电子设备的制造方法

电子设备的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种电子设备，包括：可伸展/可收缩的基底和形成在基底上的配线，配线被分为具有沿前进方向延伸的形状的第一区和其中前进方向弯曲的第二区。配线包括第一导电层和第二导电层，第二导电层由使第二导电层比第一导电层更容易弯曲的材料形成。第一导电层形成在第一区中，并且第二导电层形成在第二区中。
【专利说明】电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求保护于2015年I月28日提交的韩国专利申请第10-2015-0013215号的优先权和权益，如在本文中完全阐述一样，出于所有目的通过引用将其结合于此。
技术领域
[0003]示例性实施方式涉及电子设备，并且更具体地涉及可伸展电子设备。
【背景技术】
[0004]电子设备当前用于各种领域，并且正在经历逐渐拓宽范围的它们的各种应用。最近，对于可伸展和柔性电子设备的需求正在逐渐增加。这类电子设备的典型实例包括柔性显示器、可佩带显示器、智能布、生物传感器等。
[0005]为了使电子设备可伸展，电子设备的基底部件需要是可伸展的，并且形成在基底部件上的配线或电极需要根据基底部件的可伸展特性维持其电特性。
[0006]诸如金属的材料具有用作配线或电极的优异的导电性。然而，因为缺乏柔韧性，所以这类材料不容易伸展。作为可替换的材料，考虑碳纳米管、导电聚合物等等，但是这类可替换的材料不可容易地提供足够的导电性。
[0007]此外，也考虑用于通过改变配线的结构上的构造而使电子设备能够具有可伸展特性的方法。然而，在通过重复的伸展积累应力的情况下可能在电子设备中产生裂缝等。
[0008]在该【背景技术】部分中所公开的上述信息仅为增强对本发明构思的【背景技术】的理解，并且因此，上述信息可以包含并不形成为该国本领域普通技术人员已经已知的现有技术的信息。

【发明内容】

[0009]示例性实施方式提供了包括可伸展配线的电子设备。
[0010]将在随后的详细描述中阐明其他方面，并且其他方面将部分从本公开内容显而易见，或者可以通过本发明构思的实践而获知。
[0011]本发明的示例性实施方式公开了一种电子设备，包括:可伸展/可收缩的基底和形成在基底上的配线，配线被分为具有沿前进方向延伸的形状的第一区和其中前进方向弯曲的第二区。配线包括第一导电层和由使第二导电层比第一导电层更容易弯曲的材料而形成的第二导电层。第一导电层形成在第一区中，并且第二导电层形成在第二区中。
[0012]本发明的示例性实施方式也公开了一种电子设备，包括:可伸展/可收缩的基底和形成在基底上的配线，配线包括第一导电图案和由使第二导电图案比第一导电图案更容易弯曲的材料而形成的第二导电图案。第一导电图案被分为具有沿前进方向延伸的形状的第一区和其中前进方向弯曲的第二区。第二导电图案被形成为延伸通过第一导电图案的第二区的线。
[0013]本发明的示例性实施方式也公开了一种电子设备，包括:可伸展/可收缩的基底；第一导电层，形成在基底上，第一导电层在其中具有沿第一方向可延伸的第一切除开口图案和沿第二方向可延伸的第二切除开口图案；以及第二导电层，形成在第一切除开口图案和第二切除开口图案中并且电连接至第一导电层。第二导电层由使第二导电层比第一导电层更容易弯曲的材料而形成。
[0014]应当理解，上述一般性描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
【附图说明】
[0015]所包括的从而提供本发明构思进一步理解的附图结合在本说明书中并且构成本说明书的一部分，示出了本发明构思的示例性实施方式，并与描述一起用来解释本发明构思的原理。
[0016]图1是根据示例性实施方式的电子设备的平面图。
[0017]图2是沿着图1的线ΙΙ-ΙΓ截取的截面图。
[0018]图3和图4示出了图1的电子设备的伸展的形状的平面图。
[0019]图5是根据另一示例性实施方式的电子设备的截面图。
[0020]图6是根据另一示例性实施方式的电子设备的截面图。
[0021]图7是根据另一示例性实施方式的电子设备的截面图。
[0022]图8是根据另一示例性实施方式的电子设备的平面图。
[0023]图9是沿着图8的线IX-1X’截取的截面图。
[0024]图10是根据另一示例性实施方式的电子设备的平面图。
[0025]图11是沿着图10的线ΧΙ-ΧΓ截取的截面图。
[0026]图12是根据另一示例性实施方式的电子设备的平面图。
[0027]图13是沿着图12的线ΧΙΙΙ-ΧΙΙΓ截取的截面图。
[0028]图14是根据另一示例性实施方式的电子设备的平面图。
[0029]图15是沿着图14的线XV-XV’截取的截面图。
[0030]图16是根据另一示例性实施方式的电子设备的平面图。
[0031]图17是沿着图16的线XVI1-XVir截取的截面图。
【具体实施方式】
[0032]在以下描述中，为了说明的目的，阐述了许多具体细节以便提供对各种示例性实施方式的彻底理解。然而，显而易见的是各种示例性实施方式可以在没有这些具体细节的情况下或用一种或多种等价布置实施。在其他情况下，为了避免不必要地模糊各种示例性实施方式，将众所周知的结构和设备以框图形式示出。
[0033]在附图中，为了清晰和描述的目的，可以放大层、膜、面板、区等的尺寸和相对尺寸。同样，类似参考标号表示类似元件。
[0034]当提及一个元件或层为在另一个元件或层“之上”、“连接至”或“耦接至”另一个元件或层时，其可以直接地位于另一个元件或层之上、直接连接至或耦接至另一个元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当提及一个元件或层为“直接在(另一个元件或层)之上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。为了本公开内容的目的，“x、Y和Z中的至少一个”以及“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以解释为仅X，仅Y，仅Ζ，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如XYZ、XYY、YZ和ΖΖ。类似标号表示遍及全文的类似元件。在本文中使用的术语“和/或”包括一个或多个所列出的相关条目的任何和所有组合。
[0035]尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当局限于这些术语。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层、和/或部分与另一个元件、部件、区域、层、和/或部分区分开。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、部件、区域、层、和/或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层、和/或部分。
[0036]出于描述的目的，在本文中可以使用空间关系术语，例如“在…下方”、“在…下面”、“下部的”、“在…上面”、“上部的”等，从而，描述如在附图中示出的一个元件或特征相对于另外的元件或特征的关系。除了在附图中示出的定向之外，空间关系术语旨在涵盖装置在使用、操作、和/或制造时的不同定向。例如，如果附图中的装置是倒置的，则被描述为在其他元件或特征“下面”、或“下方”的元件就可被定向在其他元件或特征“上面”。因此，示例性术语“在…下方”可包括在…上方和在…下方两种定向。此外，也可以以其他方式定向该装置(例如，旋转90度或在其他的定向)，并且因此可以是由此说明的本文中所使用的空间关系描述符。
[0037]本文中使用的术语出于描述特定的实施方式的目的而并非旨在限制。如在本文中使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清晰地指示出了其他方式。此外，当术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“含”用在本说明书中时，其说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
[0038]本文参考作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图的截面图解来对各种示例性实施方式进行描述。因而，可预期例如作为制造技术和/或容差结果的相对示意图的形状的变化。因此，本文所公开的示例性实施方式不应当被解释为限于具体示出的区域形状，而是包括因诸如制造工艺等产生的形状偏差。例如，被示出为矩形的注入区域将通常具有圆形或者曲线特征、和/或在其边缘有注入浓度(implant concentrat1n)的梯度而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区域(buriedreg1n)可导致在掩埋区域与从中进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，并且这些区域的形状并不旨在示出设备的区域的实际形状，且不旨在对本发明进行限制。
[0039]除非另外定义，否则在文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与该公开内容为一部分的技术领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与相关领域背景中的其含义一致的含义，而不解释为理想的或过于刻板的意义，除非本文中清楚地这样限定。
[0040]下文中，将参考附图详细描述示例性实施方式。
[0041]图1是根据本发明的示例性实施方式的电子设备的平面图。图2是沿着图1的线I1-1I'截取的截面图。图3和图4示出了图1的电子设备的伸展的形状的平面图。
[0042]参考图1和图2，根据本发明的不例性实施方式的电子设备10包括基底100和设置在基底100上的至少一个配线200。
[0043]基底100可由可伸展/可收缩的材料形成。在这种情况下，形成为“可伸展/可收缩的”基底100意指基底100可沿特定方向延长或收缩。当在伸展或收缩之后移除外力时，形成基底100的材料可具有恢复其原始形状的特性。基底100可由具有尚弹性力和尚回复力的材料形成。
[0044]此外，形成基底100的材料可具有可伸展/可收缩的和弯曲的或可弯折的(bendable)特性。如果基底100具有高回复力，贝Ij当弯曲(curved)或弯折(bent)之后移除外力时，基底100可恢复其原始形状。
[0045]为了确保基底100具有这类特性，基底100可由可伸展/可收缩的聚合树脂形成。可伸展/可收缩的聚合树脂的实例可包括聚丁二烯、聚(苯乙烯-丁二烯)、聚(苯乙烯-丁二烯-苯乙烯)、聚(苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯)、聚胺脂、聚异戊二烯或其组合，然而，本发明不限于此。
[0046]至少一个配线200形成在基底100上。配线200可使电流能够流动或使电信号能够被发送。配线200可整体或部分地用作电极。
[0047]配线200可直接形成在基底100上或可利用设置在其间的中间结构形成在基底100上。在示例性实施方式中，配线200可与直接布置在配线200之下的较低的结构(例如，基底100或其他中间结构)极近距离接触地布置。在这种情况下，以极近距离地接触较低的结构而安排的配线200意指配线200附着于较低的结构而不是从较低的结构突出。在这种情况下，没有空气层形成在配线200和直接布置在配线200之下的较低的结构之间。然而，本发明并不限于此。
[0048]直接布置在配线200之下的结构可由具有比配线200的电阻更大的电阻的材料形成，例如，绝缘材料。在配线200直接形成在基底100上的情况下，基底100可由绝缘材料形成。然而，在绝缘层插入配线200和基底100之间的情况下，基底100可由绝缘材料或导电材料或半导电材料形成。在这种情况下，插入在配线200和基底100之间的绝缘层可由可伸展/可收缩的材料、或可至少响应于基底100的伸展/收缩而伸展/收缩的材料形成，或绝缘层可被形成为具有可至少响应于基底100的伸展/收缩而伸展/收缩的厚度或形状。
[0049]当在基底100伸展之前在平面图中观察时，配线200可具有弯曲的或弯折的形状。配线200可被分为第一区Pl和第二区P2。配线200的第一区Pl可以是具有大致沿前进方向延伸的形状的延伸部。配线200的第二区P2可以是配线200的前进方向在该处弯曲的弯曲部、或配线200的前进方向在该处弯折的弯折部。
[0050]在示例性实施方式中，第二区P2的弯曲部可以规则重复的周期安排。例如，配线200可具有正弦曲线形状。配线200可以恒定振幅和规则周期以振荡方式前进。配线200可具有Z字形总体外观。虽然第二区P2的弯曲部被描述为图中的曲线，但是弯曲部可具有其中直线比弯曲形状更急剧地弯折的弯折形状。
[0051]如图3所示，当基底100沿与X轴平行的双边方向伸展时，布置在基底100上的弯曲的配线200沿基底100的伸展方向伸展。当基底100伸展时，在配线200的一端和另一端之间的距离延长，配线200的振幅降低，配线200的振幅是配线200沿Y轴方向的宽度，并且重复配线200的弯曲部的周期延长。如图4所示，基底100可伸展直至配线200完全伸展为直线。在伸展图1、图3和图4中示出的基底100的过程中，虽然配线200的长度本身未被延长，但是当配线200的弯曲部分伸展时，基底100的宽度可增加并且配线200沿X轴方向的宽度也可增加。
[0052]当多个配线200被布置在基底100上时，彼此不同的配线200可具有不同的振幅和/或周期。然而，甚至在这种情况下，可设计电子设备，使得当伸展基底100时要伸展的配线200的最大宽度是相同的。
[0053]当基底100沿与X轴平行的方向收缩时，或当通过基底100的恢复力移除用于伸展基底100的力时，从而将基底100恢复其原始状态，在配线200的一端和另一端之间的距离减小，配线200的振幅增加，并且重复配线200的弯曲部的周期缩短。
[0054]配线200可能在伸展和弯折的上述处理期间承受应力，并且配线200的弯曲部可能承受更多应力。当配线200暴露于应力时，配线200可能部分地损坏或断开，因此显著地增加电阻。为了减轻这类现象，配线200的弯曲部具有与其他部分的构造不同的构造。在下文中，将参考图1和图2更详细地说明配线200的构造。
[0055]配线200包括第一导电层210和第二导电层220。第二导电层220可由可相对容易弯曲的导电材料形成。与第二导电层220相比，第一导电层210可由不可相对容易弯曲的导电材料形成。例如，第一导电层210可由刚性导电材料形成，并且第二导电层220可由柔性导电材料形成。第一导电层210和/或第二导电层220的中每一个可是透明的导电层或不透明的导电层。
[0056]第一导电层210可由金属或金属氧化物层形成。例如，第一导电层210可由铜、镍、钼、铬、钨、铝、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)或其合金形成。
[0057]第二导电层220可由碳纳米管(CNT)、石墨烯、金属纳米丝(例如，Ag纳米丝)、金属纳米颗粒、金属带、导电聚合物等或其混合物形成。导电聚合物的实例可包括聚(3-烷基)噻吩(P3AT)、聚(3-己基)噻吩(P3HT)、聚苯胺(PANI)、聚乙炔(PA)、聚奥(polyazulene)、聚乙稀二氧噻吩(PEDOT)、聚异硫萘(polyisothianapthalene)(PITN)、聚异硫弗(poIyisothianaphthene)、聚噻吩乙块(polythienylenevinyIene)、聚噻吩(po Iyth1phene) (PT)、聚对苯撑(po lyparaphenylene) (PPP)、聚对苯乙稀撑(polyparaphenylene vinylene)(PPV)、聚苯硫酿(polyphenylene sulfide)、聚苯撑(polyphenylene)、聚呋喃(polyfuran)、聚卩比略(polypyrrole) (PPY)、聚庚二稀(polyheptadiene) (PHT)等。
[0058]第一导电层210可形成在配线200的第一区Pl和整个第二区P2的整个区域上方从而限定配线200的实质平面轮廓。第二导电层220主要形成为与第二区P2中的第一导电层210重叠。第一导电层210和第二导电层220可彼此接触以在所重叠的区域中相互电连接。在图2中，第二导电层220被描述为形成在第一导电层210之下。S卩，第二导电层220形成在基底100上，并且第一导电层210在第二导电层220上重叠。
[0059]第二导电层220主要形成在第二区P2中，第二区P2是弯曲部。在这种情况下，第二导电层220主要形成在第二区P2中可意指第二导电层220在第二区P2中比在第一区Pl中相对形成地更多，并且其中第一导电层210和第二导电层220彼此重叠的区域按每个单位面积而言在第二区P2中比在第一区Pl中更宽。图2示出了第二导电层220具有与第二区P2中的第一导电层210的线宽相同的线宽并且与第一导电层210完全重叠的实施例。同时，第二导电层220未形成在第一区Pl中，并且因此没有重叠的区域存在。然而，本发明不限于此，并且第二导电层220可部分地形成在第一区Pl中并且与第一导电层210部分地重叠。虽然第一导电层210的部分可彼此连接成限定配线200的平面轮廓的线，但是在第二区P2中彼此隔开的第二导电层220的部分可彼此物理分开。
[0060]如上所述，当电子设备10重复伸展/收缩时，作为弯曲部的配线200的第二区P2可能相对承受更多应力。当配线200的第二区P2暴露于应力并且积累疲劳时，第一导电层210可能部分地开裂或当在配线200的第二区P2中的条件严峻时甚至断开，然而，第二导电层220与第一导电层210的这类部分重叠从而抑制电阻增加。即，即使当第一导电层210损坏或断开时，提供通路，该通路使电流能够旁通在第一导电层210之下重叠的第二导电层220。此外，因为第二导电层220由与第一导电层210的材料相比可相对容易弯曲的材料形成，所以即使当配线200暴露于应力时，第二导电层220可比第一导电层210具有更低的损坏或断开的风险，因此防止配线200的总体断开并且抑制电阻增加。
[0061]作为延伸部的配线200的第一区Pl可相对少地变形，并且因此即使当电子设备10重复地经受伸展/收缩时，第一区Pl比第二区P2承受较少应力。在第一区Pl中将第二导电层220形成为与第二区P2中的第二导电层220类似的水平是效率低的，第一区Pl具有相对较低的应力的风险。此外，如果第二导电层220在第一区Pl中形成为与第二区P2中的第二导电层220的水平类似的水平，则电子设备10的厚度由于配线200的平均厚度增加会总体增加，并且配线200总体上是厚的，配线200会妨碍电子设备10容易地弯曲。因此，第二导电层220未形成在具有较少应力的第一区Pl中或第二导电层220在第一区Pl中比在第二区P2中形成得相对更少，因此减少第一导电层210和第二导电层220彼此重叠的区域。
[0062]在下文中将描述本发明的其他示例性实施方式。
[0063]图5是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的截面图。参考图5，根据本发明另一示例性实施方式的电子设备11与参考图2描述的示例性实施方式的电子设备的不同之处在于，第二导电层220形成在基底100上的第一导电层210上而不是在第一导电层210之下。图5的示例性实施方式就配线的形状、第一导电层210和第二导电层220在平面上的布置、组成材料等而言与图2的示例性实施方式相同。然而，仅改变堆叠第一导电层210和第二导电层220的顺序。
[0064]与图2的示例性实施方式中的第二导电层类似，在图5的示例性实施方式中的第二导电层220主要形成在配线的第二区P2中。因此，即使当第一导电层210在配线的第二区P2中损坏或断开时，提供通路，该通路使电流能够旁通在第一导电层210上重叠的第二导电层220。由此可防止配线断开或电阻增加。
[0065]图6是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的截面图。
[0066]参考图6，这个示例性实施方式的电子设备12与图2的示例性实施方式的不同之处在于，第三导电层230进一步形成在第一导电层210上。应用于第三导电层230的材料可与应用于第二导电层220的上述材料相同。第三导电层230在相同的平面上与第二导电层220同轴地形成，并且与第二导电层220协同以从第一导电层210之上和第一导电层210之下包裹第一导电层210。
[0067]同样在这个示例性实施方式中，即使当第一导电层210在配线的第二区P2中损坏或断开时，提供通路，该通路使电流能够旁通在第一导电层210之下重叠的第二导电层220和/或在第一导电层210上重叠的第三导电层230。由此可防止配线断开或电阻增加。
[0068]图7是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的截面图。
[0069]参考图7，本发明另一示例性实施方式的电子设备13包括具有沟槽102的基底101。沟槽102从基底101的表面凹进。可以与第二导电层在图2中示出的平面上的布置基本上相同地布置沟槽102。沟槽102填充有第二导电层220。第二导电层220可具有但不限于布置在与基底101的平坦上表面相同的水平处的表面。第一导电层210可在第二导电层220的整个表面和基底101的平坦上表面上方形成。第一导电层210在沟槽102上与第二导电层220重叠。
[0070]同样在这个示例性实施方式中，即使当第一导电层210在配线的第二区P2中损坏或断开时，提供通路，该通路使电流能够旁通在第一导电层210上重叠的第二导电层220。由此可防止配线断开或电阻增加。
[0071 ] 虽然未在图中示出，并且与图7的示例性实施方式相反，但是第一导电层210可布置在第二导电层220之下，并且第二导电层220可布置在第一导电层210上。例如，具有与配线的平面形状相同的平面形状的沟槽可形成在基底101中，并且沟槽可填充有第一导电层210。第一导电层210可具有布置在与基底101的平坦上表面相同的水平处的上表面。第二导电层220可在配线的第二区P2中形成在第一导电层210上。
[0072]图8是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的平面图。图9是沿着图8的线IX-1X’截取的截面图。
[0073]参考图8和图9，根据这个示例性实施方式的电子设备14与图1和图2的实施方式的相同之处在于，电子设备14的配线201包括作为延伸部的第一区Pl和作为弯曲部的第二区P2。然而，根据这个示例性实施方式的电子设备14与图1和图2的示例性实施方式的不同之处在于，第一区Pl由第一导电层211形成，而第二区P2由第二导电层220形成。
[0074]详细地，第一导电层211形成在配线201的第一区Pl中，但是至少部分地形成在第二区P2中。因此，第一导电层211与插入其间的第二区P2物理地断开。S卩，在第一区Pl中彼此隔开的第一导电层211的部分可彼此物理分开。
[0075]第二导电层220形成在配线201的第二区P2中，但是至少部分地形成在第一区Pl中。因此，第二导电层220与插入其间的第一区Pl物理地断开。
[0076]第一导电层211和第二导电层220彼此电连接。为此，面向彼此的第一导电层211的一侧和第二导电层220的一侧可彼此部分重叠。第二导电层220可在基底100上设置在第一导电层211上，或相反，第一导电层211可在所重叠的部分中在基底100上设置在第二导电层220上。此外，第二导电层220可设置在第一导电层211上和在第一导电层211之下。
[0077]除了第一导电层211和第二导电层220彼此重叠的情况之外，对使第一导电层211和第二导电层220相互电连接的替换可使第一导电层211的一端和第二导电层220的一端能够彼此相邻地布置以相互接触。
[0078]电流根据配线201的上述构造通过第一导电层211和第二导电层220交替地流动。在这个示例性实施方式中，第二区P2由具有柔性特性的第二导电层220形成，第二区P2是配线201的弯曲部，并且因此，即使当电子设备14由于电子设备14的伸展/收缩暴露于应力时，电子设备14可具有损坏或断开的较低风险。此外，因为第二导电层220具有柔性特性，所以也可增加配线的最大可伸展长度。此外，第一导电层211和第二导电层220彼此重叠的区域不存在或相对小，因此降低电子设备14的平均厚度并且提供容易弯曲电子设备14的优点。
[0079]图10是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的平面图。图11是沿着图10的线ΧΙ-ΧΓ截取的截面图。
[0080]参考图10和图11，根据这个不例性实施方式的电子设备15包括具有第一导电图案212和第二导电图案221的配线202。第一导电图案212可由与图1和图2的示例性实施方式的第一导电层210的材料基本上相同的材料形成，并且第二导电图案221可由与图1和图2的示例性实施方式的第二导电层220的材料基本上相同的材料形成。
[0081]第一导电图案212包括第一区P1，第一区Pl是具有大致沿前进方向延伸的形状的延伸部；以及第二区P2，第二区P2是前进方向在该处弯曲的弯曲部。
[0082]第二导电图案221在第一导电图案212的第二区P2中与第一导电图案212重叠。在这方面，这个示例性实施方式与图1和图2的示例性实施方式相同。然而，这个示例性实施方式与图1和图2的示例性实施方式的不同之处在于，与第一导电图案212重叠的第二导电图案221的部分彼此连接而不是彼此分开。
[0083]更详细地，第二导电图案221可形成为延伸通过第一导电图案212的第二区P2的线。例如，线可具有直线形状，但不限于此。附图示出了第二导电图案221沿与X轴平行的方向延伸的实施例。在基底100上可形成经过布置在第一导电图案212 —侧的第二区P2的一个第二导电图案221以及经过布置在第一导电图案212另一侧的第二区P2的另一个第二导电图案221。
[0084]第一导电图案212的第一区Pl可沿与第二导电图案221的延伸方向X相对以预定角度倾斜的方向延伸。如果与第二导电图案221的延伸方向相对第一导电图案212的第一区Pl的延伸方向的角度被定义为交叉倾斜角，则与第一导电图案212的第二区P2的一侧相邻形成的第一导电图案212的第一区Pl的交叉倾斜角以及与第一导电图案212的第二区P2的另一侧相邻形成的第一导电图案212的第一区Pl的交叉倾斜角可具有彼此不同的符号。例如，如果第二区P2的一侧的交叉倾斜角是正倾斜角度，则第二区P2的另一侧的交叉倾斜角是负倾斜角度。一侧的交叉倾斜角的绝对值和另一侧的交叉倾斜角的绝对值可以是相同的。
[0085]第二导电图案221包括与第一导电图案212重叠的重叠部和未与第一导电图案212重叠的非重叠部。如上所述，第二导电图案221的重叠部设置在第一导电图案212的第二区P2上，并且第二导电图案221的非重叠部与相邻的重叠部相互连接。图11示出了在第一导电图案212和第二导电图案221彼此重叠的部分中第一导电图案212在基底100上形成在第二导电图案221上的实施例。然而，堆叠图案的顺序在其他示例性实施方式中可以是不同的。
[0086]在这个示例性实施方式中，因为具有柔性特性的第二导电图案221在第一导电图案212的第二区P2中与第一导电图案212重叠，所以即使当配线202由于电子设备15的伸展/收缩暴露于应力时，配线202可具有较低损坏或断开的风险。此外，这个示例性实施方式的有利之处在于，第二导电图案221具有简单的形状，并且第一导电图案212和第二导电图案221可以相对更容易的方式对齐。
[0087]图12是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的平面图。图13是沿着图12的线ΧΙΙΙ-ΧΙΙΓ截取的截面图。
[0088]参考图12和图13，根据这个示例性实施方式的电子设备16与图10和图11的示例性实施方式的电子设备的相同之处在于，配线203的第二导电图案222形成为一条线，但是根据这个示例性实施方式的电子设备16与图10和图11的示例性实施方式的电子设备的不同之处在于，一个整体的第二导电图案222被形成为与第一导电图案212的整个区域重叠。即，在这个示例性实施方式中，第二导电图案222被整体式形成而不是沿Y轴方向分到第一导电图案212的任一侧，从而覆盖形成第一导电图案212的大部分区域。S卩，形成第二导电图案222以与第一导电图案212的第一区Pl以及第二区P2重叠，并且也填充第一区Pl之间的空间。
[0089]在这个示例性实施方式中，因为具有柔性特性的第二导电图案222在第一导电图案212的第二区P2和第一区Pl中与第一导电图案212重叠，所以即使当配线203由于电子设备16的伸展/收缩暴露于应力时，配线203可具有较低损坏或断开的风险。此外，这个示例性实施方式的有利之处在于，第二导电图案222具有简单的形状，并且第一导电图案212和第二导电图案222可以相对容易的方式对齐。
[0090]图14是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的平面图。图15是沿着图14的线XV-XV’截取的截面图。
[0091]参考图14和图15，根据本发明另一不例性实施方式的电子设备17包括配线204，与根据图1和图2的示例性实施方式的电子设备类似，配线204被分为作为延伸部的第一区Pl和作为弯曲部的第二区P2。配线204包括第一导电层213和第二导电层223。
[0092]第一导电层213形成在配线204的整个第一区Pl和整个第二区P2上方。第一导电层213包括切除凹槽图案213c，形成在配线204的第二区P2中。切除凹槽图案213c可具有从第二区P2的弯曲部的下表面向内切除的形状。与附图中示出的实施例不同，切除凹槽图案213c可具有从弯曲部的上表面向内切除的形状、或从弯曲部的上表面和下表面两者切除的形状。多个切除凹槽图案213c可在单个第二区P2中彼此平行地形成。切除部可具有随着其向内靠近而逐渐变细的三角形或梯形，但不限于此。
[0093]第二导电层223在配线204的第二区P2中被形成为与第一导电层213重叠。虽然第二导电层223在图15中的基底100上被描述为布置在第一导电层213之下并且与第一导电层213重叠，但是第二导电层223可布置在第一导电层213上或布置在第一导电层213上和之下。
[0094]第二导电层223可被布置为覆盖第一导电层213的切除凹槽图案213c。第二导电层223也可在切除凹槽图案213c的切除和开口部中形成。
[0095]在这个示例性实施方式中，第一导电层213的切除凹槽图案213c可形成在作为伸展/收缩期间弯折或未弯折的配线204的部分中，因此降低在配线204的伸展/收缩期间施加于第一导电层213的积累应力的量。此外，即使当第一导电层213在切除凹槽图案213c的附近损坏或断开时，因为第二导电层223与相关的部分重叠，所以可设置电流旁路通路。
[0096]图16是根据本发明另一示例性实施方式的电子设备的平面图。图17是沿着图16的线XVI1-XVir截取的截面图。
[0097]图16和图17的示例性实施方式示出了电子设备18的配线205关于二维伸展/收缩可保持其稳定的电阻的结构。
[0098]参考图16和图17，电子设备18的配线205包括第一导电层214和第二导电层224。第一导电层214定义配线205的总体外观。第一导电层214在其中具有多个切除开口图案214_hl和214_h2。切除开口图案214_hl和214_h2被成形为由第一导电层214包裹的封闭曲线。封闭曲线可沿特定的方向延伸。例如，封闭曲线可成形为线段、具有延长的宽度的长方形或椭圆。切除开口图案可基于延伸方向分为第一切除开口图案214_hl和第二切除开口图案214_h2。
[0099]第一切除开口图案214_hl被成形为大致沿第一方向延伸(图中的X轴方向)。第二切除开口图案214_h2被成形为大致沿第二方向延伸(图中的Y轴方向)。第一方向和第二方向可彼此垂直，但是本发明不限于此。
[0100]多个第一切除开口图案214_hl可布置在沿第一方向延伸的第一延伸线DLl上。可以以恒定间隔布置在第一延伸线DLl上的第一切除开口图案214_hl，但不限于此。多个第一切除开口图案214_hl设置在其上的第一延伸线DLl可在数量上是多个。在这种情况下，第一延伸线DLl可以是彼此平行的。
[0101]多个第二切除开口图案214_h2可布置在沿第二方向延伸的第二延伸线DL2上。可以以恒定间隔布置在第二延伸线DL2上的第二切除开口图案214_h2，但不限于此。多个第二切除开口图案214_h2设置在其上的第二延伸线DL2可在数量上是多个。在这种情况下，第二延伸线DL2可以是彼此平行的。
[0102]在第一延伸线DLl上可通过两个相邻的第一切除开口图案214_hl之间的间隙安排第二切除开口图案214_h2。类似地，在第二延伸线DL2上可通过两个相邻的第二切除开口图案214_h2之间的间隙安排第一切除开口图案214_hl。
[0103]当电子设备18沿与第一方向垂直的方向(图中的Y轴方向)伸展时，第一切除开口图案214_hl的宽度伸展，从而因此使第一导电层214能够相应伸展。当电子设备18沿与第二方向垂直的方向(图中的X轴方向)伸展时，第二切除开口图案214_h2的宽度伸展，从而因此使第一导电层214能够相应伸展。
[0104]第二导电层224布置在形成第一切除开口图案214_hl和第二切除开口图案214_h2的区域中，并且电连接至第一导电层214。第二导电层224可在基底100上布置在第一导电层214上和/或之下。当电子设备18沿与第一方向或第二方向垂直的方向伸展时，第二导电层224布置在形成第一切除开口图案214_hl和第二切除开口图案214_h2的区域中，从而补偿由于第一切除开口图案214_hl或第二切除开口图案214_h2的宽度方面过多增加引起的配线电阻方面的过多增加。如上所述，第二导电层224由相对具有弹性的材料制成，并且因此，第二导电层224可容易伸展并且用于减轻集中于切除开口图案214_hl和214_h2的积累应力。
[0105]第二导电层224可被形成为完全填充切除开口图案214_hl和214_h2，并且第二导电层224的一部分可在切除开口图案214_hl和214_h2的附近与第一导电层214重叠。在相邻开口图案214_hl和214_h2中形成的第二导电层224可彼此断开或彼此连接。在这种情况下，第二导电层224可具有格子形状。
[0106]根据本发明示例性实施方式的电子设备被配置为使用具有破坏或断开的相对较低风险的柔性导电材料，柔性导电材料形成在通过重复的伸展/收缩承受相对更多应力的部分中。因此，当配线经受重复的伸展/收缩时，可防止配线断开并且可抑制电阻增加。
[0107]虽然在本文中已经描述了一些示例性实施方式和实现方式，但是其他实施方式和变形从本描述中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而由所提出的权利要求书和各种显而易见的变形和等同配置的更宽的范围来限定。
【主权项】
1.一种电子设备，包括: 可伸展/可收缩的基底；以及 形成在所述基底上的配线，所述配线被分为具有沿前进方向延伸的形状的第一区和其中所述前进方向弯曲的第二区， 其中: 所述配线包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层由使所述第二导电层比所述第一导电层更容易弯曲的材料形成；并且 所述第一导电层形成在所述第一区中，并且所述第二导电层形成在所述第二区中。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一导电层还形成在所述第二区中。3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述第一导电层在所述第二区中与所述第二导电层重叠。4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述第一导电层形成在整个所述第一区和整个所述第二区上方。5.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述第一导电层和所述第二导电层彼此重叠的区域按每个单位面积而言在所述第二区中比在所述第一区中更宽。6.根据权利要求3所述的电子设备，其中，彼此隔开地形成在所述第二区的部分中的所述第二导电层的部分彼此物理分开。7.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述第一导电层包括设置在所述第二区中的切除凹槽图案。8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，彼此隔开地形成在所述第一区的部分中的所述第一导电层的部分彼此物理分开。9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述第一导电层和所述第二导电层彼此电连接。10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二区以具有规则周期的形状布置在所述基底上。11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一导电层由刚性导电材料制成，并且所述第二导电层由柔性导电材料制成。12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，所述第一导电层由金属或金属氧化物层形成，并且所述第二导电层由碳纳米管、石墨烯、金属纳米丝、金属纳米颗粒、金属带、导电聚合物或其混合物形成。13.—种电子设备，包括: 可伸展/可收缩的基底；以及 形成在所述基底上的配线，所述配线包括第一导电图案和第二导电图案，所述第二导电图案由使所述第二导电图案比所述第一导电图案更容易弯曲的材料形成， 其中: 所述第一导电图案被分为具有沿前进方向延伸的形状的第一区和其中所述前进方向弯曲的第二区；并且 所述第二导电图案被形成为延伸通过所述第一导电图案的所述第二区的线。14.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述第二导电图案在所述第一导电图案的所述第二区中与所述第一导电图案重叠。15.根据权利要求14所述的电子设备，其中，所述第二导电图案包括: 经过布置在所述第一导电图案的一侧的所述第二区的一个第二导电图案；以及 经过布置在所述第一导电图案的另一侧的所述第二区的另一个第二导电图案。16.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述第一导电图案由刚性导电材料制成，并且所述第二导电图案由柔性导电材料制成。17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述第一导电图案由金属或金属氧化物层形成，并且所述第二导电图案由碳纳米管、石墨烯、金属纳米丝、金属纳米颗粒、金属带、导电聚合物或其混合物形成。18.—种电子设备，包括: 可伸展/可收缩的基底； 第一导电层，形成在所述基底上，所述第一导电层在其中包括能沿第一方向延伸的第一切除开口图案和能沿第二方向延伸的第二切除开口图案；以及 第二导电层，形成在所述第一切除开口图案和所述第二切除开口图案中并且电连接至所述第一导电层，所述第二导电层由使所述第二导电层比所述第一导电层更容易弯曲的材料形成。19.根据权利要求18所述的电子设备，其中，所述第一导电层由刚性导电材料制成，并且所述第二导电层由柔性导电材料制成。20.根据权利要求19所述的电子设备，其中，所述第一导电层由金属或金属氧化物层形成，并且所述第二导电层由碳纳米管、石墨烯、金属纳米丝、金属纳米颗粒、金属带、导电聚合物或其混合物形成。
【文档编号】H01L23/48GK105826283SQ201510685705
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年10月20日
【发明人】崔源, 崔源一, 洪钟昊
【申请人】三星显示有限公司