碳化硅半导体装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开一种碳化硅半导体装置的制造方法。在利用激光将p型杂质注入到SiC基板的情况下，难以控制浓度。因此，在SiC基板的不需要控制浓度的区域中，通过激光形成p型的杂质区。由此，通过温度比离子注入工艺更低的工艺来制造高耐压的SiC半导体装置。提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，具备以下步骤：在第一导电型的碳化硅基板的一侧的主面形成第一导电型的漂移层，该第一导电型的漂移层的浓度比碳化硅基板更低；在漂移层的正面侧，通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区；以与漂移层接触的方式形成肖特基电极；以及在碳化硅基板的另一侧的主面形成阴极电极。
【专利说明】
碳化硅半导体装置的制造方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及一种碳化硅半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]以往，已知有通过离子注入将P型杂质注入到碳化硅(以下，记载为SiC)基板的整个正面(例如，专利文献I?4)。另外，已知有通过使用激光而将P型杂质注入到SiC基板的整个正面(例如，专利文献5?6和非专利文献I)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献I:日本特开第2007-227655号公报
[0006]专利文献2:日本特开第2000-277448号公报
[0007]专利文献3:日本特开平第08-148443号公报
[0008]专利文献4:日本特开第2013-232553号公报
[0009]专利文献5:日本特开平第08-264468号公报
[0010]专利文献6:日本特开第2004-158702号公报
[0011]非专利文献1:应用物理第70卷第2号(2001)188页?190页
【发明内容】
[0012]技术问题
[0013]通过使用激光，能够在温度比离子注入的情况更低的工艺中，将P型杂质注入到SiC基板。但是，在使用激光而将P型杂质注入到SiC基板的情况下，难以控制杂质的浓度。
[0014]技术方案
[0015]在本发明的第一方式中，提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，具备以下步骤:在第一导电型的碳化硅基板的一侧的主面形成第一导电型的漂移层，该第一导电型的漂移层的浓度比所述碳化硅基板更低;在漂移层的正面侧，通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区；以与漂移层接触的方式形成肖特基电极；以及在碳化硅基板的另一侧的主面形成阴极电极。
[0016]第二导电型的电场控制区可以包括在漂移层与肖特基电极接触的区域的外周部形成的环状的电场缓和区。
[0017 ] 第二导电型的电场控制区可以包括比电场缓和区更靠近内周侧而选择性地形成的多个结势皇区。
[0018]第二导电型的电场控制区可以包括比环状的电场缓和区更靠近外周侧而设置的一个以上的场限环。
[0019]碳化硅半导体装置的制造方法在形成第一导电型的漂移层的步骤之后并且在形成电场控制区的步骤之前，还可以具备形成一个以上的沟槽的步骤。一个以上的场限环可以形成在一个以上的沟槽中。
[0020]第二导电型的电场控制区可以包括比一个以上的场限环更靠近外周侧而设置的环状的沟道阻止区。碳化硅半导体装置的制造方法还可以具备以下步骤:以与漂移层接触的方式形成绝缘膜;在形成绝缘膜的步骤之后，以与沟道阻止区和绝缘膜接触的方式形成沟道阻止电极;在形成肖特基电极的步骤之后，以与肖特基电极接触的方式形成阳极电极。沟道阻止电极与阳极电极之间可以被绝缘膜覆盖。
[0021]碳化硅半导体装置的制造方法还可以具备以下步骤:形成与一个以上的场限环连接的场板电极。
[0022]碳化硅半导体装置的制造方法还可以具备以下步骤:形成与选择性地形成的多个结势皇区欧姆连接的欧姆电极；以及在形成欧姆电极的步骤之后，以与肖特基电极和欧姆电极接触的方式形成阳极电极。
[0023]肖特基电极和欧姆电极可以是相同的材料。欧姆电极和阳极电极可以是相同的材料。
[0024]通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区的步骤可以具有以下步骤:在漂移层形成具有多个开口的掩膜层；以及在将漂移层暴露于含有铝的气体的状态下，通过向漂移层照射激光，将铝通过多个开口而注入到漂移层。
[0025]通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区的步骤可以具有以下步骤:在漂移层堆叠铝层;使铝层图案化而形成多个图案；以及通过向多个图案照射激光，将铝通过多个图案而注入到漂移层。
[0026]通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区的步骤还可以具有去除多个图案的步骤。
[0027]形成电场控制区的步骤的激光掺杂技术中的激光光源可以是KrF、ArF、XeF、XeCl和YAG3co中的任意一个。
[0028]需要说明的是，上述本发明的内容未列举本发明的所有特征。另外，这些特征群的再组合也可以成为又一发明。
【附图说明】
[0029]图1为第一实施例的SiC-SBD100的截面图。
[0030]图2为示出SiC-SBDlOO的上表面图。
[0031 ]图3为示出SiC-SBDlOO的制造流程200的图。
[0032]图4A为示出以与漂移层14接触的方式形成掩膜层20的步骤的图。
[0033]图4B为示出在掩膜层20形成多个开口21的步骤的图。
[0034]图4C为示出通过照射激光22而将铝注入到漂移层14的步骤的图。
[0035]图4D为示出去除掩膜层20后的状态的图。
[0036]图5A为示出堆叠Al层24的步骤的图。
[0037]图5B为示出在Al层24形成多个图案的步骤的图。
[0038]图5C为示出通过照射激光22而将铝注入到漂移层14的步骤的图。
[0039]图为示出将Al层24的多个图案去除后的状态的图。
[0040]图6为第二实施例的SiC-SBD110的截面图。
[0041 ]图7A为示出在耐压结构部62形成沟槽48的步骤的图。
[0042]图7B为示出在沟槽48中形成场限环36的步骤的图。
[0043]图7C为示出在耐压结构部62形成绝缘膜44的步骤的图。
[0044]图8为不出沟槽48的另一不例的图。
[0045]符号说明
[0046]10:中央部11:端部
[0047]12: SiC基板14:漂移层
[0048]15:正面16:接触区
[0049]18:外周部20:掩膜层
[0050]21:开口22:激光
[0051]24:A1层30:电场控制区
[0052]32:结势皇区34:电场缓和区
[0053]36:场限环38:沟道阻止区
[0054]42:肖特基电极43:欧姆电极
[0055]44:绝缘膜46:沟道阻止电极
[0056]47:场板电极48:沟槽
[0057]49:侧壁52:阳极电极
[0058]54:阴极电极56:重叠区
[0059]60:活性部62:耐压结构部
[0060]100:SiC-SBDI10:SiC-SBD
[0061]200:制造流程
【具体实施方式】
[0062]以下，虽然通过发明的实施方式对本发明进行说明，但是以下的实施方式并不限定涉及权利要求的范围的发明。另外，在实施方式中说明的全部特征组合不一定是发明的解决方案所必须的。
[0063]图1为示出第一实施例的SiC-SBD100的截面图。需要说明的是，SiC-SBD表示SiC肖特基势皇二极管(SiC Schottky Barrier D1de)。本实施例的SiC-SBDlOO具有SiC基板12和漂移层Ht3SiC-Smnoo在漂移层14的正面侧具有肖特基电极42、阳极电极52、绝缘膜44和沟道阻止电极46，并在SiC基板12的背面侧具有阴极电极54。
[0064]SiC基板12具有第一导电型的杂质，在本实施例中第一导电型为η型。漂移层14是通过外延法在SiC基板12的一侧的主面所形成的SiC外延层。在本实施例中，SiC基板12的一侧的主面是SiC-SBD 100的正面侧。漂移层14是具有浓度比SiC基板12更低的第一导电型的杂质的η—型层。
[0065]漂移层14在正面侧具有电场控制区30。电场控制区30是第二导电型，在本实施例中第二导电型为高浓度的P型。电场控制区30是通过激光掺杂技术形成的区域。电场控制区30包括结势皇区32、电场缓和区34、场限环36和沟道阻止区38。
[0066]在现在的激光掺杂技术中，在SiC层形成高浓度的P型区时，难以控制杂质的浓度。因此，工作时的大部分电流在PN结流动的混合PiN肖特基势皇(Merged PiN/Schottky)二极管和PIN 二极管等难以通过激光掺杂技术制作。进而，需要控制P型杂质的浓度的结终端扩展(Junct1n Terminat1n Extens1n)和降低表面电场(Resurf)结构等也难以通过激光掺杂技术制作。因此，它们不包含于本申请发明中。
[0067]优选在几乎不需要控制P型杂质的浓度的区域应用激光掺杂技术。例如，作为二极管结构，优选工作时的大部分电流在金属与η型SiC的肖特基结流动的SBD和JBS( Junct1nSchottky Barrier:结肖特基势皇)二极管。另外，作为耐压结构，优选几乎不需要控制p型杂质的浓度的场限环36、场限环36与场板的并用结构、或者绝缘膜设置在阳极电极52与沟道阻止电极46之间的沟道阻止结构等。
[0068]电场缓和区34形成在漂移层14与肖特基电极42接触的接触区16的最外周侧的区域，并且形成在作为比接触区16更靠近外周侧的区域的外周部18。在本说明书中，将靠近活性部60的中央部10的一侧称为内周侧，将靠近SiC-SBD 100的端部11的一侧称为外周侧。需要说明的是，电场缓和区34可以规定活性部60与耐压结构部62的边界。
[0069]电场缓和区34与漂移层14形成PN结。在向SiC-SBD100施加高电压时的情况下，漂移层14与肖特基电极42的结界面的空乏层连接到漂移层14与电场区域34的PN结界面的空乏层。据此，空乏层能够从活性部60向外周侧的耐压结构部62扩展。从而，施加高压电时的电场集中被缓和，因此提高SiC-SBD 100的耐压。
[0070]结势皇区32位于活性部60。结势皇区32是在比电场缓和区34更靠近内周侧选择性地形成的区域。选择性地形成是指在活性部60中形成为具有特定的形状。本实施例的结势皇区32是在纸面垂直方向上具有长边的矩形形状。多个结势皇区32在长边方向上平行且分尚地设置。
[0071]与电场缓和区34同样，结势皇区32与漂移层14形成PN结。据此，能够在施加高电压时使空乏层扩展为遍布整个活性部60，因此提高SiC-SBD 100的耐压。
[0072]场限环36是比电场缓和区34更靠近外周侧而设置的区域。一个以上的场限环36互相分离地设置。与电场缓和区34同样，场限环36也与漂移层14形成PN结。据此，在施加高电压时能够使空乏层扩展至耐压结构部62，因此提高SiC-SBD 100的耐压。
[0073]绝缘膜44设置为与漂移层14的一个以上的场限环36接触。本实施例的绝缘膜44是氧化硅(S12)膜，但是也可以使用其他绝缘膜。绝缘膜44的内周侧设置在电场缓和区34与肖特基电极42之间，外周侧设置在沟道阻止区38与沟道阻止电极46之间。绝缘膜44覆盖沟道阻止电极46与阳极电极52之间。
[0074]沟道阻止区38比场限环36更靠近外周侧而设置。本实施例的沟道阻止区38设置为与作为SiC-SBD 100的最外周侧的端部11接触。沟道阻止区38具有降低与沟道阻止电极46的接触电阻的功能。
[0075]沟道阻止电极46与沟道阻止区38和绝缘膜44接触。沟道阻止电极46通过SiC基板12和漂移层14的端部11以及沟道阻止区38而成为与阴极电极54相等的电位。需要说明的是，SiC基板12和漂移层14的端部11的通过切割所形成的缺陷成为载体，因此具有导电性。在向SiC-SBD 100施加了逆向电压的情况下，沟道阻止电极46与阴极电极54成为等电位，在沟道阻止电极46的内周侧端部，空乏层的延伸受到限制。因此，施加逆向电压时，空乏层无法延伸至端部11，所以能够维持耐压。
[0076]在活性部60，肖特基电极42与电场控制区30以外的漂移层14形成肖特基结。阳极电极52设置为与肖特基电极42接触。另外，在SiC基板12的背面设置有阴极电极54。
[0077]图2为示出SiC-SBD 100的上表面图。图2为示出在图1的I1-1I位置处的正面侧的图。需要说明的是，在图2中省略了肖特基电极42、绝缘膜44、沟道阻止电极46和阳极电极52。
[0078]如上文所述，结势皇区32是在预定的方向上具有长边的矩形形状的区域。电场缓和区34是围绕在活性部60的多个结势皇区32的环状区域。在比电场缓和区34更靠近外周侧设置有一个以上的场限环36，在比一个以上的场限环36更靠近外周侧设置有沟道阻止区38。场限环36和沟道阻止区38都是设置在耐压结构部62的环状区域。
[0079]图3是示出SiC-SBD 100的制造流程200的图。本实施例的制造流程200具有工序SI至工序S6。在工序SI中，在第一导电型的SiC基板12的正面形成浓度比SiC基板12更低的第一导电型的漂移层14。漂移层14可以通过外延法形成。为了形成kV级高耐压的SiC-SBD100，漂移层14的厚度可以是5μπι以上且60μπι以下、杂质浓度可以是lE14cm—3以上且lE16cnf3以下。需要说明的是，E表示10的幂。例如E14表示10的14次方。
[0080]在工序S2中，在漂移层14的正面侧，通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区30。如上文所述，电场控制区30包括电场缓和区、结势皇区、场限环和沟道阻止区。第二导电型的杂质的浓度可以设为lE20cm—3以上且lE21cm—3以下。需要说明的是，激光掺杂技术的详细情况在下文中的图4A?图4D以及图5A至图进行描述。
[0081 ]在工序S3中，以与耐压结构部62的漂移层14接触的方式形成绝缘膜44。在工序S4中，以与活性部60的漂移层14接触的方式形成肖特基电极42。肖特基电极42是例如金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)或钼(Mo)等。
[0082]在工序S5中，形成与沟道阻止区38和绝缘膜44接触的沟道阻止电极46、以及与肖特基电极42接触的阳极电极52。可以通过如下方式来形成，S卩，分别溅射形成Ni作为沟道阻止电极46，溅射形成N1、铝(Al)或Al-Si合金作为阳极电极52后进行图案化。在工序S6中，在SiC基板12的背面形成阴极电极54。例如，可以通过依次溅射Ni和Au而形成阴极电极54。
[0083]图4A?图4D是示出气相激光掺杂的示例的图。图4A?图4D与形成电场控制区30的步骤(图3的工序S2)对应。图4A是示出以与漂移层14接触的方式形成掩膜层20的步骤的图。掩膜层20可以是氧化硅。例如，可以通过使用了四甲氧基硅烷和氧气的等离子体CVD来形成该氧化娃。
[0084]图4B是示出在掩膜层20形成多个开口21的步骤的图。应用已知的光刻法和蚀刻法使掩膜层20图案化，从而形成多个开口 21。
[0085]图4C是通过照射激光22将Al注入到漂移层14的步骤的图。在本实施例中，在使漂移层14暴露在含有氢(H2)和三甲基铝((CH3)3Al)的气体中的状态下，向漂移层14照射激光22ο在本实施例中，将具有大约1.5J/cm2的能量的激光22照射4000次(shot)。据此，将Al通过多个开口 21注入到漂移层14。需要说明的是，可以将KrF、ArF、XeF和XeCl、以及YAG3co中任意一个作为激光22的激光光源。另外，可以根据需要加热SiC基板。
[0086]图4D是示出去除掩膜层20后的状态的图。据此，已完成电场控制区30，因此可以实施图3的工序S3以后的工序。在本实施例中，通过激光掺杂技术形成电场控制区30，所以能够在不经过离子注入后的1500°C以上的热退火工序的情况下通过低温的工艺来形成SiC-SBD 100的P型杂质区。如上文所述，激光掺杂技术难以控制杂质的浓度，但是将激光掺杂技术应用于几乎不需要控制杂质的浓度的电场控制区30的形成，因此即使利用激光掺杂技术也能够制造高耐压的SiC-SBD 100。
[0087]图5A?图为示出固相激光掺杂的示例的图。图5A?图5D是形成电场控制区30的步骤(图3的工序S2)的其他示例。图5A为示出堆叠Al层24的步骤的图。例如，通过溅射Al，使Al层24以与漂移层14接触的方式仅堆叠200nm的厚度。
[0088]图5B为示出在Al层24形成多个图案的步骤的图。可以通过使用已知的光刻法和蚀刻法使Al层24图案化，由此形成多个图案。在本实施例中，Al层24的多个图案与俯视电场控制区30而得的形状对应。即，如图2所示，多个图案是与结势皇区32的矩形形状、以及电场缓和区34、场限环36和沟道阻止区38的环形状相同的图案。
[0089]图5C为示出通过照射激光22而将Al注入到漂移层14的步骤的图。向Al层24的多个图案照射激光22。在本实施例中，照射一次具有约3.5J/cm2的能量的激光。据此，可以将Al通过多个图案而注入到漂移层14。需要说明的是，激光22的激光光源可以使用与气相激光掺杂的示例相同的光源。另外，也可以根据需要将SiC基板加热。
[0090]图5D为示出将Al层24的多个图案去除后的状态的图。据此，可以完成电场控制区30，因此可以实施图3的工程S3以后的工艺。即使在固相激光掺杂的示例中，也能够得到与气相激光掺杂的示例相同的效果。
[0091]图6为示出第二实施例的SiC-SBD110的截面图。在本实施例中，与第一实施例不同之处在于:具有与结势皇区32欧姆连接的欧姆电极43以及与场限环36连接的场板电极47。其它方面与第一实施例相同。
[0092]在本实施例的制造流程中，在形成绝缘膜44的步骤(图3的工序S3)后，紧接着在与场限环36接触的绝缘膜44的部分设置开口。据此，场限环36不被绝缘膜44覆盖而向外部敞开。然后，形成与场限环36连接的场板电极47。
[0093]另外，在本实施例的制造流程中，在形成肖特基电极42的步骤(图3的工序S4)之前或者之后，紧接着形成与多个结势皇区32欧姆连接的欧姆电极43。在此作为变形例，也可以同时利用相同的材料形成肖特基电极42和欧姆电极43。在一个示例中，肖特基电极42和欧姆电极43都可以是Ni。作为作为进一步的变形例，也可以利用相同的材料制作场板电极47、肖特基电极42和欧姆电极43。
[0094]而且，在形成肖特基电极42和欧姆电极43后，以与两者接触的方式形成阳极电极。需要说明的是，欧姆电极43和阳极电极52也可以由相同的材料形成。在一个示例中，两者都可以是Ni。
[0095]在本实施例中，欧姆电极43与结势皇区32可以电连接。据此，在沿SiC-SBD 110的正向施加了过电压的情况下，能够通过从结势皇区32向漂移层14注入少数载流子(在本实施中为电子)来减小正向电压。因此，能够提高电涌耐量。另外，在本实施例中，场板电极47与场限环36电连接。在此，场板电极47具有隔着绝缘膜44而与漂移层14重叠的重叠区56。该重叠区56可以用作MOS结构，因此能够控制在漂移层14的空乏层的延伸方向。需要说明的是，本实施例是将欧姆电极43和场板电极47应用于第一实施例的不例，但是也可以仅将其中任意一个应用于第一实施例。
[0096]图7A至图7C为示出在沟槽48中形成场限环36的示例的图。图7A为示出在耐压结构部62形成沟槽48的步骤的图。该步骤在形成漂移层14的步骤(图3的工序SI)之后并且在形成电场控制区30的步骤(图3的工序S2)之前进行。
[0097]沟槽48能够应用已知的光刻法和蚀刻法而形成。本实施例的沟槽48具有从漂移层14的正面15到沟槽48的底部为止Ιμπι的深度。需要说明的是，深度Ιμπι仅仅是示例，可以根据作为目标的半导体装置的性能而进行适当的改变。在本实施例中，沟槽48的侧壁49与漂移层14的正面15以成角度α的方式形成。在图4A?图4D的气相激光掺杂以及图5A?图5D的气相激光掺杂中，作为P型杂质的Al从漂移层14的正面侧向背面侧扩散。因此，角度α小时，在侧壁49易于形成高浓度的P型杂质区。角度α可以是30度以上且80度以下，优选55度以上且75度以下。
[0098]图7Β为示出在沟槽48中形成场限环36的步骤的图。该步骤与形成电场控制区30的步骤(图3的工序S2)对应。本实施例的场限环36的底部比第一实施例和第二实施例更深(即，位于更靠近背面侧)，因此能够在更深的位置形成空乏层。另外，空乏层变得易于从侧壁49向内周侧和外周侧扩散。因此，相比第一实施例以及第二实施例，能够得到更好的电场屏蔽效果和电场缓和效果。
[0099]图7C为示出在耐压结构部62形成绝缘膜44的步骤的图。该步骤与形成绝缘膜44的步骤(图3的工序S3)对应。绝缘膜44的遮盖性受基底的粗糙度影响，所以绝缘膜44可以在紧靠沟槽48上的部分具有凹部。需要说明的是，在本实施例中，示出使场限环36形成于沟槽48的示例，但是也可以使结势皇区32、电场缓和区34和场限环36中的一个以上形成在沟槽48中。
[0100]图8为示出沟槽48的另一示例的图。本实施例的沟槽48以沟槽48的侧壁49与漂移层14的正面15成90度的方式形成。本实施例的沟槽48也具有从漂移层14的正面15到沟槽48的底部为止IMi的深度。可以通过使激光照射方向相对于漂移层14倾斜并且进行多次照射，来形成本实施例的场限环36。在本实施例中，也可以在比第一实施例和第二实施例深的位置形成空乏层。因此，相比第一实施例以及第二实施例，能够得到更好的电场屏蔽效果和电场缓和效果。
[0101]需要说明的是，在本说明书的实施例中，第一导电型为η型，第二导电型为P型。但是，在其他实施例中，第一导电型也可以为P型，第二导电型也可以为η型。
[0102]以上，使用实施方式说明了本发明，但本发明的技术的范围并非限定于上述实施方式中记载的范围。对本领域的技术人员而言显而易见的是，可以对上述实施方式施加多种变更或改良。根据权利要求书的记载可以明确，施加那样的变更或改良后的形态也可以包含在本发明的技术的范围内。
[0103]应当注意的是，只要权利要求书、说明书和附图中示出的装置、系统、程序和方法中的动作、次序、阶段和步骤等各处理的执行顺序并未特别明确表示为“之前”、“以前”等，并且，在后面的处理中不使用前面的处理的产出，那么就可以以任意的顺序来实现。有关权利要求书、说明书和附图中的动作流程，即使为了方便起见而使用了“首先”、“其次”等进行说明，也不意味着必须按此顺序实施。
【主权项】
1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，具备以下步骤: 在第一导电型的碳化硅基板的一侧的主面形成第一导电型的漂移层，该第一导电型的漂移层的浓度比所述碳化硅基板更低； 在所述漂移层的正面侧，通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区； 以与所述漂移层接触的方式形成肖特基电极；以及 在所述碳化硅基板的另一侧的主面形成阴极电极。2.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 第二导电型的所述电场控制区包括在所述漂移层与所述肖特基电极接触的区域的外周部形成的环状的电场缓和区。3.如权利要求2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 第二导电型的所述电场控制区包括比所述电场缓和区更靠近内周侧而选择性地形成的多个结势皇区。4.如权利要求2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 第二导电型的所述电场控制区包括比环状的所述电场缓和区更靠近外周侧而设置的一个以上的场限环。5.如权利要求4所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第一导电型的漂移层的步骤之后并且在形成所述电场控制区的步骤之前，还具备形成一个以上的沟槽的步骤； 所述一个以上的场限环形成在所述一个以上的沟槽中。6.如权利要求4所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 第二导电型的所述电场控制区包括比所述一个以上的场限环更靠近外周侧而设置的环状的沟道阻止区， 所述碳化硅半导体装置的制造方法还具备以下步骤: 以与所述漂移层接触的方式形成绝缘膜； 在形成所述绝缘膜的步骤之后，以与所述沟道阻止区和所述绝缘膜接触的方式形成沟道阻止电极；以及 在形成所述肖特基电极的步骤之后，以与所述肖特基电极接触的方式形成阳极电极， 所述沟道阻止电极与所述阳极电极之间被所述绝缘膜覆盖。7.如权利要求6所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，还具备以下步骤: 形成与所述一个以上的场限环连接的场板电极。8.如权利要求3所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，还具备以下步骤: 形成与选择性地形成的所述多个结势皇区欧姆连接的欧姆电极；以及 在形成所述欧姆电极的步骤之后，以与所述肖特基电极和所述欧姆电极接触的方式形成阳极电极。9.如权利要求8所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述肖特基电极和所述欧姆电极是相同的材料。10.如权利要求8所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述欧姆电极和所述阳极电极是相同的材料。11.如权利要求1至10中的任意一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 通过所述激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区的步骤具有以下步骤: 在所述漂移层形成具有多个开口的掩膜层；以及 在将所述漂移层暴露于含有铝的气体的状态下，通过向所述漂移层照射激光，将铝通过所述多个开口注入到所述漂移层。12.如权利要求1至10中的任意一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 通过所述激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区的步骤具有以下步骤: 在所述漂移层堆叠铝层； 使所述铝层图案化而形成多个图案；以及 通过向所述多个图案照射激光，将铝通过所述多个图案注入到所述漂移层。13.如权利要求12所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于， 通过所述激光掺杂技术形成第二导电型的所述电场控制区的步骤还具有去除所述多个图案的步骤。14.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，特征在于， 形成所述电场控制区的步骤的激光掺杂技术中的激光光源是KrF、ArF、XeF、XeCl和YAG3 ω中的任意一个。
【文档编号】H01L29/872GK106067415SQ201610127355
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年3月7日 公开号201610127355.6, CN 106067415 A, CN 106067415A, CN 201610127355, CN-A-106067415, CN106067415 A, CN106067415A, CN201610127355, CN201610127355.6
【发明人】吉川功, 中泽治雄, 井口研一, 关康和
【申请人】富士电机株式会社