一种高亮度led水平结构电极制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种材料的制备方法，具体涉及一种高亮度LED水平结构电极制造方法。
【背景技术】
[0002]为了提高GaN基发光二极管的输出功率，必须改善LED光提取效率和内部量子效率。Aligner曝光3um级线宽,掩模和衬底间隙需要控制在1um级别,掩模和衬底接触可能性很高，造成合格率很低，但投影光刻机可通过逐场调平曝光解决翘曲问题，因此，业界逐步采用步进投影光刻机生产PSS，具有线宽均匀性好、良率高等一系列优势，此外，在LED的电极关键层，如P / N PAD Finger曝光中，业界也正逐步采用投影光刻机替换Aligner以缩小电极的线宽，并提高生产能力。然而，截止到目前，全球尚无可以实现2umX Ium规格的专门用于制备图形化蓝宝石衬底的新款步进光刻机面市，从而导致高亮度LED生产商长期以来只能依赖IC前道的二手设备来制备2umX Ium规格的PSS或者采用性能比较低端的光刻设备来制备3umX 2um规格的PSS。
【发明内容】
[0003]本发明旨在提出一种简单实用的高亮度LED水平结构电极制造方法。
[0004]本发明的技术方案在于:
一种高亮度LED水平结构电极制造方法，由4层光刻工艺组成，分别为ITO层、MESA层、PAD层以及S12层，分别采用如下步骤:
步骤1:制作ITO层时，直接曝光9个T标记；
步骤2:制作MESA层时，采用2个T标记进行对准，然后曝光，曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏；
步骤3:在制作PAD层时，利用9个T标记中的若干标记进行对准，然后曝光，同样曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏；
步骤4:曝光后，ITO层原T标记仍旧存在，S12层直接采用T标记进行对准，并曝光。
[0005]优选地，所述采用2个T标记进行对准时，再通过对任意大小的LED电极图形进行精匹配，对视场内的重复图形进行匹配和精确定位。
[0006]或者优选地，所述曝光时，在ITO层、MESA层和S12层采用Aligner进行曝光，在PAD层采用Stepper曝光。
[0007]本发明的技术效果在于:
本发明提供的方法简单实用、由提供的方法制得的高亮度LED水平结构电极不易损坏且LED适用范围广，亮度强，本发明操作简单，易于推广，适合大范围使用。
【具体实施方式】
[0008]一种高亮度LED水平结构电极制造方法，由4层光刻工艺组成，分别为ITO层、MESA层、PAD层以及S12层，分别采用如下步骤:
步骤1:制作ITO层时，直接曝光9个T标记；
步骤2:制作MESA层时，采用2个T标记进行对准，然后曝光，曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏；
步骤3:在制作PAD层时，利用9个T标记中的若干标记进行对准，然后曝光，同样曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏；
步骤4:曝光后，ITO层原T标记仍旧存在，S12层直接采用T标记进行对准，并曝光。
[0009]其中，所述采用2个T标记进行对准时，再通过对任意大小的LED电极图形进行精匹配，对视场内的重复图形进行匹配和精确定位。
[0010]所述曝光时，在ITO层、MESA层和S12层采用Aligner进行曝光，在PAD层采用Stepper 曝光。
【主权项】
1.一种高亮度LED水平结构电极制造方法，其特征在于:由4层光刻工艺组成，分别为ITO层、MESA层、PAD层以及S12层，分别采用如下步骤: 步骤1:制作ITO层时，直接曝光9个T标记； 步骤2:制作MESA层时，采用2个T标记进行对准，然后曝光，曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏； 步骤3:在制作PAD层时，利用9个T标记中的若干标记进行对准，然后曝光，同样曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来，保证标记不被破坏； 步骤4:曝光后，ITO层原T标记仍旧存在，S12层直接采用T标记进行对准，并曝光。2.如权利要求1一种高亮度LED水平结构电极制造方法，其特征在于:所述采用2个T标记进行对准时，再通过对任意大小的LED电极图形进行精匹配，对视场内的重复图形进行匹配和精确定位。3.如权利要求1一种高亮度LED水平结构电极制造方法，其特征在于:所述曝光时，在ITO层、MESA层和S12层采用Aligner进行曝光，在PAD层采用St印per曝光。
【专利摘要】本发明涉及一种材料的制备方法，具体涉及一种高亮度LED水平结构电极制造方法。一种高亮度LED水平结构电极制造方法，由4层光刻工艺组成，分别为ITO层、MESA层、PAD层以及SiO2层，分别采用如下步骤：ITO层时，直接曝光9个T标记；MESA层时，采用2个T标记进行对准，然后曝光，曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来；PAD层时，利用9个T标记中的若干标记进行对准，然后曝光，同样曝光时不再曝光任何标记，并将9个T标记对应的区域空出来；ITO层原T标记仍旧存在，SiO2层直接采用T标记进行对准，并曝光。本发明提供的方法简单实用、操作简单，易于推广，适合大范围使用。
【IPC分类】H01L33/36, H01L33/00
【公开号】CN105633221
【申请号】CN201410600065
【发明人】王耀斌
【申请人】陕西盛迈石油有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月31日