宽波段太阳能电池的制备方法
【专利摘要】宽波段太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上对透明导电氧化物进行热蒸发，制得透明导电膜；(2)采用射频溅射方法在多晶硅薄片上沉积p型层和n型层；(3)采用共蒸发法，在p型层和n型层上沉积吸收层；(4)用真空热蒸发的方法制备上下表面金属栅线，完成器件制备。本发明由于所使用的结构具有带隙渐变特性，实现了对入射太阳光的广谱吸收；同时由于是折射率有差异的多层结构实现了宽波段、长光程、短电程，从而提高了电池的光电转换效率。
【专利说明】
宽波段太阳能电池的制备方法
技术领域
[0001 ] 本发明涉及太阳能电池，具体是指一种宽波段太阳能电池。
【背景技术】
[0002]光伏发电的大规模利用主要面临提高光伏电池的效率和降低成本的挑战。由于太阳能发电成本昂贵，导致上网电价居高不下，太阳能发电仍然不具备明显价格竞争力，这是阻碍太阳能发电代替传统能源，大面积普及使用的一个主要瓶颈。尽可能提高太阳电池的转换效率，降低太阳能发电的成本，是目前业界最关心的话题之一。
【发明内容】
[0003]为了解决以上技术问题，本发明提供宽波段太阳能电池的制备方法，包括以下步骤:
[0004](I)在衬底上对透明导电氧化物进行热蒸发，制得透明导电膜；衬底为玻璃、聚酰亚胺、不锈钢中的任一种，透明导电氧化物为IT0、Sn02:F、Zn0:Al中的任一种。
[0005](2)采用射频溅射方法在多晶硅薄片上沉积P型层和η型层；选用的P型硅单晶基片，电阻率在0.3— 6 Ω/cm之间。
[0006](3)采用共蒸发法，在P型层和η型层上沉积吸收层；吸收层为硅量子点类超晶格结构层。
[0007](4)用真空热蒸发的方法制备上下表面金属栅线，工艺参数与常规p-1-n或n-1-p电池相同，完成器件制备。
[0008]本发明由于所使用的结构具有带隙渐变特性，实现了对入射太阳光的广谱吸收；同时由于是折射率有差异的多层结构实现了宽波段、长光程、短电程，从而提高了电池的光电转换效率。
【具体实施方式】
[0009]下面结合具体实施例，对发明的【具体实施方式】作进一步的说明。
[0010]实施例1
[0011](I)在玻璃衬底上对ITO透明导电氧化物进行热蒸发，制得透明导电膜；
[0012](2)采用射频溅射方法在多晶硅薄片上沉积P型层和η型层；选用的P型硅单晶基片，电阻率在0.3 Ω/cm之间。
[0013](3)采用共蒸发法，在P型层和η型层上沉积吸收层；吸收层为硅量子点类超晶格结构层。
[0014](4)用真空热蒸发的方法制备上下表面金属栅线，工艺参数与常规p-1-n电池相同，完成器件制备。
[0015]实施例2
[0016](I)在玻璃衬底上对ITO透明导电氧化物进行热蒸发，制得透明导电膜；
[0017](2)采用射频溅射方法在多晶硅薄片上沉积P型层和η型层；选用的P型硅单晶基片，电阻率在6 Ω/cm之间。
[0018](3)采用共蒸发法，在P型层和η型层上沉积吸收层；吸收层为硅量子点类超晶格结构层。
[0019](4)用真空热蒸发的方法制备上下表面金属栅线，工艺参数与常规p-1-n或n-1-p电池相同，完成器件制备。
[0020]试验证明，由实施例1一2所得产品可有效提高电池转换效率。
【主权项】
1.宽波段太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)在衬底上对透明导电氧化物进行热蒸发，制得透明导电膜； (2)采用射频溅射方法在多晶硅薄片上沉积P型层和η型层； (3)采用共蒸发法，在P型层和η型层上沉积吸收层； (4)用真空热蒸发的方法制备上下表面金属栅线，完成器件制备。2.根据权利要求1所述宽波段太阳能电池的制备方法，其特征在于:所述的衬底为玻璃、聚酰亚胺、不锈钢中的任一种。3.根据权利要求1所述宽波段太阳能电池的制备方法，其特征在于:所述的透明导电氧化物为IT0、Sn02:F、Zn0:Al中的任一种。4.根据权利要求1所述宽波段太阳能电池的制备方法，其特征在于:选用的P型硅单晶基片，电阻率在0.3 —6 Ω /cm之间。5.根据权利要求1所述宽波段太阳能电池的制备方法，其特征在于:金属栅线为p-1-n或 n-1-po6.根据权利要求1所述宽波段太阳能电池的制备方法，其特征在于:所述的吸收层为硅量子点类超晶格结构层。
【文档编号】H01L31/18GK106067490SQ201410605235
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年10月30日 公开号201410605235.3, CN 106067490 A, CN 106067490A, CN 201410605235, CN-A-106067490, CN106067490 A, CN106067490A, CN201410605235, CN201410605235.3
【发明人】卢晓宇
【申请人】西安昕罗新能源科技有限公司