有机发光显示设备及其制造方法

有机发光显示设备及其制造方法
【专利摘要】本发明公开一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备包括：基板，包括用于实现第一颜色的多个第一发射部以及用于实现第二颜色的多个第二发射部；像素限定膜，用于限定多个第一发射部和多个第二发射部；多个像素电极，彼此分离并且分别对应于多个第一发射部；以及第一堆叠结构，包括中间层和位于中间层上的对置电极，中间层包括发射第一颜色的光的有机发射层，第一堆叠结构进一步包括：分别对应于多个第一发射部的第一发射图案部，以及位于像素限定膜上的第一连接图案部，第一连接图案部连接第一发射图案部。
【专利说明】有机发光显示设备及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2015年2月24日递交给韩国知识产权局、名称为“有机发光显示设备及其制造方法”、编号为10-2015-0025911的韩国专利申请，通过引用整体合并于此。
技术领域
[0003]—个或多个示例性实施例涉及有机发光显示设备及其制造方法。
【背景技术】
[0004]有机发光显示设备为其中像素可各自包括有机发光二极管(OLED)的显示设备。OLED可包括像素电极、面对像素电极的对置电极以及布置在像素电极与对置电极之间的发射层。在有机发光显示设备中，像素电极可具有根据各像素图案化成的岛形，并且对置电极可被成形为使得对置电极整体覆盖各像素。

【发明内容】

[0005]—个或多个示例性实施例可包括有机发光显示设备及其制造方法。
[0006]实施例可通过提供一种有机发光显示设备实现，该有机发光显示设备包括:基板，包括用于实现第一颜色的多个第一发射部和用于实现第二颜色的多个第二发射部;像素限定膜，用于限定多个第一发射部和多个第二发射部;多个像素电极，彼此分离并且分别与多个第一发射部相对应；以及第一堆叠结构，包括中间层和位于中间层上的对置电极，中间层包括发射第一颜色的光的有机发射层，第一堆叠结构进一步包括:分别与多个第一发射部相对应的第一发射图案部，以及位于像素限定膜上的第一连接图案部，第一连接图案部连接第一发射图案部。
[0007]第一连接图案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0008]第一堆叠结构的对置电极可包括:第一区域，第一区域面对分别与多个第一发射部相对应的像素电极；以及连接第一区域的第二区域。
[0009]第一堆叠结构的中间层可包括:第三区域，第三区域位于分别与多个第一发射部相对应的像素电极上；以及连接第三区域的第四区域。
[0010]像素限定膜可包括与多个第一发射部相对应的开口，并且第三区域可位于分别与开口相对应的位置处，且第四区域可以位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0011]第一堆叠结构的中间层和第一堆叠结构的对置电极可具有基本相同的图案。
[0012]第一堆叠结构的中间层可进一步包括在远离对置电极的方向上位于有机发射层下的第一中间层，并且有机发射层可以位于对置电极与第一中间层之间。
[0013]第一中间层可包括空穴传输层。
[0014]有机发光显示设备可进一步包括第二堆叠结构，第二堆叠结构包括中间层和位于中间层上的对置电极，第二堆叠结构的中间层包括发射第二颜色的光的有机发射层。第二堆叠结构可进一步包括:分别与多个第二发射部相对应的第二发射图案部，以及位于像素限定膜上的第二连接图案部，第二连接图案部连接第二发射图案部。
[0015]第二连接图案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0016]第一连接图案部中的至少一个与第二连接图案部中的至少一个可在像素限定膜的上表面的一部分上彼此重叠。
[0017]第二堆叠结构的对置电极可包括:第五区域，第五区域面对分别与多个第二发射部相对应的像素电极；以及连接第五区域的第六区域。
[0018]第二堆叠结构的中间层可包括:第七区域，第七区域位于分别与多个第二发射部相对应的像素电极上；以及连接第七区域的第八区域。
[0019]第二堆叠结构的中间层和第二堆叠结构的对置电极可具有基本相同的图案。
[0020]有机发光显示设备可进一步包括位于第一堆叠结构的对置电极上的保护膜。
[0021]保护膜可具有与第一堆叠结构的中间层和对置电极基本相同的图案。
[0022]第一堆叠结构的对置电极可包括半透射金属层，并且保护膜可以是透明的。
[0023]实施例可通过提供一种制造有机发光显示设备的方法实现，该方法包括:制备基板，该基板包括用于实现第一颜色的多个第一发射部以及用于实现第二颜色的多个第二发射部;形成多个像素电极，多个像素电极具有岛形，以便彼此分离并且分别与基板的多个第一发射部相对应；以及在基板上形成像素限定膜，像素限定膜包括与多个第一发射部和多个第二发射部相对应的开口；以及形成第一堆叠结构，第一堆叠结构包括中间层和位于中间层上的对置电极，中间层包括发射第一颜色的光的有机发射层，第一堆叠结构进一步包括:分别与多个第一发射部相对应的第一发射图案部，以及位于像素限定膜上的第一连接图案部，第一连接图案部连接第一发射图案部。
[0024]第一堆叠结构的第一连接图案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0025]第一堆叠结构的中间层和第一堆叠结构的对置电极可具有基本相同的图案。
[0026]形成第一堆叠结构可包括在所述基板上形成掩膜图案，该掩膜图案包括暴露多个第一发射部的开口，以及连接多个第一发射部的第一非发射部，第一非发射部与像素限定膜的上表面的一部分相对应;在其上形成有掩膜图案的基板的整个表面上形成中间层，该中间层包括发射第一颜色的光的有机发射层;在中间层上形成对置电极；以及去除掩膜图案，使得保留分别与多个第一发射部相对应的第一发射图案部，并且保留与第一非发射部相对应并连接第一发射图案部的第一连接图案部。
[0027]第一堆叠结构的中间层可进一步包括在远离对置电极的方向上位于有机发射层下的第一中间层，并且有机发射层可以位于对置电极与第一中间层之间。
[0028]第一中间层可包括空穴传输层。
[0029]该方法可进一步包括形成第二堆叠结构，该第二堆叠结构包括中间层和位于中间层上的对置电极，该中间层包括发射第二颜色的光的有机发射层。第二堆叠结构可进一步包括:分别与多个第二发射部相对应的第二发射图案部，以及位于像素限定膜上的第二连接图案部，第二连接图案部连接第二发射图案部。
[0030]第二连接图案部中的至少一个与第一连接图案部中的至少一个可在像素限定膜的上表面的一部分上彼此重叠。
[0031]第二堆叠结构的中间层和第二堆叠结构的对置电极可具有基本相同的图案。
[0032]该方法可进一步包括在第一堆叠结构的对置电极上形成保护膜。
[0033]保护膜可具有与第一堆叠结构的中间层和对置电极基本相同的图案。
【附图说明】
[0034]通过参考附图详细描述示例性实施例，对本领域技术人员来说，特征将变得更加明显，附图中:
[0035]图1示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性俯视图；
[0036]图2示出沿图1的线A-A’和线B-B’截取的剖视图；
[0037]图3示出沿图1的线C-C’截取的剖视图；
[0038]图4示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性俯视图；
[0039]图5示出其上布置有多个发射部的基板的示意性侧视图；
[0040]图6示出图5的俯视图；
[0041]图7和图8示出描述形成具有第一图案的第一堆叠结构的过程的剖视图；
[0042]图9示出图8的俯视图；
[0043]图10和图11示出描述形成具有第二图案的第二堆叠结构的过程的剖视图；
[0044]图12示出图11的俯视图；
[0045]图13和图14示出描述形成具有第三图案的第三堆叠结构的过程的剖视图；
[0046]图15示出图14的俯视图；
[0047]图16示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；以及
[0048]图17示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0049]现在将参照附图更充分地描述示例性实施例;然而，这些实施例可以不同的形式体现，而不应当解释为限于本文给出的实施例。确切地说，提供这些实施例是为了使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
[0050]附图中，同样的附图标记始终指同样的元素，因此不再重复冗余描述。
[0051]用于本文时，词语“和/或”包括关联所列项的一个或多个的任意和所有组合。
[0052]应当理解，尽管本文中可使用词语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但这些部件不应受这些词语的限制。这些词语仅用于将一个部件区别于另一个部件。
[0053]用于本文时，单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另有指不。
[0054]还应进一步理解，本文中使用的词语“包括”和/或“包含”指明存在所叙述特征或部件，但不排除存在或附加有一个或多个其它特征或部件。
[0055]应当理解，当提及一层、区域或部件“形成”在另一层、区域或部件“上”时，其可以直接或间接形成在另一层、区域或部件上。亦即，例如，可能存在中间层、区域或部件。
[0056]为便于解释，可能放大附图中的元素的尺寸。换言之，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了便于解释而被随意示出，因此下面的实施例不限于此。
[0057]在特定实施例可被不同地实施时，可与所描述的顺序不同地执行特定的过程顺序。例如，两个连续地描述的过程可基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
[0058]应当理解，当提及一部件或层在另一部件或层“上”时，该部件或层可直接在另一部件或层上，或在中间部件和层上。进一步，应当理解，当提及一层在另一层“下”时，其可以直接在下面，或也可以存在一个或多个中间层。此外，还应当理解，当提及一层在两层“之间”时，其可以是两层之间仅有的层，或也可以存在一个或多个中间层。
[0059]图1示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性俯视图。
[0060]参照图1，有机发光显示设备可包括多个发射部(有源区)，即第一至第三发射部Rl至R3。第一至第三发射部Rl至R3可布置为形成矩阵。第一至第三发射部Rl至R3可各自发射不同的光，且可各自对应于一像素。例如，第一至第三发射部Rl至R3中的每一个可以是用于实现例如显示红色、绿色或蓝色的像素。下文中，为便于描述，第一发射部Rl实现红色，第二发射部R2实现绿色，第三发射部R3实现蓝色，但示例性实施例不限于此。第一至第三发射部Rl至R3实现的颜色不限于红色、绿色和蓝色，只要实现全色即可。根据示例性实施例，可使用颜色的任意组合，例如，四种颜色，即红色、绿色、蓝色和白色的组合，只要实现全色即可。[0061 ] 像素电极210和第一至第三堆叠结构300至500可布置在基板100上。像素电极210可以以岛型图案化为对应于第一至第三发射部Rl至R3而彼此隔开。第一至第三堆叠结构300至500可图案化为具有彼此连接的像网的图案。第一堆叠结构300可包括对应于第一发射部Rl的第一发射图案部300a，以及连接第一发射图案部300a的第一连接图案部300b，其中第一发射图案部300a和第一连接图案部300b可形成像网的第一图案SI。第二堆叠结构400可包括对应于第二发射部R2的第二发射图案部400a，以及连接第二发射图案部400a的第二连接图案部400b，其中第二发射图案部400a和第二连接图案部400b可形成像网的第二图案S2。第三堆叠结构500可包括对应于第三发射部R3的第三发射图案部500a，以及连接第三发射图案部500a的第三连接图案部500b，其中第三发射图案部500a和第三连接图案部500b可形成像网的第三图案S3。
[0062]第一至第三堆叠结构300至500可分别包括中间层320至520(参照图2)，以及对置电极330至530(参照图2)。中间层320至520和对置电极330至530可被图案化为具有基本相同的图案。
[0063]根据对比示例，当在基板100的整个表面上形成对置电极以整体覆盖多个像素，SP第一至第三发射部Rl至R3时，可能例如由于对置电极的电阻而出现电压降(IR降)，并且可能会出现亮度偏差。然而，根据一个或多个示例性实施例，对置电极330至530可与中间层320至520—起被图案化，可防止对置电极330至530的电阻的增大，并且可减少或防止IR降和由此带来的亮度偏差。
[0064]图2示出沿图1的线A-A’和线B-B’截取的剖视图，并且图3示出沿图1的线C-C’截取的剖视图。
[0065]基板100可由例如玻璃材料、金属材料以及诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺之类的塑料材料之类的各种材料中的一种形成。根据一些实施例，相比于基板100由玻璃材料形成，当基板100由塑料材料或金属材料形成时，基板100可具有更高的柔性。由S12和/或SiNx形成的缓冲层可布置在基板100上，以防止杂质渗入到基板100中。
[0066]基板100可包括多个发射部(有源区)Rl至R3，以及围绕发射部Rl至R3的非发射部(无源区)NR。
[0067]像素电路PC可包括薄膜晶体管(TFT)和电容器，并且可电连接至像素电极210。像素电路PC的上表面可由大致平坦的绝缘膜150覆盖。
[0068]像素电极210可形成在第一至第三发射部Rl至R3中的每一个中。像素电极210可布置在绝缘膜150上，并可对应于第一至第三发射部Rl至R3中的每一个以岛型被图案化。像素电极210可电连接至像素电路PC的TFT。
[0069]像素电极210可以是具有透明度的(半)透明电极，或反射电极。当像素电极210是(半)透明电极时，像素电极210可由例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)形成。当像素电极210是反射电极时，反射膜可由银(Ag)、镁(Mg)、招(Al)、铀(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物形成。根据示例性实施例，像素电极210可包括反射膜以及位于反射膜上由1!'0、120、2110或111203形成的膜，反射膜包括48、1%^1、？1?(1^11、祖、则、&、0或其化合物。
[0070]像素限定膜180可包括分别对应于第一至第三发射部Rl至R3的开口0P。像素限定膜180的开口 OP可分别对应于可从其发光的第一至第三发射部Rl至R3，并且布置有像素限定膜180的区域可对应于非发射部(无源区)NR。像素电极210的上表面的至少一部分可不由像素限定膜180覆盖。例如，开口OP可形成在像素限定膜180中，并且像素电极210的上表面的一部分可不由像素限定膜180覆盖。像素电极210的边缘可由像素限定膜180覆盖。像素限定膜180可包括由例如丙烯酸树脂形成的有机绝缘膜。像素限定膜180可增大像素电极210的末端与对置电极330至530之间的距离，并且可防止在像素电极210的末端处产生电弧。
[0071]第一至第三堆叠结构300至500可独立地，例如分离地，被图案化。第一至第三堆叠结构300至500可具有其中顺序堆叠有中间层320至520和对置电极330至530的结构，并且分别具有第一至第三图案SI至S3。
[0072]第一堆叠结构300可具有包括第一发射图案部300a和第一连接图案部300b的第一图案SI。第一发射图案部300a中的每一个可布置在第一发射部Rl上，并且第一连接图案部300b可布置在非发射部NR上，以连接第一发射图案部300a。
[0073]第一堆叠结构300可包括中间层320和堆叠在中间层320上的对置电极330，并且中间层320可包括第一中间层321、发射红色光的有机发射层322和第二中间层323，这些层彼此顺序堆置。
[0074]第一中间层321可具有单层或多层结构。例如，当第一中间层321由高分子量材料形成时，第一中间层321可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可由聚-(3，4)_乙撑-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。当第一中间层321由低分子量材料形成时，第一中间层321可包括空穴注入层(HIL)和HTL。
[0075]有机发射层322可布置在第一中间层321上。根据示例性实施例，有机发射层322可包括作为基质材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作为掺杂材料的磷光体，磷光体包括以下至少之一 = PIQIr(乙酰丙酮)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(乙酰丙酮(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)和PtPEP(八乙基卟啉铂)。根据示例性实施例，有机发射层322可包括荧光材料，例如PED:铕(DBM)3(苯酚)或二萘嵌苯。
[0076]第二中间层323可布置在有机发射层322上。在一些实施例中可省略第二中间层323。例如，当第一中间层321和有机发射层322由高分子量材料形成时，第二中间层323可省略。当第一中间层321和有机发射层322由低分子量材料形成时，第二中间层323可被形成，使得增大发光特性。第二中间层323可具有单层或多层结构，并且可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
[0077]对置电极330可以是具有透明度的(半)透明电极，或反射电极。根据示例性实施例，当对置电极330是(半)透明电极时，对置电极330可包括包含Ag和Mg的半透射金属层。例如，对置电极330可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根据示例性实施例，对置电极330可包括由锂(1^)、钙(0&)、锂氟化物(1^)/^、1^/^1^1、1%或其化合物形成的层，以及布置在该层上且由例如ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3的(半)透明材料形成的另一层。
[0078]当对置电极330为反射电极时，反射电极可通过形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、A1、Ag和Mg中至少之一的层而形成。在实施例中，对置电极330的结构和材料可改变;例如，对置电极330可由另外的材料形成，并可具有多层结构。
[0079]对置电极330可图案化为布置在第一发射部Rl上和非发射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可减小电阻，并且可减小或防止由对置电极330的电阻而导致的IR降和由此带来的亮度偏差。
[0080]第一堆叠结构300可包括中间层320和布置在中间层320上的对置电极330，并且中间层320和对置电极330可具有基本相同的图案。例如，中间层320和对置电极330可具有第一图案SI。例如，对置电极330可包括与第一发射图案部300a对应且布置在第一发射部Rl中的区域(下文中，称为第一区域)，以及与第一连接图案部300b对应且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以连接第一区域的区域(下文中，称为第二区域)。中间层320可包括与第一发射图案部300a对应且布置在第一发射部Rl中的区域(下文中，称为第三区域)，以及与第一连接图案部300b对应且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以连接第三区域的区域(下文中，称为第四区域)。对置电极330的第一区域和中间层320的第三区域可彼此重叠，并且对置电极330的第二区域和中间层320的第四区域可彼此重叠。
[0081]由于第一发射图案部300a的中间层320，即中间层320的第三区域，布置在像素电极210与对置电极330之间，因此，当电信号施加于像素电极210和对置电极330中的每一个时，作为从像素电极210和对置电极330释放出的、可在有机发射层322处结合的空穴和电子而产生的激子，可从激发态变为基态以产生红色光。由于第一连接图案部300b的中间层320，即中间层320的第四区域，布置在像素限定膜180的未布置像素电极210之处上，因此，即使当电信号施加于第一堆叠结构300的对置电极330时，也不会发光。
[0082]第二堆叠结构400可具有包括第二发射图案部400a和第二连接图案部400b的第二图案S2。第二发射图案部400a中的每一个可布置在第二发射部R2上，并且第二连接图案部400b可布置在非发射部NR上以连接第二发射图案部400a。
[0083]第二堆叠结构400可包括中间层420和堆叠在中间层420上的对置电极430，并且中间层420可包括第一中间层421、发射绿色光的有机发射层422和第二中间层423，这些层彼此顺序堆置。
[0084]第一中间层421可具有单层或多层结构。例如，当第一中间层421由高分子量材料形成时，第一中间层421可以是具有单层结构并由PEDOT或PANI形成的HTL。当第一中间层421由低分子量材料形成时，第一中间层421可包括HIL和HTL。
[0085]有机发射层422可布置在第一中间层421上。根据示例性实施例，有机发射层422可包括作为基质材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作为掺杂材料的磷光体，磷光体包括面式三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)。根据示例性实施例，有机发射层422可包括荧光材料，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
[0086]第二中间层423可布置在有机发射层422上。在一些实施例中可省略第二中间层423。例如，当第一中间层421和有机发射层422由高分子量材料形成时，第二中间层423可省略。当第一中间层421和有机发射层422由低分子量材料形成时，第二中间层423可被形成，使得增大发光特性。第二中间层423可具有单层或多层结构，并且可包括ETL和/或EIL。
[0087]对置电极430可以是具有透明度的(半)透明电极，或反射电极。根据示例性实施例，当对置电极430是(半)透明电极时，对置电极430可包括包含Ag和Mg的半透射金属层。例如，对置电极430可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根据示例性实施例，对置电极430可包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1、六1、1%或其化合物形成的层，以及布置在该层上且由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明材料形成的另一层。
[0088]当对置电极430为反射电极时，反射电极可通过形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、A1、Ag和Mg中至少之一的层而形成。在实施例中，对置电极430的结构和材料可改变;例如，对置电极430可由另外的材料形成，并可具有多层结构。
[0089]对置电极430可图案化为布置在第二发射部R2上和非发射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可减小电阻，并且可减小或防止由对置电极430的电阻而导致的IR降以及由此带来的亮度偏差。
[0090]第二堆叠结构400可包括中间层420和布置在中间层420上的对置电极430，并且中间层420和对置电极430可具有基本相同的图案。例如，中间层420和对置电极430可具有第二图案S2。例如，对置电极430可包括与第二发射图案部400a对应且布置在第二发射部R2中的区域(下文中，称为第五区域)，以及与第二连接图案部400b对应且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以连接第五区域的区域(下文中，称为第六区域)。中间层420可包括与第二发射图案部400a对应且布置在第二发射部R2中的区域(下文中，称为第七区域)，以及与第二连接图案部400b对应且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以连接第七区域的区域(下文中，称为第八区域)。对置电极430的第五区域和中间层420的第七区域可彼此重叠，并且对置电极430的第六区域和中间层420的第八区域可彼此重叠。
[0091]由于第二发射图案部400a的中间层420，即中间层420的第七区域，布置在像素电极210与对置电极430之间，因此，当电信号施加于像素电极210和对置电极430中的每一个时，作为从像素电极210和对置电极430释放出的、可在有机发射层422处结合的空穴和电子而产生的激子，可从激发态变为基态以产生绿色光。由于第二连接图案部400b的中间层420，即中间层420的第八区域，布置在像素限定膜180的未布置像素电极210之处上，因此，即使当电信号施加于第二堆叠结构400的对置电极430时，也不会发光。
[0092]第三堆叠结构500可具有包括第三发射图案部500a和第三连接图案部500b的第三图案S3。第三发射图案部500a中的每一个可布置在第三发射部R3上，并且第三连接图案部500b可布置在非发射部NR上以连接第三发射图案部500a。
[0093]第三堆叠结构500可包括中间层520和堆叠在中间层520上的对置电极530，并且中间层520可包括第一中间层521、发射蓝色光的有机发射层522和第二中间层523，这些彼此顺序堆叠。
[0094]第一中间层521可具有单层或多层结构。例如，当第一中间层521由高分子量材料形成时，第一中间层521可以是具有单层结构并由PEDOT或PANI形成的HTL。当第一中间层521由低分子量材料形成时，第一中间层521可包括HIL和HTL。
[0095]有机发射层522可布置在第一中间层521上。根据示例性实施例，有机发射层522可包括作为基质材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作为掺杂材料的磷光体，磷光体包括F2lrpic、(F2ppy)2lr(tmd)或Ir(dfppz)3。根据示例性实施例，有机发射层522可包括荧光材料，荧光材料包括例如以下之一:DPVB1、螺-DPVB1、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基芳烃(DSA)、PF0-基聚合物和PPV-基聚合物。
[0096]第二中间层523可布置在有机发射层522上。在一些实施例中可省略第二中间层523。例如，当第一中间层521和有机发射层522由高分子量材料形成时，第二中间层523可省略。当第一中间层521和有机发射层522由低分子量材料形成时，第二中间层523可被形成，使得增大发光特性。第二中间层523可具有单层或多层结构，并且可包括ETL和/或EIL。
[0097]对置电极530可以是具有透明度的(半)透明电极，或反射电极。根据示例性实施例，当对置电极530是(半)透明电极时，对置电极530可包括包含Ag和Mg的半透射金属层。例如，对置电极530可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根据示例性实施例，对置电极530可包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1^1、1%或其化合物形成的层，以及布置在该层上且由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明材料形成的另一层。
[0098]当对置电极530为反射电极时，反射电极可通过形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中至少之一的层而形成。在实施例中，对置电极530的结构和材料可改变;例如，对置电极530可由另外的材料形成，并可具有多层结构。
[0099]对置电极530可图案化为布置在第三发射部R3上和非发射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可减小电阻，并且可减小或防止由对置电极530的电阻而导致的IR降以及由此带来的亮度偏差。
[0100]第三堆叠结构500可包括中间层520和布置在中间层520上的对置电极530，并且中间层520和对置电极530可具有基本相同的图案。例如，中间层520和对置电极530可具有第三图案S3。例如，对置电极530可包括与第三发射图案部500a对应且布置在第三发射部R3中的区域(下文中，称为第九区域)，以及与第三连接图案部500b对应且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以连接第九区域的区域(下文中，称为第十区域)。中间层520可包括与第三发射图案部500a对应且布置在第三发射部R3中的区域(下文中，称为第i^一区域)，以及与第三连接图案部500b对应且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以连接第^^一区域的区域(下文中，称为第十二区域)。对置电极530的第九区域和中间层520的第十一区域可彼此重叠，并且对置电极530的第十区域和中间层520的第十二区域可彼此重叠。
[0101]由于第三发射图案部500a的中间层520，即中间层520的第十一区域，布置在像素电极210与对置电极530之间，因此，当电信号施加于像素电极210和对置电极530中的每一个时，作为从像素电极210和对置电极530释放出的、可在有机发射层522处结合的空穴和电子而产生的激子，可从激发态变为基态以产生蓝色光。由于第三连接图案部500b的中间层520，即中间层520的第十二区域，布置在像素限定膜180的未布置像素电极210之处上，因此，即使当电信号施加于第三堆叠结构500的对置电极530时，也不会发光。
[0102]由于第一至第三堆叠结构300至500可独立且分离地图案化，因此，至少两个连接图案部可在非发射部NR上，即在像素限定膜180的上表面的一部分上重叠。如图1、图2的线B-B’和图3中所示，第一堆叠结构300的第一连接图案部300b和第三堆叠结构500的第三连接图案部500b可在像素限定膜180上重叠，第二堆叠结构400的第二连接图案部400b和第三堆叠结构500的第三连接图案部500b可在像素限定膜180上重叠，或者第一堆叠结构300的第一连接图案部300b和第二堆叠结构400的第二连接图案部400b可在像素限定膜180上重置。
[0103]在当前实施例中，两个连接图案部在非发射部NR上，即在像素限定膜180上重叠。在示例性实施例中，三个连接图案部可在非发射部NR上，即在像素限定膜180上重叠。
[0104]第一至第三堆叠结构300至500的对置电极330至530可通过接触外部电极电源线而接收电信号。根据示例性实施例，电信号可独立地传送给第一至第三堆叠结构300至500的对置电极330至530。根据示例性实施例，电信号可同时地传送给第一至第三堆叠结构300至500的对置电极330至530。
[0105]图4示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性俯视图。
[0106]在示例性实施例中，以上参照图1至图3描述的有机发光显示设备可包括发射不同的光且可以矩阵形式排布的第一至第三发射部Rl至R3。
[0107]参照图4，第一至第三发射部Rl至R3中的至少一个可以以菱形形式排布，或以例如蜂窝状(pentile)形式之类的多种形式中的一种排布。
[0108]图5至图15示出描述根据示例性实施例的制造有机发光显示设备的方法的视图。
[0109]图5示出基板100的示意性侧视图，在基板100上布置有多个发射部，即第一至第三发射部Rl至R3，并且图6示出图5的俯视图。
[0110]参照图5和图6，像素电路PC可形成在基板100上。像素电路PC可包括TFT和电容器。在形成像素电路PC之前，可在基板100上形成缓冲层，以防止杂质渗入到基板100中。
[0111]像素电路PC可根据第一至第三发射部Rl至R3对应于像素而形成，并且由具有大致平坦的上表面的绝缘膜150覆盖。
[0112]然后，可在绝缘膜150上形成金属膜，之后根据第一至第三发射部Rl至R3对金属膜图案化，以形成像素电极210。像素电极210可以以岛型图案化为对应于第一至第三发射部Rl至R3而彼此隔开，像素电极210的材料已在上文参照图1至图3进行了描述。
[0113]可在其上形成有像素电极210的基板100上形成有机绝缘膜，然后将有机绝缘膜图案化，以形成像素限定膜180。像素限定膜180可具有暴露像素电极210的上表面的至少一部分的开口 0P。像素限定膜180的开口 OP可分别对应于第一至第三发射部Rl至R3，并且布置有像素限定膜180的区域可对应于非发射部NR。
[0114]图7和图8示出描述形成具有第一图案SI的第一堆叠结构300的过程的剖视图，并且图9示出图8的俯视图。
[0115]参照图7，可形成第一掩膜图案Ml以覆盖基板100的整个表面，但第一发射部Rl和非发射部NR的用于连接第一发射部Rl的第一区域(下文中，称为第一非发射部)NR1除外。图7的附图标记01指代第一掩膜图案Ml的、可暴露第一发射部Rl和第一非发射部NRl的开口。第一非发射部NRl可以是与第一堆叠结构300的第一连接图案部300b对应的区域，其可经由后面描述的剥离工艺形成。
[0116]第一掩膜图案Ml可由聚合物材料形成。在实施例中，聚合物材料可在剥离工艺期间令人满意地在溶剂中溶解，且几乎不影响中间层320。
[0117]然后，可在其上形成有第一掩膜图案Ml的基板100上顺序形成中间层320和对置电极330。中间层320可包括第一中间层321、实现红色的有机发射层322和第二中间层323。第一中间层321、有机发射层322、第二中间层323和对置电极330已在上面参照图1至图3进行了描述。
[0118]根据示例性实施例，第一掩膜图案Ml的厚度可比中间层320和对置电极330的厚度之和更厚。可形成在第一发射部Rl和用于连接第一发射部Rl的第一非发射部NRl上的中间层320和对置电极330可与可形成在第一掩膜图案Ml上的中间层320和对置电极330不连续。
[0119]参照图8和图9，第一掩膜图案Ml可用剥离工艺去除。具有第一图案SI的第一堆叠结构300可在第一掩膜图案Ml去除时形成在基板100上。
[0120]如图8和图9所不，第一堆叠结构300可包括分别对应于第一发射部Rl的第一发射图案部300a，以及连接第一发射图案部300a的第一连接图案部300b，其中第一发射图案部300a和第一连接图案部300b形成第一图案SI。第一堆叠结构300的第一发射图案部300a可布置在通过像素限定膜180的开口 OP暴露的像素电极210上，并且第一堆叠结构300的第一连接图案部300b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0121]由于第一发射图案部300a的中间层320布置在像素电极210与对置电极330之间，因此，当电信号施加于像素电极210和对置电极330中的每一个时，作为从像素电极210和对置电极330释放出的、可在有机发射层322处结合的空穴和电子而产生的激子，可从激发态变为基态以产生红色光。由于第一连接图案部300b的中间层320布置在像素限定膜180的未布置像素电极210之处上，因此，即使当电信号施加于第一堆叠结构300的对置电极330时，也不会发光。
[0122]图10和图11示出描述形成具有第二图案S2的第二堆叠结构400的过程的剖视图，并且图12示出图11的俯视图。
[0123]参照图10，可形成第二掩膜图案M2以覆盖基板100的整个表面，但第二发射部R2和非发射部NR的用于连接第二发射部R2的第二区域(下文中，称为第二非发射部)NR2除外。图10的附图标记02指代第二掩膜图案M2的、可暴露第二发射部R2和第二非发射部NR2的开口。第二非发射部NR2可以是与第二堆叠结构400的第二连接图案部400b对应的区域，其可经由后面描述的剥离工艺形成。
[0124]第二掩膜图案M2可由聚合物材料形成。在实施例中，聚合物材料可在剥离工艺期间令人满意地在溶剂中溶解，且几乎不影响中间层420。
[0125]然后，可在其上形成有第二掩膜图案M2的基板100上顺序形成中间层420和对置电极430。中间层420可包括第一中间层421、实现绿色的有机发射层422和第二中间层423。第一中间层421、有机发射层422、第二中间层423和对置电极430已在上面参照图1至图3进行了描述。
[0126]根据示例性实施例，第二掩膜图案M2的厚度可比中间层420和对置电极430的厚度之和更厚。可形成在第二发射部R2和用于连接第二发射部R2的第二非发射部NR2上的中间层420和对置电极430可与可形成在第二掩膜图案M2上的中间层420和对置电极430不连续。
[0127]参照图11和图12，第二掩膜图案M2可用剥离工艺去除。具有第二图案S2的第二堆叠结构400可在第二掩膜图案M2去除时形成在基板100上。
[0128]如图11和12所示，第二堆叠结构400可具有第二图案S2，第二图案S2包括分别对应于第二发射部R2的第二发射图案部400a以及连接第二发射图案部400a的第二连接图案部400b。第二堆叠结构400的第二发射图案部400a可布置在通过像素限定膜180的开口 OP暴露的像素电极210上，并且第二堆叠结构400的第二连接图案部400b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0129]由于第二发射图案部400a的中间层420布置在像素电极210与对置电极430之间，因此，当电信号施加于像素电极210和对置电极430中的每一个时，作为从像素电极210和对置电极430释放出的、可在有机发射层422处结合的空穴和电子而产生的激子，可从激发态变为基态以产生绿色光。由于第二连接图案部400b的中间层420布置在像素限定膜180的未布置像素电极210之处上，因此，即使当电信号施加于第二堆叠结构400的对置电极430时，也不会发光。
[0130]图13和图14示出描述形成具有第三图案S3的第三堆叠结构500的过程的剖视图，并且图15示出图14的俯视图。
[0131]参照图13，可形成第三掩膜图案M3以覆盖基板100的整个表面，但第三发射部R3和非发射部NR的用于连接第三发射部R3的第三区域(下文中，称为第三非发射部)NR3除外。图13的附图标记03指代第三掩膜图案M3的、可暴露第三发射部R3和第三非发射部NR3的开口。第三非发射部NR3可以是与第三堆叠结构500的第三连接图案部500b对应的区域，其可经由后面描述的剥离工艺形成。
[0132]第三掩膜图案M3可由聚合物材料形成。在实施例中，聚合物材料可在剥离工艺期间令人满意地在溶剂中溶解，且几乎不影响中间层520。
[0133]然后，可在其上形成有第三掩膜图案M3的基板100上顺序形成中间层520和对置电极530。中间层520可包括第一中间层521、实现蓝色的有机发射层522和第二中间层523。第一中间层521、有机发射层522、第二中间层523和对置电极530已在上面参照图1至图3进行了描述。
[0134]根据示例性实施例，第三掩膜图案M3的厚度可比中间层520和对置电极530的厚度之和更厚。可形成在第三发射部R3和用于连接第三发射部R3的第三非发射部NR3上的中间层520和对置电极530可与可形成在第三掩膜图案M3上的中间层520和对置电极530不连续。
[0135]参照图14和图15，第三掩膜图案M3可用剥离工艺去除。具有第三图案S3的第三堆叠结构500可在第三掩膜图案M3去除时形成在基板100上。
[0136]如图14和图15所示，第三堆叠结构500可包括分别对应于第三发射部R3的第三发射图案部500a，以及连接第三发射图案部500a的第三连接图案部500b，其中第三发射图案部500a和第三连接图案部500b形成第三图案S3。第三堆叠结构500的第三发射图案部500a可布置在通过像素限定膜180的开口 OP暴露的像素电极210上，并且第三堆叠结构500的第三连接图案部500b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0137]由于第三发射图案部500a的中间层520布置在像素电极210与对置电极530之间，因此，当电信号施加于像素电极210和对置电极530中的每一个时，作为从像素电极210和对置电极530释放出的、可在有机发射层522处结合的空穴和电子而产生的激子，可从激发态变为基态以产生蓝色光。由于第三连接图案部500b的中间层520布置在像素限定膜180的未布置像素电极210之处上，因此，即使当电信号施加于第三堆叠结构500的对置电极530时，也不会发光。
[0138]在实施例中，第一至第三堆叠结构300至500可在图5至图15中顺序形成。由于第一至第三堆叠结构300至500可独立地，例如单独地，被图案化，因此可改变图案化顺序。
[0139]根据一个或多个示例性实施例，第一至第三堆叠结构300至500的中间层320至520和对置电极330至530可被一起图案化，从而可不需要用于图案化对置电极330至530的分离过程。由于中间层320至520的上表面可在被对置电极330至530覆盖的同时被图案化，因此，中间层320至520的上表面可被对置电极330至530保护，并且可减小杂质被布置在中间层320至520与对置电极330至530之间的可能性。
[0140]图16示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
[0141]参照图16，可在第一至第三堆叠结构300至500的对置电极330至530中至少之一上布置保护膜600。根据一些示例性实施例，当对置电极330至530为包括例如Ag-Mg合金的金属的(半)透明电极时，在对置电极330至530暴露于氧并被氧化时会降低透明度，但当在对置电极330至530上布置有保护膜600时，可防止对置电极330至530的氧化。
[0142]保护膜600可包括传导材料或非传导(绝缘)材料。根据示例性实施例，当有机发光显示设备为顶发射型时，保护膜600可包括具有透明度的有机材料和/或无机材料。根据示例性实施例，当有机发光显示设备为底发射型时，保护膜600可包括不透明材料。
[0143]在制造第一至第三堆叠结构300至500时，保护膜600可与中间层320至520以及对置电极330至530—起被图案化。保护膜600可具有与中间层320至520和对置电极330至530基本相同的图案。
[0144]图17示出根据示例性实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
[0145]参照图17，可在基板100上布置保护膜600’，以覆盖第一至第三堆叠结构300至500。例如，可在基板100上形成保护膜600’，以整体覆盖第一至第三堆叠结构300至500中的全部。
[0146]保护膜600’可包括传导材料或非传导(绝缘)材料。根据示例性实施例，当有机发光显示设备为顶发射型时，保护膜600’可包括具有透明度的有机材料和/或无机材料。根据示例性实施例，当有机发光显示设备为底发射型时，保护膜600 ’可包括不透明材料。
[0147]可经由与第一至第三堆叠结构300至500分离的过程来形成保护膜600’。例如，可在形成第一至第三堆叠结构300至500之后，形成保护膜600 ’，以覆盖基板100的整个表面。
[0148]如上所述，根据一个或多个示例性实施例，可提供其中通过减小IR降而抑制亮度偏差出现的有机发光显示设备。
[0149]本文中已公开了示例性实施例，并且尽管采用了特定的词语，但这些词语仅以通用和描述性的意义上来使用和解释，而不用于限制目的。在一些实例中，到递交本申请为止，对于本领域技术人员来说，显而易见的是，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元素可单独使用，或可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元素结合使用，除非另有特别指示。因此，本领域技术人员将理解，可在不背离所附权利要求给出的本发明的精神和范围的情况下做出形式上和细节上的多种改变。
【主权项】
1.一种有机发光显不设备，包括: 基板，包括用于实现第一颜色的多个第一发射部和用于实现第二颜色的多个第二发射部； 像素限定膜，用于限定所述多个第一发射部和所述多个第二发射部； 多个像素电极，彼此分离并且分别与所述多个第一发射部相对应；以及第一堆叠结构，包括中间层和位于所述中间层上的对置电极，所述中间层包括发射所述第一颜色的光的有机发射层， 所述第一堆叠结构进一步包括:分别与所述多个第一发射部相对应的第一发射图案部，以及位于所述像素限定膜上的第一连接图案部，所述第一连接图案部连接所述第一发射图案部。2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一连接图案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一堆叠结构的所述对置电极包括: 第一区域，面对分别与所述多个第一发射部相对应的所述多个像素电极；以及 连接所述第一区域的第二区域。4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一堆叠结构的所述中间层包括: 第三区域，位于分别与所述多个第一发射部相对应的所述多个像素电极上；以及 连接所述第三区域的第四区域。5.如权利要求4所述的有机发光显示设备，其中: 所述像素限定膜包括与所述多个第一发射部相对应的开口，并且所述第三区域位于分别与所述开口相对应的位置处，并且所述第四区域位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一堆叠结构的所述中间层和所述第一堆叠结构的所述对置电极具有相同的图案。7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中: 所述第一堆叠结构的所述中间层进一步包括在远离所述对置电极的方向上位于所述有机发射层下的第一中间层，并且 所述有机发射层位于所述对置电极与所述第一中间层之间。8.如权利要求7所述的有机发光显示设备，其中所述第一中间层包括空穴传输层。9.如权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括中间层和位于该中间层上的对置电极，所述第二堆叠结构的中间层包括发射所述第二颜色的光的有机发射层， 其中所述第二堆叠结构进一步包括:分别与所述多个第二发射部相对应的第二发射图案部，以及位于所述像素限定膜上的第二连接图案部，所述第二连接图案部连接所述第二发射图案部。10.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第二连接图案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。11.如权利要求10所述的有机发光显示设备，其中所述第一连接图案部中的至少一个与所述第二连接图案部中的至少一个在所述像素限定膜的所述上表面的所述一部分上彼此重叠。12.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第二堆叠结构的对置电极包括: 第五区域，面对分别与所述多个第二发射部相对应的所述多个像素电极；以及 连接所述第五区域的第六区域。13.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第二堆叠结构的中间层包括: 第七区域，位于分别与所述多个第二发射部相对应的所述多个像素电极上；以及 连接所述第七区域的第八区域。14.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第二堆叠结构的中间层和所述第二堆叠结构的对置电极具有相同的图案。15.如权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括位于所述第一堆叠结构的对置电极上的保护膜。16.如权利要求15所述的有机发光显示设备，其中所述保护膜具有与所述第一堆叠结构的中间层和对置电极相同的图案。17.如权利要求15所述的有机发光显示设备，其中: 所述第一堆叠结构的对置电极包括半透射金属层，并且 所述保护膜是透明的。18.一种制造有机发光显示设备的方法，该方法包括: 制备基板，所述基板包括用于实现第一颜色的多个第一发射部和用于实现第二颜色的多个第二发射部； 形成多个像素电极，所述多个像素电极具有岛形，以便彼此分离并且分别与所述基板的所述多个第一发射部相对应； 在所述基板上形成像素限定膜，所述像素限定膜包括与所述多个第一发射部和所述多个第二发射部相对应的开口 ；以及 形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括中间层和位于所述中间层上的对置电极，所述中间层包括发射所述第一颜色的光的有机发射层， 所述第一堆叠结构进一步包括:与所述多个第一发射部分别相对应的第一发射图案部，以及位于所述像素限定膜上的第一连接图案部，所述第一连接图案部连接所述第一发射图案部。19.如权利要求18所述的方法，其中所述第一堆叠结构的所述第一连接图案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。20.如权利要求18所述的方法，其中所述第一堆叠结构的中间层和所述第一堆叠结构的对置电极具有相同的图案。21.如权利要求18所述的方法，其中形成第一堆叠结构包括: 在所述基板上形成掩膜图案，所述掩膜图案包括暴露所述多个第一发射部的开口以及连接所述多个第一发射部的第一非发射部，所述第一非发射部与所述像素限定膜的上表面的一部分相对应； 在其上形成有所述掩膜图案的所述基板的整个表面上形成所述中间层，所述中间层包括发射所述第一颜色的光的所述有机发射层； 在所述中间层上形成所述对置电极；以及 去除所述掩膜图案，使得保留分别与所述多个第一发射部相对应的所述第一发射图案部，并保留与所述第一非发射部相对应并连接所述第一发射图案部的所述第一连接图案部。22.如权利要求18所述的方法，其中: 所述第一堆叠结构的中间层进一步包括在远离所述对置电极的方向上位于所述有机发射层下的第一中间层，并且 所述有机发射层位于所述对置电极与所述第一中间层之间。23.如权利要求22所述的方法，其中所述第一中间层包括空穴传输层。24.如权利要求18所述的方法，进一步包括形成第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括中间层和位于该中间层上的对置电极，该中间层包括发射所述第二颜色的光的有机发射层， 其中所述第二堆叠结构进一步包括:分别与所述多个第二发射部相对应的第二发射图案部，以及位于所述像素限定膜上的第二连接图案部，所述第二连接图案部连接所述第二发射图案部。25.如权利要求24所述的方法，其中所述第二连接图案部中的至少一个与所述第一连接图案部中的至少一个在所述像素限定膜的上表面的一部分上彼此重叠。26.如权利要求24所述的方法，其中所述第二堆叠结构的中间层和所述第二堆叠结构的对置电极具有相同的图案。27.如权利要求18所述的方法，进一步包括在所述第一堆叠结构的对置电极上形成保护膜。28.如权利要求27所述的方法，其中所述保护膜具有与所述第一堆叠结构的中间层和对置电极相同的图案。
【文档编号】H01L27/32GK105914221SQ201610053924
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年1月27日
【发明人】郑知泳, 朴正善, 申旼洙, 黄仁性
【申请人】三星显示有限公司