN薄膜作为钝化层；
第六步:热处理，将二次钝化后的晶体硅片内置于120-150° C高温密封环境下加热3-5分钟。
优选的，所述化学溶液为氢氧化钠溶液。
优选的，所述氢氧化钠溶液的浓度为35-45g/L。
优选的，所述氧化层的厚度为l_2nm。
优选的，所述钝化层的厚度为2_3nm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明采用二氧化硅氧化层和氮化铝钝化层的结构，提高太阳能电池板的转化率，提高使用率，且氧化层和钝化层相结合的结构避免了出现单一性缺点，提高太阳能电池板的使用寿命。
【具体实施方式】
[0004]下面将结合本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，所述钝化处理工艺步骤如下:
第一步:制绒，对晶体硅采用化学溶液进行腐蚀，所述化学溶液为氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为35-45g/L，去除晶体硅表面的杂质损伤层，且形成陷光绒面结构；
第二步:扩散，对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理，扩散后方块电阻为80 Ω ;
第三部:刻边，刻蚀晶体硅片的边结；
第四步:初次钝化，初次钝化的优选环境温度为100°C，将刻蚀后的晶体硅片内置于密封90° C高温环境下，通入氧气进行氧化处理，使晶体硅片表面形成氧化层，所述氧化层的厚度为1.6nm;
第五步:二次钝化，采用磁控溅技术，以Al作为靶材，NH4作为反应气源，惰性气体作为等离子体增强气，在初次钝化的晶体硅片表面沉积AlN薄膜作为钝化层，所述钝化层的厚度为2.2nm;
第六步:热处理，将二次钝化后的晶体硅片内置于130° C高温密封环境下加热4分钟。
实施例二
一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，所述钝化处理工艺步骤如下:
第一步:制绒，对晶体硅采用化学溶液进行腐蚀，所述化学溶液为氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为40g/L，去除晶体硅表面的杂质损伤层，且形成陷光绒面结构；
第二步:扩散，对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理，扩散后方块电阻为85 Ω ;
第三部:刻边，刻蚀晶体硅片的边结；
第四步:初次钝化，初次钝化的优选环境温度为100°C，将刻蚀后的晶体硅片内置于密封100° C高温环境下，通入氧气进行氧化处理，使晶体硅片表面形成氧化层，所述氧化层的厚度为1.5nm;
第五步:二次钝化，采用磁控溅技术，以Al作为靶材，NH4作为反应气源，惰性气体作为等离子体增强气，在初次钝化的晶体硅片表面沉积AlN薄膜作为钝化层，所述钝化层的厚度为2.5nm；
第六步:热处理，将二次钝化后的晶体硅片内置于135° C高温密封环境下加热4.5分钟。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
【主权项】
1.一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于:所述钝化处理工艺步骤如下: 第一步:制绒，对晶体硅采用化学溶液进行腐蚀，去除晶体硅表面的杂质损伤层，且形成陷光绒面结构； 第二步:扩散，对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理，扩散后方块电阻为70?90 Ω ； 第三部:刻边，刻蚀晶体硅片的边结； 第四步:初次钝化，将刻蚀后的晶体硅片内置于密封80-120° C高温环境下，通入氧气进行氧化处理，使晶体硅片表面形成氧化层； 第五步:二次钝化，采用磁控溅技术，以Al作为靶材，NH4作为反应气源，惰性气体作为等离子体增强气，在初次钝化的晶体硅片表面沉积AlN薄膜作为钝化层； 第六步:热处理，将二次钝化后的晶体硅片内置于120-150° C高温密封环境下加热3-5分钟。2.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于:所述化学溶液为氢氧化钠溶液。3.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于:所述氢氧化钠溶液的浓度为35-45g/L。4.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于:所述氧化层的厚度为l_2nm05.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于:所述钝化层的厚度为2_3nm0
【专利摘要】本发明公开了一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，所述钝化处理工艺步骤如下：制绒、扩散、刻边、初次钝化、二次钝化和热处理，本发明采用二氧化硅氧化层和氮化铝钝化层的结构，提高太阳能电池板的转化率，提高使用率，且氧化层和钝化层相结合的结构避免了出现单一性缺点，提高太阳能电池板的使用寿命。
【IPC分类】H01L31/0216, H01L31/18
【公开号】CN105633213
【申请号】CN201610090854
【发明人】杨波, 黄亚萍, 颜培培, 杨道祥
【申请人】安徽旭能光伏电力有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年2月19日