场效应晶体管的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，先形成侧墙，然后进行源/漏(S/D)注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区，接着再进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，相对于传统的做法改变了工艺次序，因而形成重掺杂的漏极区和源极区、形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区这两个步骤可以共用一个光刻胶。相对于传统做法而言，本方法可以省略一次的光刻和去胶步骤，而仅仅多了一步去除侧墙的步骤，因而本方法可以降低工艺的复杂程度，缩短生产周期，提高生产效率，并且节约产品制造成本。
【专利说明】
场效应晶体管的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种场效应晶体管的制造方法。
【背景技术】
[0002]制造MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管，Metal OxideSemiconductor)，一种传统的做法是:先进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，然后形成侧墙，接着再进行源/漏注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区。然而，这种传统做法需要用到多次光刻和去胶步骤，制造工艺比较复杂，生产周期比较长，多次光刻和去胶步骤也导致产品制造成本较高。
【发明内容】
[0003]为了解决【背景技术】提到的制造工艺比较复杂、生产周期比较长和产品制造成本较高等问题中的至少一个，本发明提供一种场效应晶体管的制造方法。
[0004]为了实现上述目的，本发明提出一种场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤:提供衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述衬底上形成栅极的侧墙；进行源/漏注入工艺；去除所述侧墙；进行轻掺杂漏注入工艺。
[0005]在其中一个实施例中，在所述衬底上形成栅极的步骤包括:在所述衬底上形成多晶娃层；在所述多晶娃层上形成金属娃化物层。
[0006]在其中一个实施例中，所述金属硅化物层包括硅化钨。
[0007]在其中一个实施例中，在所述衬底上形成栅极的步骤包括:在所述衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层的厚度范围是2500埃至4000埃。
[0008]在其中一个实施例中，形成的所述多晶硅的厚度为3500埃。
[0009]在其中一个实施例中，进行源/漏注入工艺时，在所述衬底表面涂抹光刻胶并显影，去除包括覆盖所述栅极在内的有源区表面的光刻胶。
[0010]在其中一个实施例中，所述侧墙包括隔离介质层和侧墙介质层，在所述衬底上形成栅极的侧墙的步骤包括:在所述衬底上形成隔离介质层；在所述隔离介质层上形成侧墙介质层。
[0011 ] 在其中一个实施例中，所述隔离介质层包括正硅酸乙酯。
[0012]在其中一个实施例中，所述侧墙介质层包括氮化硅。
[0013]在其中一个实施例中，采用干法刻蚀工艺去除所述侧墙。
[0014]上述场效应晶体管的制造方法，先形成侧墙，然后进行源/漏注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区，接着再进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，相对于传统的做法改变了工艺次序，因而源/漏注入工艺和轻掺杂漏注入工艺这两个步骤可以共用一个光刻胶。相对于传统做法而言，本方法可以省略一次的光刻和去胶步骤，而仅仅多了一步去除侧墙的步骤，因而本方法可以降低工艺的复杂程度，缩短生产周期，提高生产效率，并且节约产品制造成本。
[0015]采用本方法制造出来的产品，虽然相对于传统的产品缺少了侧墙，但是侧墙的主要作用在于形成重掺杂的漏极区和源极区时杂质注入的对准，防止在进行源/漏(S/D)注入工艺时大剂量杂质过于接近沟道以致可能发生源漏穿通，对栅极的保护作用为次要作用，采用本方法制造出来的产品是在实现杂质注入时的对准后才去除侧墙，所以采用本方法制造出来的产品与传统方法制造出来的产品电学性能基本一致。
【附图说明】
[0016]图1是场效应晶体管的制造方法的流程图；
[0017]图2是形成棚■极后的场效应晶体管不意图；
[0018]图3是形成隔尚介质层和侧墙介质层后的场效应晶体管不意图；
[0019]图4是形成侧墙后的场效应晶体管不意图；
[0020]图5是形成重掺杂的漏极区和源极区后的场效应晶体管示意图；
[0021]图6是形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区后的场效应晶体管示意图；
[0022]图7是去除光刻胶后的场效应晶体管示意图。
【具体实施方式】
[0023]为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
[0024]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0025]制造MOS管一种传统的做法是:先进行源/漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，然后形成侧墙，接着再进行源/漏注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区。这种做法，好处在于保留了侧墙，该侧墙对栅极起到一定的保护作用。然而，侧墙的主要作用在于形成重掺杂的漏极区和源极区时杂质注入的对准，对栅极的保护作用为次要作用。这种传统做法需要用到多次光刻和去胶步骤，制造工艺比较复杂，生产周期比较长，多次光刻和去胶步骤也导致产品制造成本较高。以下描述一种制造工艺比较简单、生产周期比较短和产品制造成本较低的场效应晶体管的制造方法。
[0026]下面结合附图，对该方法的【具体实施方式】进行详细描述，以制作N型场效应晶体管为例。
[0027]图1是场效应晶体管的制造方法的流程图。
[0028]一种场效应晶体管的制造方法，包括步骤:
[0029]步骤SllO:提供衬底100。该衬底可为硅或含硅的P型衬底，例如包括硅晶圆的单层硅衬底，或者包括其他多层结构和硅层的衬底。一般地，场效应晶体管的栅极之下应该包括一层栅氧化层，因而该衬底100应该还包括一层栅氧化层(图未示)。
[0030]步骤S120:在衬底100上形成栅极200。栅极200可以是单层多晶硅结构，也可以是包含有多晶硅层的多层结构。在以下说明中，栅极200为双层结构，分别为多晶硅层210以及位于多晶硅层210上的金属硅化物层220。
[0031 ] 在衬底100上形成栅极200的步骤包括:
[0032]步骤1:在衬底100上形成多晶硅层210。可以通过热化学气相沉积工艺形成多晶娃层210。多晶娃层210可以是掺杂的多晶娃层，使用娃源和含有掺杂源的气体混合物一起发生反应而沉积多晶硅层210，也可以先沉积未掺杂的多晶硅层再将该多晶硅层暴露于含有掺杂源的气体混合物中而形成多晶硅层210。
[0033]步骤2:在多晶硅层210上形成金属硅化物层220。可以通过热化学气相沉积工艺形成金属硅化物层220。金属硅化物层220包括硅化钨。在其他实施例中，金属硅化物层220还可以用金属或金属的其他化合物来代替。又或者，金属硅化物层220可以包含多层结构，该多层结构可以包括硅化钨层、金属层和金属的其他化合物层中的至少两种。例如金属层可以是钨层，金属的其他化合物层可以是氮化钨层。
[0034]如果栅极200是单层多晶硅结构，则仅需进行步骤I。
[0035]图2是形成栅极后的场效应晶体管示意图。
[0036]栅极200形成后，接着进行步骤S130。
[0037]步骤S130:在衬底100上栅极200的侧边形成栅极200的侧墙300。侧墙300包括隔离介质层310和侧墙介质层320，在衬底100上形成栅极200的侧墙300的步骤包括:
[0038]步骤1:在衬底100上形成隔离介质层310。隔离介质层310可以认为是英式叫法中的offset spacer。可以通过化学气相沉积工艺形成隔离介质层310。隔离介质层310为绝缘层，例如可以是正硅酸乙酯(Ethylsilicate，TE0S)。隔离介质层310的厚度介乎350埃?500埃之间，优选为400埃。
[0039]步骤2:在隔离介质层310上形成侧墙介质层320。侧墙介质层320可以认为是英文叫法中的spacer。可以通过化学气相沉积工艺形成侧墙介质层320，侧墙介质层320可以是氮化硅。侧墙介质层320的厚度介乎1000埃?1500埃之间，优选为1175埃。
[0040]图3是形成隔离介质层和侧墙介质层后的场效应晶体管示意图。
[0041]侧墙300在本方法流程中的主要作用在于:起到阻挡作用，即对准作用，避免轻掺杂漏极注入区510和源极注入区520在即将进行的步骤S140中受到重掺杂杂质的影响，防止在进行源/漏(S/D)注入工艺时大剂量杂质过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
[0042]图4是形成侧墙后的场效应晶体管不意图。
[0043]侧墙300形成后，接着进行步骤S140。
[0044]步骤S140:进行源/漏(S/D)注入工艺，在衬底100上侧墙300的侧边形成重掺杂的漏极区410和源极区420。首先形成光刻胶600 (例如NSD光刻胶)并光刻，然后保留光刻胶600，再注入N型杂质(例如磷杂质)，以在侧墙300的侧边分别形成重掺杂的漏极区410 (漏极)和源极区420 (源极)。形成光刻胶600具体为在衬底100表面涂抹光刻胶600并显影，光刻去除包括覆盖栅极200、即将形成的漏极区410和源极区420、即将形成的轻掺杂漏极注入区510和源极注入区520在内的有源区表面的光刻胶。然后保留剩余的光刻胶并带胶进行源/漏(S/D)注入工艺。
[0045]需要注意的是，如果栅极200是单层多晶硅结构，厚度一般介乎2500埃?4000埃之间，最佳厚度为3200埃，源/漏(S/D)注入工艺的工艺步骤同S140。
[0046]图5是形成重掺杂的漏极区和源极区后的场效应晶体管示意图。
[0047]形成重掺杂的漏极区410和源极区420后，保留进行源/漏(S/D)注入工艺形成重掺杂的漏极区410和源极区420时所用到的光刻胶600，接着直接进行步骤S150。
[0048]步骤S150:去除侧墙300。利用干法刻蚀工艺去除侧墙300，此时衬底100便暴露出即将在步骤S160中需要进行轻掺杂漏注入工艺(LDD，即lightly doped drain，例如N型杂质轻掺杂漏极注入NLDD)工艺的区域，即后面形成的轻掺杂漏极注入区510和源极注入区520。
[0049]去除侧墙300后，接着进行步骤S160。
[0050]步骤S160:在衬底100上栅极200的侧边通过LDD工艺形成轻掺杂漏极注入区510和源极注入区520。轻掺杂漏极注入区510和源极注入区520位于栅极200和漏极区410之间的衬底100表层，以及栅极200和源极区420之间的衬底100表层。光刻胶600在本步骤中依然可以存在，因此此时进行LDD工艺也会对重掺杂的漏极区410和源极区420有所掺杂，但是对其影响不大。
[0051]在进行LDD工艺时，例如NLDD工艺时，需要掺杂N型杂质，此时需要在N型杂质源中还伴有P型的杂质(也即英文叫法中的pocket)，以减弱漏源穿通效应(punch through)和短沟效应。
[0052]图6是形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区后的场效应晶体管示意图。
[0053]至此，在漏极源极之间便形成具有浓度梯度的结构，对于N型场效应晶体管而言，即形成了具有NSD/NLDD浓度梯度的结构。
[0054]在衬底100上栅极200的侧边形成轻掺杂漏极注入区500的步骤后，还应该包括步骤:去除形成重掺杂的漏极区410和源极区420时所用到的光刻胶600，即去除步骤S140中剩余的光刻胶。可以采用干法和/或湿法刻蚀工艺去除光刻胶600。图7是去除光刻胶后的场效应晶体管示意图。
[0055]可以理解，上述场效应晶体管的制造方法，仅描述一些主要步骤，并不代表制造场效应晶体管的所有步骤。图2?图7中的图示也是对场效应晶体管的一些主要结构的简单示例，并不代表场效应晶体管的全部结构。
[0056]上述场效应晶体管的制造方法，先形成侧墙，然后进行源/漏(S/D)注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区，接着再进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，相对于传统的做法改变了工艺次序，因而形成重掺杂的漏极区和源极区、形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区这两个步骤可以共用一个光刻胶。相对于传统做法而言，本方法可以省略一次的光刻和去胶步骤，而仅仅多了一步去除侧墙的步骤，因而本方法可以降低工艺的复杂程度，缩短生产周期，提高生产效率，并且节约产品制造成本。
[0057]采用本方法制造出来的产品，虽然相对于传统的产品缺少了侧墙，但是侧墙的主要作用在于形成重掺杂的漏极区和源极区时杂质注入的对准，防止在进行源/漏(S/D)注入工艺时大剂量杂质过于接近沟道以致可能发生源漏穿通，对栅极的保护作用为次要作用，采用本方法制造出来的产品是在实现杂质注入时的对准后才去除侧墙，所以采用本方法制造出来的产品与传统方法制造出来的产品电学性能基本一致。
[0058]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤: 提供衬底； 在所述衬底上形成栅极； 在所述衬底上形成栅极的侧墙； 进行源/漏注入工艺； 去除所述侧墙； 进行轻掺杂漏注入工艺。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极的步骤包括: 在所述衬底上形成多晶硅层； 在所述多晶硅层上形成金属硅化物层。3.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物层包括娃化妈。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极的步骤包括: 在所述衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层的厚度范围是2500埃至4000埃。5.根据权利要求4所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，形成的所述多晶硅的厚度为3500埃。6.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，进行源/漏注入工艺时，在所述衬底表面涂抹光刻胶并显影，去除包括覆盖所述栅极在内的有源区表面的光刻胶。7.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述侧墙包括隔离介质层和侧墙介质层，在所述衬底上形成栅极的侧墙的步骤包括: 在所述衬底上形成隔离介质层； 在所述隔离介质层上形成侧墙介质层。8.根据权利要求7所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述隔离介质层包括正硅酸乙酯。9.根据权利要求7所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述侧墙介质层包括氮化硅。10.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述侧墙。
【文档编号】H01L21/336GK105870017SQ201510032619
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年1月22日
【发明人】陈淑娴, 肖魁
【申请人】无锡华润上华半导体有限公司