封装结构及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种封装结构及其制造方法。该封装结构包括：封装层和发光器件，所述封装层包括石墨烯层和生长层，所述生长层位于所述发光器件的上方，所述石墨烯层位于所述生长层之上，本发明中制造设备和制造工艺简单，从而降低了生产成本，提高了生产效率。
【专利说明】
封装结构及其制造方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种封装结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de，简称:0LED)具有自发光的特性，当有电流通过时，OLED就会发光。OLED显示装置可视角度大，且能够显著节省电能，因此OLED显示装置具备了许多液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称:LCD)不可比拟的优势，在显示技术领域的应用越来越广泛。
[0003]由于OLED中的有机膜层结构易受水氧侵蚀而失效，因此需要在OLED上方形成能够阻隔水氧的封装层以实现对OLED的保护。封装层通常采用高阻水性的硬质封装基板，例如玻璃或金属片。具体地，可在承载OLED的基板上涂覆封装胶，封装胶位于OLED之外的区域，通过封装胶将承载OLED的基板和硬质封装基板贴合起来，在承载OLED的基板和硬质封装基板之间形成水氧分子难以渗透的密闭空间，从而实现对OLED的保护。但是，由于硬质封装基板本身增加了工艺复杂度，且工艺本身的良率也不是很高，因此对OLED的量产性造成了一定的影响。且硬质封装基板属于刚性器件，其柔性较差，在柔性技术空前受欢迎的今天，不适用于对柔性OLED进行封装。
[0004]为解决上述硬质封装基板不适用于对柔性OLED进行封装的问题，现有技术中提出了采用阻水性薄膜作为封装层的技术方案。阻水性薄膜可采用致密的薄膜，例如:S1x，但是致密的薄膜弯曲性差;或者，阻水性薄膜可采用弯曲性好的薄膜，例如:聚合物膜，但弯曲性好的薄膜阻水性差。因此，现有技术中为获得具有较好的阻水性和弯曲性的封装层，通常采用无机层和有机层多层交叠设置的结构作为封装层。但是由于封装层的厚度较厚且需要考虑寄生电容和应力等因素，因此此种封装层中的膜层数多且每一层结构均需要根据材料采用相应的膜制备工艺制成，因此制造封装层的过程中所需的膜制备工艺种类多、步骤多且制造时间长，制造过程需要在惰性保护环境(例如:真空或者氮气环境)中，且制造过程需要采用多种复杂设备，从而提高了生产成本，降低了生产效率。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种封装结构及其制造方法，用于降低生产成本，提高生产效率。
[0006]为实现上述目的，本发明提供了一种封装结构，包括:封装层和发光器件，所述封装层包括石墨烯层和生长层，所述生长层位于所述发光器件的上方，所述石墨烯层位于所述生长层之上。
[0007]可选地，所述生长层的材料为铜。
[0008]可选地，所述石墨稀层的厚度为2nm至10nm。
[0009]可选地，所述封装层还包括阻挡层，，所述阻挡层位于所述生长层和所述发光器件之间，所述阻挡层用于阻挡生长层的扩散。
[0010]可选地，所述阻挡层包括第一子阻挡层。
[0011]可选地，所述阻挡层还包括第二子阻挡层；
[0012]所述第一子阻挡层为一层且所述第二子阻挡层为一层时，所述第二子阻挡层位于所述第一子阻挡层之上;或者
[0013]所述第一子阻挡层为多层且所述第二子阻挡层为多层时，所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层交替设置。
[0014]可选地，所述第一子阻挡层的厚度为50nm至200nm。
[0015]可选地，所述第二子阻挡层的厚度为50nm至200nm。
[0016]可选地，若所述第一子阻挡层为多层且所述第二子阻挡层为多层时，所述阻挡层的厚度为0.]^111至101111]1。
[0017]为实现上述目的，本发明提供了一种封装结构的制造方法，包括:
[0018]制备发光器件；
[0019]在所述发光器件的上方形成生长层；
[0020]在生长层之上生长石墨烯层。
[0021]可选地，所述生长层的厚度为3nm至10nm。
[0022]可选地，所述生长层的材料为铜。
[0023]可选地，所述在所述发光器件的上方形成生长层之前还包括:在所述发光器件之上形成阻挡层；
[0024]所述在所述发光器件的上方形成生长层包括:在所述阻挡层之上形成生长层，所述阻挡层用于阻挡生长层的扩散。
[0025]可选地，所述在生长层之上生长石墨烯层还包括:通过所述生长层的吸附作用，采用化学气相沉积工艺在所述生长层之上生长石墨烯层。
[0026]本发明具有以下有益效果:
[0027]本发明提供的封装结构及其制造方法的技术方案中，封装层包括石墨烯层和生长层，生长层位于发光器件的上方，石墨烯层位于生长层之上，本发明中制造设备和制造工艺简单，从而降低了生产成本，提高了生产效率。
【附图说明】
[0028]图1为本发明实施例一提供的一种封装结构的结构示意图；
[0029]图2为实施例一中阻挡层的一种结构示意图；
[0030]图3为实施例一中阻挡层的另一种结构示意图；
[0031 ]图4为本发明实施例二提供的一种封装结构的制造方法的流程图；
[0032]图5a为实施例二中形成发光器件的示意图；
[0033]图5b为实施例二中形成阻挡层的示意图；
[0034]图5c为实施例二中形成生长层的示意图；
[0035]图5d为实施例二中形成石墨烯层的示意图。
【具体实施方式】
[0036]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的封装结构及其制造方法的进行详细描述。
[0037]图1为本发明实施例一提供的一种封装结构的结构示意图，如图1所示，该封装层包括封装层10和发光器件20，封装层10包括石墨烯层I和生长层2，生长层2位于发光器件20的上方，石墨烯层I位于生长层2之上。
[0038]本实施例中，封装层形成于发光器件之上以实现对发光器件的封装，其中，发光器件为0LED。优选地，OLED可包括基底、位于基底之上的阳极、位于阳极之上的空穴注入层、位于空穴注入层之上的有机发光层、位于有机发光层之上的电子传输层和位于电极传输层之上的阴极。
[0039]由于石墨烯本身具备良好的柔韧性和透光性且其结构的稳定性高，因此当封装后的发光器件20承受弯折等动作时，石墨烯层I能够提高发光器件20本身的耐受性，从而使得石墨烯层I非常适用于对发光器件20的封装。
[0040]本实施例中，可首先形成生长层2，而后通过生长层2的吸附作用在生长层2之上生长石墨烯层I。生长层2的材料为铜。由于铜本身对石墨烯具备吸附作用，因此生长层2采用材料铜有利于石墨烯层I的沉积和生长。另外，由于铜具备良好的延展性和柔韧性且在厚度较薄的情况下对光的透过性较好，因此当发光器件20承受弯折等动作时，生长层2加上石墨烯层I的复合结构可以极大的提高发光器件20本身的耐受性，从而使得石墨烯层I非常适用于对发光器件20的封装。
[0041 ] 本实施例中，石墨稀层I的厚度为2nm至10nm。石墨稀层I采用上述厚度是由石墨稀本身的特性决定的，采用上述厚度可更好的实现作为发光器件20的封装层10的作用。
[0042]进一步地，该封装层10还包括:阻挡层2，阻挡层2位于生长层I和发光器件20之间，阻挡层2用于阻挡生长层I的扩散。本实施例中的封装层10形成于发光器件20之上以实现对发光器件20的封装，其中在封装层10的制造过程中以及封装层10制造完成后，生长层I的材料铜会向发光器件20所在位置扩散，设置阻挡层2可对扩散的铜起到阻挡作用，有效防止铜扩散至发光器件20，从而避免了扩散的铜对发光器件20造成损伤。
[0043]作为第一种可选方案，该阻挡层2包括第一子阻挡层。此时，该阻挡层2中仅包括一层第一子阻挡层。优选地，第一子阻挡层的厚度为50nm至200nm，第一子阻挡层的厚度较小，采用此厚度可在有效阻挡生长层的材料铜扩散的基础上达到节约材料的目的。其中，第一子阻挡层的材料优选但不限于S1x，采用S1x可有效阻挡生长层的材料铜扩散至发光器件。
[0044]作为第二种可选方案，图2为实施例一中阻挡层的一种结构示意图，如图2所示，该阻挡层2包括第一子阻挡层21和第二子阻挡层22。第一子阻挡层21为一层且第二子阻挡层22为一层时，第二子阻挡层22位于第一子阻挡层21之上。在第一子阻挡层21之上增设第二子阻挡层22，可进一步防止铜扩散至发光器件，从而进一步避免了扩散的铜对发光器件造成损伤。优选地，第一子阻挡层21的厚度为50nm至200nm，第二子阻挡层22的厚度为50nm至200nm，第一子阻挡层21和第二子阻挡层22的厚度均较小，采用此厚度可在有效阻挡生长层的材料铜扩散的基础上达到节约材料的目的。其中，第一子阻挡层21的材料优选但不限于S1x，第二子阻挡层22的材料优选但不限于SiNx，采用S1x和SiNx可进一步阻挡生长层的材料铜扩散至发光器件。
[0045]作为第三种可选方案，图3为实施例一中阻挡层的另一种结构示意图，如图3所示，该阻挡层2包括第一子阻挡层21和第二子阻挡层22。第一子阻挡层21为多层且第二子阻挡层22为多层时，第一子阻挡层21和第二子阻挡层22交替设置。以图3为例，该阻挡层2包括两层第一子阻挡层21和两层第二子阻挡层22，第一层第二子阻挡层22位于第一层第一子阻挡层21之上，第二层第一子阻挡层21位于第一层第二子阻挡层22之上，第二层第二子阻挡层22位于第二层第一子阻挡层21之上。设置多层第一子阻挡层21和第二子阻挡层22且交替设置，可进一步防止铜扩散至发光器件，从而进一步避免了扩散的铜对发光器件造成损伤。优选地，第一子阻挡层21的层数和第二子阻挡层22的层数之和为3至η层，3<n<50，第一子阻挡层21的厚度为50]11]1至20011111，第二子阻挡层22的厚度为50111]1至20011111，阻挡层2的厚度为
0.Ιμπι至10_，也就是说，无论阻挡层2中包括多少层第一子阻挡层21和第二子阻挡层22，其厚度总和为0.Ιμπι至10_，此时阻挡层2的厚度较小采用此厚度可在有效阻挡生长层的材料铜扩散的基础上达到节约材料的目的。其中，第一子阻挡层21的材料优选但不限于S1x，第二子阻挡层22的材料优选但不限于SiNx，采用S1x和SiNx可进一步阻挡生长层2的材料铜扩散至发光器件。
[0046]进一步地，该封装结构还可以包括:驱动背板6，驱动背板6位于发光器件5的下方。其中，驱动背板6用于驱动发光器件4发光。优选地，驱动背板6为柔性TFT驱动背板。
[0047]本实施例中，在阻挡层上直接形成生长层并在生长层上直接生长石墨烯层以形成封装层，与现有技术中在铜箔上制作石墨烯层并将从铜箔上剥离的石墨烯层通过透明胶层粘贴到阻挡层上以形成封装层的方案相比，本实施例中无需对石墨烯层进行剥离和转移，因此制造出的石墨烯层面积大且完整，可覆盖整个发光器件，且工艺重复性好。
[0048]本实施例中的封装层可应用于柔性发光器件或者非柔性发光器件，使用产品范围广。
[0049]本实施例中，生长层和石墨烯的组合以及复合阻挡层的缓解应力和减少连续针孔等缺陷的特性，使得封装层在抗弯折方面具有更加的特性以及同时具备更佳的防水氧功會K。
[0050]本实施例提供的封装结构的技术方案中，封装层包括石墨烯层和生长层，生长层位于发光器件的上方，石墨烯层位于生长层之上，本实施例中制造设备和制造工艺简单，从而降低了生产成本，提高了生产效率。
[0051]图4为本发明实施例二提供的一种封装结构的制造方法的流程图，如图4所示，该方法包括:
[0052]步骤101、制备驱动背板。
[0053]步骤102、在驱动背板之上制备发光器件。
[0054]图5a为实施例二中形成发光器件的示意图，如图5a所示，在驱动背板6之上制备发光器件5。
[0055]步骤103、在发光器件之上形成阻挡层。
[0056]图5b为实施例二中形成阻挡层的示意图，如图5b所示，以阻挡层2包括一层第一子阻挡层21和一层第二子阻挡层22为例进行描述，实际应用中阻挡层2还可以为其它结构，具体可参见实施例一中的描述，此处不再赘述。则步骤103包括:
[0057]步骤1031、在发光器件5之上形成第一子阻挡层21。
[0058]具体地，可在发光器件5之上沉积第一子阻挡层21，该第一子阻挡层21的材料优选但不限于S1x。
[0059]步骤1032、在第一子阻挡层21之上形成第二子阻挡层22。
[0060]具体地，可在第一子阻挡层21之上沉积第二子阻挡层22，该第二子阻挡层22的材料优选但不限于SiNx。
[0061]可选地，在实际应用中，若阻挡层2中的第一子阻挡层21为多层且第二子阻挡层22为多层时，第一子阻挡层21和第二子阻挡层22交替设置。此种情况下位于不同膜层位置的第一子阻挡层21和第二子阻挡层22的沉积速率不同。优选地，若(l+n)/2层为正整数时，从第I层至第(l+n)/2层的沉积速率逐渐提高，而从第(l+n)/2层至第η层的沉积速率逐渐降低，第(1+η)/2层的沉积速率最高;若(1+η)/2层为非正整数时，对(1+η)/2进行向下或者向上取整操作得出(1+η)/2的整数层，从第I层至第(1+η)/2的整数层的沉积速率逐渐提高，而从第(1+η)/2的整数层至第η层的沉积速率逐渐降低，第(1+η)/2的整数层的沉积速率最高，例如:若η = 4时，(1+η)/2 = 2.5，则对(1+η)/2进行向下取整操作得出的(1+η)/2的整数层为2，对(1+η)/2进行向上取整操作得出的(1+η)/2的整数层为3。其中，优选地，沉积速率提高或者降低的百分比的范围为0.5%至50%。采用上述制造方法，阻挡层2的界面特性较好，增强了对外部离子的隔绝作用，减少了阻挡层2的膜层应力。此种情况下，阻挡层的制造过程无需考虑计生电容和应力等因素，进一步简化了制造设备和直走工艺，从而进一步降低了生产成本，提高了生产效率。需要说明的是:此种情况的具体制造过程的示意图不再具体画出。
[0062]步骤104、在阻挡层之上形成生长层。
[0063]具体地，在阻挡层之上形成生长层，阻挡层用于阻挡生长层的扩散。图5c为实施例二中形成生长层的示意图，如图5(:所示，通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n，简称:PVD)工艺在阻挡层2中的第二子阻挡层22之上沉积生长层3，该生长层3的材料为铜，该生长层的厚度为3nm至1nm0
[0064]步骤105、在生长层之上生长石墨烯层。
[0065]具体地，通过生长层的吸附作用，采用化学气相沉积(Chemi ca I VaporDeposit1n，简称CVD)工艺在生长层之上生长石墨烯层。图5d为实施例二中形成石墨烯层的示意图，如图5d所示，通过铜对石墨烯的吸附作用，采用CVD工艺在生长层3上生长石墨烯层1
[0066]本实施例提供的封装结构的制造方法可用于制造上述实施例一提供的封装结构。
[0067]本实施例提供的封装结构的制造方法的技术方案中，生长层位于发光器件的上方，石墨烯层位于生长层之上，本实施例中制造设备和制造工艺简单，从而降低了生产成本，提高了生产效率。本实施例可在工厂现有的设备的基础上制造封装结构，无需进行大的设备变动，从而降低了生产成本。
[0068]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种封装结构，其特征在于，包括:封装层和发光器件，所述封装层包括石墨烯层和生长层，所述生长层位于所述发光器件的上方，所述石墨烯层位于所述生长层之上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述生长层的材料为铜。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述石墨稀层的厚度为2nm至IOnm。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装层还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述生长层和所述发光器件之间，所述阻挡层用于阻挡生长层的扩散。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层包括第一子阻挡层。6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层还包括第二子阻挡层； 所述第一子阻挡层为一层且所述第二子阻挡层为一层时，所述第二子阻挡层位于所述第一子阻挡层之上;或者 所述第一子阻挡层为多层且所述第二子阻挡层为多层时，所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层交替设置。7.根据权利要求5或6所述的封装结构，其特征在于，所述第一子阻挡层的厚度为50nm至200nm。8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第二子阻挡层的厚度为50nm至200nmo9.根据权利要求6所述的封装层，其特征在于，若所述第一子阻挡层为多层且所述第二子阻挡层为多层时，所述阻挡层的厚度为0.Ιμπι至10mm。10.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括: 制备发光器件； 在所述发光器件的上方形成生长层； 在生长层之上生长石墨烯层。11.根据权利要求10所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述生长层的厚度为3歷至10歷。12.根据权利要求10所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述生长层的材料为铜。13.根据权利要求10所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述发光器件的上方形成生长层之前还包括:在所述发光器件之上形成阻挡层； 所述在所述发光器件的上方形成生长层包括:在所述阻挡层之上形成生长层，所述阻挡层用于阻挡生长层的扩散。14.根据权利要求10所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述在生长层之上生长石墨烯层还包括:通过所述生长层的吸附作用，采用化学气相沉积工艺在所述生长层之上生长石墨烯层。
【文档编号】H01L51/50GK105957978SQ201610371848
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年5月30日
【发明人】牛亚男, 田宏伟, 陈蕾, 贺增胜
【申请人】京东方科技集团股份有限公司