一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺，包括以下步骤：浸渍、一级腐蚀、一次水洗、通过气泡发生器通入纳米气泡、二级腐蚀、二次水洗、化洗、二次水洗、烘干。本发明具有利用纳米气泡产生时带负点的原理，有效抑制自腐蚀和表面腐蚀，阳极腐蚀箔减薄率下降，静电容量明显提高，通过对相应扫描电镜照片和金相照片分析，表面状态分布均匀，各孔洞独立存在的优点。
【专利说明】
-种中高压错电解电容器用电极菊的扩孔工艺
技术领域
[0001] 本发明设及电容器用电极锥的制造工艺，特别是一种中高压侣电解电容器用电极 锥的扩孔工艺。
【背景技术】
[0002] 目前，中高压侣电解电容器用电极锥的制造方法，是通过浸溃，然后进行腐蚀，再 冲洗，最后进行烘干。运种电极锥制造方法，减薄率高，静电容量一般，横向偏差大，目前常 用的腐蚀工艺得到孔桐尺寸在700-950nm，孔密度达10 9-l〇iVcm2,并孔很多，孔深度差异较 大，已经无法满足市场需求。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的是为了克服W上的不足，提供一种减薄率低，静电容量11点横向偏 差小的中高压侣电解电容器用电极锥的扩孔工艺。
[0004] 本发明的目的通过W下技术方案来实现:一种中高压侣电解电容器用电极锥的扩 孔工艺，包括W下步骤： A、 浸溃:取纯度为99.99%的侣锥，在45-65 °C的一级槽液中浸溃50-70秒； B、 一级腐蚀:取出后置于34%-36%的硫酸和8.5%-9.5%盐酸的水溶液中，在70°C-78°C、 电流密度为0.50A/(cm) 2的条件下，一级腐蚀85-95秒； C、 一次水洗:取出后经过自来水水洗； D、 通纳米气泡:取出后在7.8%-8.2%硝酸和0.15%憐酸的水溶液，通过气泡发生器通入 纳米气泡； E、 二级腐蚀:在60°C-75°C、电流密度为0.09 AAcm) 2的条件下，二级腐蚀600-800秒； F、 二次水洗:取出后经过自来水水洗' G、 化洗:在5wt%的硝酸溶液中，在4rC-43°C-的条件下，化洗110-130秒； H、 二次水洗:取出后经过纯水水洗； I、 烘干:在290-310°C的条件下进行烘干； 本发明的进一步改进在于:所述纳米气泡为直径数十纳米(nm)到20微米(皿)。
[0005] 本发明的进一步改进在于:所述纳米气泡带有负电。
[0006] 本发明与现有技术相比具有W下优点：利用纳米气泡产生时带负点的原理，有效 抑制自腐蚀和表面腐蚀，阳极腐蚀锥减薄率下降，静电容量明显提高，通过对相应扫描电 镜照片和金相照片分析，表面状态分布均匀，孔桐尺寸在680-850皿，孔密度在IO 8-IOVcm2, 各孔桐独立存在。
[0007]
【具体实施方式】： 下面结合具体实施例对本发明作进一步的阐述，但本发明并不限于W下实施例。所述 方法无特别说明的均为常规方法。
[000引实施例1，一种中高压侣电解电容器用电极锥的扩孔技术:取纯度为99.99%的侣 锥，在45°C的一级槽液中浸溃50秒，取出后置于34%的硫酸和8.5%盐酸的水溶液中，在70°C、 电流密度为0.50A/(cm) 2的条件下，一级腐蚀85秒;取出后经过自来水水洗;取出后在7.8% 硝酸和0.15%憐酸的水溶液，通过气泡发生器通入直径在50-700nm的纳米气泡，在60°C、电 流密度为0.09 AAcm) 2的条件下，二级腐蚀600秒;取出后经过自来水水洗，在5wt%的硝酸 溶液中，在4rC的条件下，化洗110秒;取出后经过纯水水洗后，在290°C的条件下，烘干。
[0009] 实施例2,一种中高压侣电解电容器用电极锥的扩孔技术:取纯度为99.99%的侣 锥，在50°C的一级槽液中浸溃60秒，取出后置于35%的硫酸和9%盐酸的水溶液中，在74°C、电 流密度为0.50A/( cm) 2的条件下，一级腐蚀90秒;取出后经过自来水水洗;取出后在8%硝酸 和0.15%憐酸的水溶液，通过气泡发生器通入直径在SOO-1000 nm的纳米气泡，在65°C、电流 密度为0.09 AAcm) 2的条件下，二级腐蚀800秒;取出后经过自来水水洗，在5wt%的硝酸溶 液中，在42°C的条件下，化洗120秒;取出后经过纯水水洗后，在300°C的条件下，烘干。
[0010] 实施例3,一种中高压侣电解电容器用电极锥的扩孔技术:取纯度为99.99%的侣 锥，在65 °C的一级槽液中浸溃70秒，取出后置于36%的硫酸和9%盐酸的水溶液中，在78 °C、电 流密度为0.50A/(cm) 2的条件下，一级腐蚀95秒;取出后经过自来水水洗;取出后在8.2%硝 酸和0.15%憐酸的水溶液，通过气泡发生器通入直径在SOO-1000 nm的纳米气泡，在75 °C、电 流密度为0.12 AAcm) 2的条件下，二级腐蚀800秒;取出后经过自来水水洗，在5wt%的硝酸 溶液中，在43°C的条件下，化洗130秒;取出后经过纯水水洗后，在310°C的条件下，烘干。
[0011] 实施例4,一种中高压侣电解电容器用电极锥的扩孔技术:取纯度为99.99%的侣 锥，在50°C的一级槽液中浸溃60秒，取出后置于35%的硫酸和9%盐酸的水溶液中，在74°C、电 流密度为0.50A/( cm) 2的条件下，一级腐蚀90秒;取出后经过自来水水洗;取出后在8%硝酸 和0.15%憐酸的水溶液，通过气泡发生器通入直径在1-20WI1的纳米气泡，在65°C、电流密度 为0.09 AAcm) 2的条件下，二级腐蚀800秒;取出后经过自来水水洗，在5wt%的硝酸溶液中， 在42°C的条件下，化洗120秒;取出后经过纯水水洗后，在300°C的条件下，烘干。
[0012] 分别对方法实施例1-4新的扩孔技术进行了测试，测试项目包括腐蚀锥减薄厚度 (原始光锥厚度-腐蚀锥厚度）、静电容量。测试结果列于表1中。
[0013] 表1
本发明利用纳米气泡产生时带负点的原理，有效抑制自腐蚀和表面腐蚀，阳极腐蚀锥 减薄率下降，静电容量明显提高，通过对相应扫描电镜照片和金相照片分析，表面状态分 布均匀，孔桐尺寸在680-850nm，孔密度在109-1010/cm2,各孔桐独立存在。
[0014]
【申请人】又一声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的实现方法及装置结构， 但本发明并不局限于上述实施方式，即不意味着本发明必须依赖上述方法及结构才能实 施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用实现方法等 效替换及步骤的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开的范围之内。
[0015] 本发明并不限于上述实施方式，凡采用和本发明相似结构及其方法来实现本发明 目的的所有方式，均在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种中高压铝电解电容器用电极箱的扩孔工艺，其特征在于:包括以下步骤： 浸渍:取纯度为99.99%的铝箱，在45-55 °C的一级槽液中浸渍50-70秒； 一级腐蚀:取出后置于34%-36%的硫酸和8.5%-9.5%盐酸的水溶液中，在70°C_78°C、电 流密度为0.50A/(cm)2的条件下，一级腐蚀85-95秒； 一次水洗:取出后经过自来水水洗； 通纳米气泡:取出后在7.8%-8.2%硝酸和0.15%磷酸的水溶液，通过气泡发生器通入纳 米气泡； 二级腐蚀:在60°C-75°C、电流密度为0.09 AAcm) 2的条件下，二级腐蚀600-800秒； 二次水洗:取出后经过自来水水洗； 化洗:在5wt%的硝酸溶液中，在4Γ043°C-的条件下，化洗110-130秒； 二次水洗:取出后经过纯水水洗； 烘干:在290-310 °C的条件下进行烘干。2. 根据权利要求1所述的一种中高压铝电解电容器用电极箱的扩孔工艺，其特征在于： 所述纳米气泡为直径数十纳米到20微米。3. 根据根据权利要求1或2所述的一种中高压铝电解电容器用电极箱的扩孔工艺，其特 征在于:所述纳米气泡带有负电。
【文档编号】H01G9/045GK105826079SQ201610373155
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年5月31日
【发明人】严季新, 陈健, 王建中, 陈小峰
【申请人】南通海星电子股份有限公司, 南通海电子有限公司, 南通海一电子有限公司